氏名

ハセガワ ツヨシ

長谷川 剛

職名

教授

所属

(先進理工学部)

連絡先

URL等

研究者番号
50354345

本属以外の学内所属

兼担

理工学術院(大学院先進理工学研究科)

法学学術院(法学部)

学内研究所等

各務記念材料技術研究所

兼任研究員 2017年-2018年

ホリスティック物理学研究所

研究所員 2015年-2019年

理工学術院総合研究所(理工学研究所)

兼任研究員 2018年-

ホリスティック物理学研究所

研究所員 2019年-

学歴・学位

学歴

-1985年 東京工業大学 理学部 物理学科
-1987年 東京工業大学大学院 総合理工学研究科 材料科学専攻

学位

博士(理学) 論文 東京工業大学 薄膜・表面界面物性

経歴

2016年04月-2020年03月日本学術振興会 学術システム研究センター数物系科学専門調査班専門研究員
2015年04月-早稲田大学 理工学術院 教授
2012年10月-2014年05月早稲田大学理工学術院 客員教授
2011年04月-2015年03月(独)物質・材料研究機構 原子エレクトロニクスユニット ユニット長(兼務)
2007年10月-2015年03月(独)物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 主任研究者
2006年04月-2015年03月横浜市立大学大学院 客員教授
2003年04月-2004年03月文部科学省科学技術政策研究所 客員研究官
2003年01月-2007年09月(独)物質・材料研究機構 原子エレクトロニクスグループ グループリーダー
2002年08月-2003年01月(独)物質・材料研究機構 主幹研究員
1999年04月-2002年07月(特)理化学研究所 表面界面工学研究室 先任研究員
1998年08月-1999年03月(株)日立製作所中央研究所 主任研究員
1987年04月-1998年07月(株)日立製作所中央研究所 研究員

所属学協会

応用物理学会 薄膜表面物理分科会 幹事、常任幹事(1998-99, 2002-03, 2011-12)

日本表面科学会

応用物理学会

日本物理学会

受賞

第28回つくば賞

2017年11月授与機関:茨城県科学技術振興財団

タイトル:「原子スイッチの発明と実用化のための研究」

受賞者(グループ):寺部一弥、長谷川剛、青野正和

第34回(2012年度)応用物理学会優秀論文賞

2012年08月授与機関:応用物理学会

タイトル:「Volatile/Nonvolatile Dual-Functional Atom Transistor」

受賞者(グループ):長谷川剛、伊藤弥生美、田中啓文、日野貴美、鶴岡徹、寺部一弥、宮崎久生、塚越一仁、小川琢二、山口周、青野正和

物質・材料研究機構理事長賞研究功績賞

2010年04月

タイトル:「原子スイッチの発明からその基礎研究ならびに実用化までの顕著な貢献」

受賞者(グループ):長谷川剛、寺部一弥

MNC 2008 Award (Most Impressive Presentation)

2009年11月

タイトル:‘Fabrication of Nanostructures Composed of Copper-Phthalocyanine Diacetylene Molecules’

受賞者(グループ):大川祐司、高城大輔、長谷川剛、青野正和

第4回 表面科学会会誌賞

2007年11月授与機関:日本表面科学会

タイトル:「原子スイッチー原子イオンの移動を利用したナノデバイス」

受賞者(グループ):寺部一弥、長谷川剛、中山知信、青野正和

文部科学大臣表彰科学技術賞(研究部門)

2007年04月

タイトル:「原子スイッチの研究」

受賞者(グループ):青野正和、長谷川剛、寺部一弥、中山知信

第13回 高木賞

2005年03月授与機関:未踏科学技術協会インテリジェント材料・システムフォーラム

タイトル:「ナノイオニクス現象を利用した原子スイッチの開発」

受賞者(グループ):寺部一弥、長谷川剛、田村拓郎、マニシャクンドゥ、根岸良太、梁長浩、坂本利司、青野正和

日立製作所・社長技術賞

2001年

タイトル:「走査型トンネル顕微鏡を用いた原子操作技術の開発」

受賞者(グループ):細木茂行、保坂純男、高田啓二、長谷川剛

精密工学会技術賞

1991年10月

タイトル:「高精度STM装置の開発」

受賞者(グループ):保坂純男、細木茂行、長谷川剛、高田啓二、羽崎栄一

研究分野

科研費分類

総合理工 / 応用物理学 / 薄膜・表面界面物性

工学 / 電気電子工学 / 電子・電気材料工学

数物系科学 / 物理学 / 物性I

総合理工 / ナノ・マイクロ科学 / ナノ構造科学

総合理工 / ナノ・マイクロ科学 / ナノマイクロシステム

論文

Time-dependent operations in molecular gap atomic switches

Ayana Suzuki, Tohru Tsuruoka, Tsuyoshi Hasegawa

Physica Status Solidi B査読有り256p.1900068-1 - 1900068-102019年04月-2019年04月 

DOI

A nano-mechanical device using a Ag2S-C60 system

Yuya Ishikawa, Tsuyoshi Hasegawa, Christian Joachim

Jpn. J. Appl. Phys.査読有り58p.SDDF02-1 - SDDF02-42019年04月-2019年04月 

DOI

Resistivity control by the electrochemical removal of dopant atoms from a nanodot

Wataru Hiraya, Nozomi Mishima, Takaaki Shima, Seishiro Tai, Tohru Tsuruoka, Ilia Valov, Tsuyoshi Hasegawa

Faraday Discussions査読有り213p.29 - 402019年01月-2019年01月 

DOI

Oxygen vacancy drift controlled three-terminal ReRAM with a reduction in operating gate bias and leakage current

Qi Wang, Yaomi Itoh, Tohru Tsuruoka, Masakazu Aono, Deyan He, Tsuyoshi Hasegawa

Solid State Ionics査読有り328p.30 - 342018年11月-2018年11月 

DOI

Development of a molecular gap-type atomic switch and its stochastic oepration

C. Arima, A. Suzuki, A. Kassai, T. Tsuruoka and T. Hasegawa

J. Appl. Phys.査読有り124p.152114-1 - 52018年09月-2018年09月 

DOI

The rate limiting process and its activation energy in the forming process of a Cu/Ta2O5/Pt gapless-type atomic switch

Shigeoka, Yuki; Tsuruoka, Tohru; Hasegawa, Tsuyoshi

Japanese Journal of Applied Physics57(3)2018年03月-2018年03月 

DOIScopus

詳細

ISSN:00214922

Nanoarchitectonics for Controlling the Number of Dopant Atoms in Solid Electrolyte Nanodots

Nayak, Alpana; Nayak, Alpana; Unayama, Satomi; Tai, Seishiro; Tsuruoka, Tohru; Waser, Rainer; Waser, Rainer; Aono, Masakazu; Valov, Ilia; Valov, Ilia; Hasegawa, Tsuyoshi

Advanced Materials30(6)2018年02月-2018年02月 

DOIScopus

詳細

ISSN:09359648

Operating mechanism and resistive switching characteristics of two- and three-terminal atomic switches using a thin metal oxide layer

Tsuruoka, Tohru; Hasegawa, Tsuyoshi; Terabe, Kazuya; Aono, Masakazu

Journal of Electroceramics39(1-4)p.143 - 1562017年12月-2017年12月 

DOIScopus

詳細

ISSN:13853449

P-type polymer-based Ag2S atomic switch for "tug of war" operation

Lutz, Carolin; Lutz, Carolin; Hasegawa, Tsuyoshi; Tsuchiya, Takashi; Adelsberger, Christoph; Hayakawa, Ryoma; Chikyow, Toyohiro

Japanese Journal of Applied Physics56(6)2017年06月-2017年06月 

DOIScopus

詳細

ISSN:00214922

Identification and roles of nonstoichiometric oxygen in amorphous Ta2O5 thin films deposited by electron beam and sputtering processes

Mannequin, Cedric; Tsuruoka, Tohru; Hasegawa, Tsuyoshi; Aono, Masakazu

Applied Surface Science385p.426 - 4352016年11月-2016年11月 

DOIScopus

詳細

ISSN:01694332

Ag2S atomic switch-based 'tug of war' for decision making

Lutz, C.; Lutz, C.; Hasegawa, T.; Chikyow, T.

Nanoscale8(29)p.14031 - 140362016年08月-2016年08月 

DOIScopus

詳細

ISSN:20403364

Composition of thin Ta2O5 films deposited by different methods and the effect of humidity on their resistive switching behavior

Mannequin, Cedric; Tsuruoka, Tohru; Hasegawa, Tsuyoshi; Aono, Masakazu

Japanese Journal of Applied Physics55(6)2016年06月-2016年06月 

DOIScopus

詳細

ISSN:00214922

Humidity effects on the redox reactions and ionic transport in a Cu/Ta2O5/Pt atomic switch structure

Tsuruoka, Tohru; Valov, Ilia; Valov, Ilia; Mannequin, Cedric; Hasegawa, Tsuyoshi; Waser, Rainer; Waser, Rainer; Aono, Masakazu

Japanese Journal of Applied Physics55(6)2016年06月-2016年06月 

DOIScopus

詳細

ISSN:00214922

Ultra-Low Voltage and Ultra-Low Power Consumption Nonvolatile Operation of a Three-Terminal Atomic Switch

Wang, Qi; Wang, Qi; Wang, Qi; Itoh, Yaomi; Itoh, Yaomi; Tsuruoka, Tohru; Tsuruoka, Tohru; Aono, Masakazu; Hasegawa, Tsuyoshi; Hasegawa, Tsuyoshi; Hasegawa, Tsuyoshi

Advanced Materials27(39)p.6029 - 60332015年10月-2015年10月 

DOIScopus

詳細

ISSN:09359648

Redox reactions at Cu, Ag/Ta2O5 interfaces and the effects of Ta2O5 film density on the forming process in atomic switch structures

T. Tsuruoka, I. Valov, S. Tappertzhofen, J. van de Hurk, T. Hasegawa, R. Waser and M. Aono

Advanced Functional Materials25(40)p.6374 - 63812015年10月-

DOI

Observation of a Ag protrusion on a Ag2S island using a scanning tunneling microscope

Ohno, Takeo; Hasegawa, Tsuyoshi

Results in Physics5p.182 - 1832015年08月-2015年08月 

DOIScopus

Effects of temperature and ambient pressure on the resistive switching behaviour of polymer-based atomic switches

Mohapatra, Saumya R.; Mohapatra, Saumya R.; Tsuruoka, Tohru; Krishnan, Karthik; Hasegawa, Tsuyoshi; Aono, Masakazu

Journal of Materials Chemistry C3(22)p.5715 - 57202015年06月-2015年06月 

DOIScopus

詳細

ISSN:20507534

Position detection and observation of a conducting filament hidden under a top electrode in a Ta2O5-based atomic switch

A. Nayak, Q. Wang, Y. Itoh, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, L. Boodhoo, H. Mizuta and M. Aono

Nanotechnology26p.1457022015年03月-

DOI

Dynamic moderation of an electric field using a SiO2 tunneling layer in TaOx-based ReRAM

Q. Wang, Y. Itoh, T. Tsuruoka, S. Ohtsuka, T. Shimizu, S. Shingubara, T. Hasegawa and M. Aono

Physica Status Solidi-Rapid Research Letters9p.166 - 1702015年-

DOI

Influence of Atmosphere on Photo-Assisted Atomic Switch Operations

T. Hino, T. Hasegawa, H. Tanaka, T. Tsuruoka, T. Ogawa and M. Aono

Key Eng. Mater.596p.116 - 1202014年-

DOI

Two types of on-state observed in the operation of a redox-based three-terminal device

Q. Wang, Y. Itoh, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, S. Watanabe, S. Yamaguchi, T. Hiramoto and M. Aono

Key Eng. Mater.596p.111 - 1152014年-

DOI

Synaptic plasticity and memory functions achieved in WO3-x-based nanoionics device by using principle of atomic switch operation

R. Yang, K. Terabe, Y. Yao, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, J. K. Gimzewski and M. Aono

Nanotechnology24(38)p.3840032013年09月-

DOI

Volatile and nonvolatile selective switching of a photo-assisted initialized atomic switch

T. Hino, T. Hasegawa, H. Tanaka, T. Tsuruoka, K. Terabe, T Ogawa, and M Aono

Nanotecnology24(38)p.3840062013年09月-

DOI

Generic Relevance of Counter Charges for Cation-Based Nanoscale Resistive Switching Memories

S. Tappertzhofen, I. Valov, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, R. Waser, and M. Aono

ACS Nano7(7)p.6396 - 64022013年06月-

DOI

Nonvolatile three-terminal operation based on oxygen vacancy drift in a Pt/Ta2O5-x/Pt, Pt structure

Q. Wang, Y. Itoh, T. Hasegawa, T. Tsuruoka, S. Yamaguchi, S. Watanabe, T. Hiramoto and M. Aono

Appl. Phys. lett.102(23)p.2335082013年-

DOI

Rate-limiting processes in the fast SET operation of a gapless-type Cu-Ta2O5 atomic switch

T. Tsuruoka, T. Hasegawa, I. Valov, R. Waser, and M. Aono

AIP Advances3(3)p.0321142013年-

DOI

On-Demand Nanodevice with Electrical and Neuromorphic Multifunction Realized by Local Ion Migration

R. Yang , K. Terabe , G. Liu , T. Tsuruoka , T. Hasegawa, J. K. Gimzewski and M. Aono

ACS Nano6(11)p.9515 - 95212012年11月-

DOI

Conductance quantization and synaptic behavior in a Ta2O5-based atomic switch

T. Tsuruoka, T. Hasegawa, K. Terabe and M. Aono

Nanotecnology23(43)p.4357052012年10月-

DOI

Controlling the synaptic plasticity of a Cu2S gap-type atomic switch

A. Nayak, T. Ohno, T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa, J. K. Gimzewski, and M. Aono

Adv. Func. Mater.22(17)p.3606 - 36132012年09月-

DOI

Atomically controlled electrochemical nucleation at superionic solid electrolyte surfaces

I. Valov, I. Sapezanskaia, A. Nayak, T. Tsuruoka, T. Bredow, T. Hasegawa, G. Staikov, M. Aono and R. Waser

Nature Mater.11p.530 - 5362012年06月-

DOI

Oxygen migration process in the interfaces during bipolar resistance switching behavior of WO3-x-based nanoionics devices

R. Yang, K. Terabe, T. Tsuruoka, T. Hasegawa and M. Aono

Appl. Phys. Lett.100(23)p.2316032012年06月-

DOI

Development and Application of Multiple-probe Scanning Probe Microscopes

T. Nakayama, O. Kubo, Y. Shingaya, S. Higuchi, T. Hasegawa, C-S Jiang, T. Okuda, Y. Kuwahara, K. Takami and M. Aono

Adv. Mater.24(13)p.1675 - 16922012年03月-

DOI

Atomic Switch: Atom/Ion Movement Controlled Devices for Beyond Von-Neumann Computers

T. Hasegawa, K. Terabe, T. Tsuruoka and M. Aono

Adv. Mater.24(2)p.252 - 2672012年-

DOI

Effects of moisture on the switching characteristics of oxide-based, gapless-type atomic switches

T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa, I. Valov, R. Waser and M. Aono

Adv. Funct. Mater.22(1)p.70 - 772012年-

DOI

Electronic state formation by surface atom removal on a MoS2 surface

N. Kodama, T. Hasegawa, T. Tsuruoka, C. Joachim and M. Aono

Jpn. J. Appl. Phys.51(6)p.06FF072012年-

DOI

Flexible resistive switching memory using inkjet printing of a solid polymer

S. R. Mohapatra, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, K. Terabe and M. Aono

AIP Advances2(2)p.221442012年-

DOI

アトムトランジスタ

長谷川剛、伊藤弥生美、鶴岡徹、青野正和

応用物理, 81(1), 55-58, (201281(1)p.55 - 582012年-

局所的なイオン移動を利用したナノイオニクスデバイス−原子スイッチ−

寺部一弥、長谷川剛、鶴岡徹、青野正和

電子情報通信学会誌95(4)p.299 - 3042012年-

Short-term plasticity and long-term potentiation mimicked in single inorganic synapses

T. Ohno, T. Hasegawa, T. Tsuruoka, K. Terabe, J. K. Gimzewski and M. Aono

Nature Mater.10(8)p.591 - 5952011年08月-

DOI

Chemical Wiring and Soldering toward All-Molecule Electronic Circuitry

Y. Okawa, S. Mandal, C. Hu, Y. Tateyama, S. Goedecker, S. Tsukamoto, T. Hasegawa, J. K. Gimzewski, and M. Aono

J. Am. Chem. Soc.133(21)p.8277 - 82332011年06月-

DOI

Switching kinetics of a Cu2S-based gap-type atomic switch

A. Nayak, T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa and M. Aono

Nanotechnology22(23)p.2352012011年06月-

DOI

Temperature effects on the switching kinetics of a Cu-Ta2O5-based atomic switch’

T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa and M. Aono

Nanotechnology22(25)p.2541032011年06月-

DOI

A polymer-electrolyte-based atomic switch

S. Wu, T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa, J. P. Hill, K. Ariga and M. Aono

Adv. Funct. Mater.21(1)p.93 - 992011年01月-

DOI

Volatile/Nonvolatile Dual-Functional Atom Transistor

T. Hasegawa, Y. Itoh, H. Tanaka, T. Hino, T. Tsuruoka, K. Terabe, H. Miyazaki, K. Tsukagoshi, T. Ogawa, S. Yamaguchi and M. Aono

Appl. Phys. Express4(1)p.152042011年01月-

DOI

Atomic switches: atomic-movement-controlled nanodevices for new types of computing

T. Hino, T. Hasegawa, K. Terabe, T. Tsuruoka, A. Nayak, T. Ohno and M. Aono

Sci. Technol. Adv. Mater.12(1)p.0130032011年-

DOI

Bulk and Surface Nucleation Processes in Ag2S Conductance Switches

M. Morales-Masis, S.J. van der Molen, T. Hasegawa, J.M. van Ruitenbeek

Phys. Rev. B84(11)p.1153102011年-

DOI

Memristive operations demonstrated by gap-type atomic switches

T. Hasegawa, N. Alpana, T. Ohno, K. Terabe, T. Tsuruoka, J.K. Gimzewski and M. Aono

Appl. Phys. A102(4)p.811 - 8152011年-

DOI

Rate Determining Factors in the Chain Polymerization of Molecules Initiated by Local Single-Molecule Excitation

M. Swapan, Y. Okawa, T. Hasegawa and M. Aono

ACS Nano5(4)p.2779 - 27862011年-

DOI

Sensory and short-term memory formations observed in a Ag2S gaptype atomic switch

T. Ohno, T. Hasegawa, A. Nayak, T. Tsuruoka, J. K. Gimzewski and M. Aono

Appl. Phys. Lett.99(20)p.2031082011年-

DOI

Theoretical investigation of kinetics of a Cu2S-based gap-type atomic switch

A. Nayak, T. Tsuruoka, . K. Terabe, T. Hasegawa and M. Aono

Appl. Phys. Lett.98(23)p.2335012011年-

DOI

Three-terminal nanometer metal switches utilizing solid electrolytes

H. Kawaura, T. Sakamoto, N. Bannno, S. Kaeriyama, M. Mizuno, K. Terabe, T. Hasegawa and M. Aono

Electronics and Communications in Japan94(4)p.55 - 612011年-

DOI

‘Nanoionics switching devices’,

T. Hasegawa, K. Terabe, and M. Aono

Encyclopedia of Materilas: Science and Technology, Elsevierp.1 - 82011年-

DOI

「情報を記憶する光ナノセンサーの開発」 田中啓文 *、長谷川剛**、日野貴美、青野正和、小川琢治

月刊画像ラボ(日刊工業出版)3p.60 - 662011年-

アトムトランジスタの開発

長谷川剛

電気協会報1042p.25 - 272011年-

光アシスト原子スイッチを用いたナノ光センサーの開発

田中啓文 *、長谷川剛**、日野貴美、青野正和、小川琢治

月刊光アライアンス(日刊工業出版)6p.40 - 442011年-

The Atomic Switch

M. Aono, and T. Hasegawa

Proceedings of the IEEE98(12)p.2228 - 22362010年12月-

DOI

Toward sub-20 nm hybrid nanofabrication by combining the molecular method and electron beam lithography

C. B. Li, T. Hasegawa, H. Tanaka, H. Miyazaki, S. Odaka, K. Tsukagoshi and M. Aono

Nanotechnology21(49)p.4953042010年12月-

DOI

Forming and switching mechanisms of a cation-migration-based oxide resistive memory

T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa and M. Aono

Nanotechnology21(42)p.425052010年10月-

DOI

Structural characterization of amorphous Ta2O5 and SiO2-Ta2O5 used as solid electrolyte for nonvolatile switches

N. Banno, T. Sakamoto, N. Iguchi, M. Matsumoto, H. Imai, T. Ichinari, S. Fujieda, S. Watanabe, S. Yamaguchi, T. Hasegawa and M. Aono

Appl. Phys. Lett.97(11)p.1135072010年09月-

DOI

Electronic states of sulfur vacancies formed on a MoS2 surface

N. Kodama, T. Hasegawa, Y. Okawa, T. Tsuruoka, C. Joachim and M. Aono

Jpn. J. Appl. Phys.49(8)p.08LB012010年08月-

DOI

Photo-assisted formation of atomic switch

T. Hino, H. Tanaka, T. Hasegawa, M. Aono and T. Ogawa

Small6(16)p.1745 - 17482010年08月-

DOI

Learning abilities achieved by a single solid-state atomic switch

T. Hasegawa, T. Ohno, K. Terabe, T. Tsuruoka, T. Nakayama, J. K. Gimzewski and M. Aono

Adv. Mater.22(16)p.1831 - 18342010年04月-

DOI

Size tunable UV luminescent silicon nanocrystals

N. Shirahata, T. Tsuruoka, T. Hasegawa and Y. Sakka

Small6(8)p.915 - 9212010年04月-

DOI

Rate-limiting processes determining the switching time in a Ag2S atomic switch

A. Nayak, T. Tamura, T. Tsuruoka, K. Terabe, S. Hosaka, T. Hasegawa and M. Aono

J. Phys. Chem.. Lett.1(3)p.604 - 6082010年02月-

DOI

Nanoionics switching device: “Atomic Switches”

T. Hasegawa, K. Terabe, T. Sakamoto and M. Aono

MRS Bulletin34(12)p.929 - 9342009年12月-

DOI

Development of Polymer Electrolytes Based Resistive Switch

S. Wu, T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa, J. P.Hill, K. Ariga and M. Aono

Proceedings of SPIE7493p.208 - 2112009年07月-

Cu-ion diffusivity in SiO2-Ta2O5 solid electrolyte and its impact on the yield resistance switching after BEOL processes

N. Banno, T. Sakamoto, H. Hada, N. Kasai, N. Iguchi, S. Fujieda, T. Ichihashi, T. Hasegawa and M. Aono

2009 IEEE Int. Reliability Phys. Symp. (IRPS), Montreal, QC, Canadap.395 - 3992009年04月-

Deep Ultraviolet Light-Emitting Organosoluble Polyimides Derived from Siloxane- Containing Aliphatic Dianhydride and Various Aromatic Diamines

S. Wu, T. Tsuruoka and T. Hasegawa

Polymer Preprints, Japan58(1)p.14522009年-

電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用

長谷川剛、寺部一弥、阪本利司、鶴岡徹、青野正和

J. Vac. Sci. Jpn.52(6)p.340 - 3462009年-

Diffusivity of Cu ions in solid electrolyte and its effect on the performance of nanometer-scale switch

N. Banno, T. Sakamoto, N. Iguchi, H. Sunamura, K. Terabe, T. Hasegawa and M. Aono

IEEE Transaction on Electron Devices55(11)p.3283 - 32872008年11月-

DOI

A solid electrolyte nanometer switch

T. Sakamoto, S. Kaeriyama, M. Mizuno, H. Kawaura, T. Hasegawa, K. Terabe and M. Aono

Electrical Engineering in Japan165(1)p.68 - 732008年10月-

DOI

Structural studies of copper sulfide films: Influence of ambient atmosphere

M. Kundu, T. Hasegawa, K. Terabe, K. Yamamoto, and M. Aono

Sci. Technol. Adv. Mat.9(3)p.0350112008年09月-

DOI

主鎖にシロキサン基を有する高蛍光可溶ポリイミド」

呉守明、鶴岡徹、長谷川剛、葛 子義、早川 晃鏡、柿本 雅明

Polymer Preprints, Japan57(2)p.41132008年09月-

Resistance Switching in Anodic Oxidized Amorphous TiO2 Films

Ch. Liang, K. Terabe, T. Hasegawa, and M. Aono

Appl. Phys. Express1(6)p.0640022008年06月-

DOI

Optical waveguide properties of single indium oxide nanofibers

T. Tsuruoka, Ch. Liang, K. Terabe, and T. Hasegawa

J. Optics A (Pure and Applied Optics)10(5)p.0552012008年05月-

DOI

Effect of sulfurization condition on structural and electrical properties of copper sulfide films

M. Kundu, T. Hasegawa, K. Terabe, and M. Aono

J. Appl. Phys.103(7)p.0735232008年04月-

DOI

Atomic force microscopy and theoretical investigation of the lifted-up conformation of polydiacetylene on a graphite substrate

Y. Okawa, D. Takajo, S. Tsukamoto, T. Hasegawa, and M. Aono

Soft Matter4(5)p.1041 - 10472008年-

DOI

固体電解質を用いた3端子型ナノメートル金属スイッチ

川浦久雄、阪本利司、伴野直樹、帰山隼一、水野正之、寺部一弥、長谷川剛、青野正和

電気学会論文誌C128(6)p.890 - 8952008年-

Anomalous phase transition and ionic conductivity of AgI nanowire grown using porous alumina template

Ch. Liang, K. Terabe, N. Iyi, T. Hasegawa, and M. Aono

J. Appl. Phys.102(12)p.1243082007年12月-

DOI

Resistance switching of an individual Ag2S/Ag nanowire heterostructure

Ch. Liang, K. Terabe, T. Hasegawa, and M. Aono

Nanotechnology18(48)p.4852022007年12月-

DOI

Control of local ion transport to create unique functional nanodevices based on ionic conductors

K. Terabe, T. Hasegawa, Ch. Liang, and M. Aono

Sci. Technol. Adv. Mater.8(6)p.536 - 5422007年09月-

DOI

Size-dependent single electron tunneling effect in Au nanoparticles

R. Negishi, T. Hasegawa, H. Tanaka, K.Terabe, H. Ozawa, T. Ogawa, and M.Aono

Surf. Sci.601p.3907 - 39112007年09月-

DOI

Electronic transport in Ta2O5 resistive switch

T. Sakamoto, K. Lister, N. Banno, T. Hasegawa, K. Terabe and M. Aono

Appl. Phys. Lett.91p.0921102007年08月-

DOI

A Ta2O5 solid-electrolyte switch with improved reliability

T. Sakamoto, N. Banno, N. Iguchi, H. Kawaura, H. Sunamura, S. Fujieda, K. Terabe, T. Hasegawa and M. Aono

2007 IEEE Symp. VLSI Tech., Kyoto, Japan, 12-14 Junep.38 - 392007年06月-

Agl/Ag Heterojunction Nanowire: Facile Electrochemical Synthesis, Photoluminescence, and Enhanced Ionic Conductivity

Ch. Liang, K. Terabe, T. Tsuruoka, M. Osada, T. Hasegawa, and M. Aono

Adv. Funct. Mater.17p.1466 - 14722007年06月-

DOI

Chain Polymerization of Diacetylene Compound Multilayer Films on the Topmost Surface Initiated by Scanning Tunneling Microscope Tip

D. Takajo, Y. Okawa, T. Hasegawa, and M. Aono

Langmuir23p.5247 - 52502007年05月-

DOI

I-V characteristics of single electron tunneling from symmetric and asymmetric double-barrier tunneling junctions

R. Negishi, T. Hasegawa, K. Terabe, M. Aono, H. Tanaka, T. Ogawa, and H. Ozawa

Appl. Phys. Lett.90(22)p.2231122007年05月-

DOI

Origin of green emission from ZnS nanobelts as revealed by scanning near-field optical microscopy

T. Tsuruoka, Ch. Liang, K. Terabe, and T. Hasegawa

Appl. Phys. Lett.92(9)p.0919082007年03月-

DOI

Material dependence of switching speed of atomic switches made from silver sulfide and from copper sulfide

T. Tamura, T. Hasegawa, K. Terabe, T. Nakayama, T. Sakamoto, H. Sunamura, H. Kawaura, S. Hosaka and M. Aono

J. Phys.: Conf. Series61(1)p.1157 - 11612007年-

DOI

LSI回路の再構成を可能とするナノブリッジ

阪本利司、帰山隼一、水野正之、寺部一弥、長谷川剛、青野正和、

NEC技報60(1)p.73 - 762007年-

Solid-Electrolyte Nanometer Switch

N. Banno, T. Sakamoto, N. Iguchi, H. Kawaura, S. Kaeriyama, M. Mizuno, K. Terabe, T. Hasegawa, and M. Aono

IEICE Transactions on ElectronicsE89-C(11)p.1492 - 14982006年11月-

DOI

Template synthesis of M/M2S (M = Ag, Cu) hetero-nanowires by electrochemical technique

C.H. Liang, K. Terabe, T. Hasegawa, and M. Aono

Solid State Ionics177p.2527 - 25312006年10月-

DOI

Formation of metastable silver nanowire of hexagonal structure and their structure transformation under electron beam irradiation

Ch. Liang, K. Terabe, T. Hasegawa, and M. Aono

Jpn. J. Appl. Phys.45(7)p.6046 - 60482006年07月-

DOI

Effect of sulfurization conditions and post deposition annealing treatment on the structural and electrical properties of silver sulfide films

M. Kundu, K. Terabe, T. Hasegawa, and M. Aono

J. Appl. Phys.99p.1035012006年05月-

DOI

Fabrication of nanoscale gaps using a combination of self-assemble molecular and electron beam lithographic techniques

R. Negishi, T. Hasegawa, K. Terabe, M. Aono, T. Ebihara, H. Tanaka, T. Ogawa

Appl. Phys. Lett.88p.2231122006年05月-

DOI

Effect of ion diffusion on switching voltage of solid-electrolyte nanometer switch

N. Banno, T. Sakamoto, T. Hasegawa, K. Terabe, and M. Aono

Jpn. J. Appl. Phys.45(4B)p.3666 - 36682006年04月-

DOI

Switching Property of Atomic Switch Controlled by Solid Electrochemical Reaction

T. Tamura, T. Hasegawa, K. Terabe, T. Nakayama, T. Sakamoto, H. Sunamura, H. Kawaura, S. Hosaka, and M. Aono

Jpn. J. Appl. Phys.45(12)p.L364 - L3662006年04月-

DOI

3端子固体電解質ナノスイッチ

阪本利司、伴野直樹、井口憲幸、帰山隼一、水野正之、川浦久雄、寺部一弥、長谷川剛、青野正和

電子情報通信学会技術研究報告105p.13 - 162006年-

原子スイッチ —原子(イオン)の移動を利用したナノデバイス—

寺部一弥、長谷川剛、中山知信、青野正和

表面科学27(4)p.232 - 2382006年-

固体メモリー

阪本利司、帰山隼一、長谷川剛、寺部一弥

応用物理75(9)p.1126 - 11302006年-

固体電解質ナノスイッチ

阪本利司、帰山隼一、砂村潤、水野正之、川浦久雄、長谷川剛、寺部一弥、青野正和

電気学会論文誌C「次世代LSIデバイス・プロセス技術の課題と展望」特集126p.714 - 7192006年-

Ionic-Electronic Conductor Nanostructures: Template-Confined Growth and Nonlinear Electrical Transport

Ch. Liang, K. Terabe, T. Hasegawa, R. Negishi, T. Tamura, and M. Aono

Small10p.971 - 9752005年09月-

DOI

A nonvolatile programmable solid-electrolyte nanometer switch

S. Kaeriyama, T. Sakamoto, H. Sunamura, M. Mizuno, H. Kawaura, T. Hasegawa, K. Terabe, T. Nakayama and M. Aono

IEEE J. Solid-State Circuits40(1)p.168 - 1762005年01月-

DOI

Quantized conductance atomic switch

K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama and M. Aono

Nature433p.47 - 502005年01月-

DOI

Three Terminal Solid-Electrolyte Nanometer Switch

T. Sakamoto, N. Banno, N. Iguchi, H. Kawaura, S. Kaeriyama, M. Mizuno, K. Terabe, T. Hasegawa, and M. Aono

Technical Digest of 2005 International Electron Device Meeting, Washingtonp.489 - 4922005年-

究極的なナノデバイス「原子スイッチ」の開発

長谷川剛、寺部一弥、中山知信、青野正和

未来材料5(6)p.31 - 372005年-

原子スイッチを用いた実用的論理演算回路の構築

長谷川剛、寺部一弥、中山知信、坂本利司、青野正和

OHM92(12)p.10 - 112005年-

固体電気化学反応を利用した実用デバイス「原子スイッチ」の開発

長谷川剛、青野正和

化学と工業58(11)p.1336 - 13382005年-

量子化伝導原子スイッチの開発

寺部一弥、長谷川剛、中山知信、青野正和

まてりあ44(9)p.757 - 7632005年-

A Nonvolatile Programmable Solid Electrolyte Nanometer Switch

T. Sakamoto, S. Kaeriyama, H. Sunamura, M. Mizuno, H. Kawaura, T. Hasegawa, K. Terabe, T. Nakayama and M. Aono

’, 2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (47), San Franciscop.234 - 2352004年-

固体電解質を用いたナノスイッチ

阪本利司、帰山隼一、砂村潤、水野正之、川浦久雄、長谷川剛、中山知信、寺部一弥、青野正和

電子情報通信学会技術研究報告104p.31 - 352004年-

高性能LSIの機能切り替えを可能にするスイッチ素子

川浦久雄、阪本利司、砂村潤、帰山隼一、水野正之、長谷川剛、中山知信、寺部一弥、青野正和

工業材料52(7)p.46 - 502004年-

Nanometer-scale switches using copper sulfide

T. Sakamoto, H. Sunamura, H. Kawaura, T. Hasegawa, T. Nakayama and M. Aono

Appl. Phys. Lett.82p.3032 - 30342003年05月-

DOI

Far-Field and Near-Field Optical Readings of under-50 nm-Sized pits

S. Hosaka, T. Shintani, H. Koyanagi, K. Katoh, T. Nishida, T. Saiki and T. Hasegawa

Jpn. J. Appl. Phys.41p.L884 - L8862002年08月-

DOI

Formation and Disappearance of a Nanoscale Silver Cluster Realized by Solid Electrochemical Reaction

K. Terabe, T. Nakayama, T. Hasegawa and M. Aono

J. Appl. Phys.91p.10110 - 101142002年06月-

DOI

Ionic/Electronic Mixed Conductor Tip of a Scanning Tunneling Microscope as a Metal Atom Source for Nanostructuring

K. Terabe, T. Nakayama, T. Hasegawa and M. Aono

Appl. Phys. Lett.80p.4009 - 40112002年05月-

DOI

Quantum point contact for nano-devices controlled by solid electrochemical reaction

T. Hasegawa, K. Terabe, T. Nakayama, T. Sakamoto, H. Sunamura, H. Kawaura and M. Aono

Proc. XVth Int. Cong. on Electron Microscopy, Durbanp.393 - 3942002年-

Quantum point contact switch realized by solid electrochemical reaction

K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama and M. Aono

Riken Review37p.7 - 82001年07月-

Quantum Point Contact switch using Solid Electrochemical reaction

T. Hasegawa, K. Terabe, T. Nakayama and M. Aono

Extended Abstracts of the 2001 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyop.564 - 5652001年-

ナノワイヤーの電気伝導

青野正和、中山知信、長谷川剛、田中啓文、新ヶ谷義隆、大川祐司、桑原裕司、赤井恵、寺部一弥

学術月報54(10)p.49 - 552001年-

Physical and Chemical Analytical Instruments for Failure Analyses in G-bit Devices

Y. Mitsui, F. Yano, Y. Nakamura, K. Kimoto, T. Hasegawa, S. Kimura and K. Asayama

International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest, IEEEp.329 - 3321998年-

DOI

Intrarow diffusion of Au atoms in the Si(111)-(5x2)Au structure

T. Hasegawa and S. Hosoki

Phys. Rev. B54p.10300 - 103031996年10月-

DOI

Dynamic observation of Si-island growth on a Si(111)-7x7 surface by high-temperature scanning tunneling microscopy

T. Hasegawa, W. Shimada, H. Tochihara and S. Hosoki

J. Cryst. Growth166p.314 - 3181996年09月-

DOI

STM modification of MoS2 in the nanometer-scale using a gas-solid reaction

M. Kohno, T. Doi, T. Hasegawa, S. Tomimatsu and S. Hosoki

Thin Solid Film281-282p.588 - 5901996年08月-

DOI

Cu film growth on a Si(111) surface studied by scanning tunneling microscopy

S. Tomimatsu, M. Kohno, T. Hasegawa and S. Hosoki

Jpn. J. Appl. Phys.35p.3730 - 37331996年06月-

DOI

Domain growth of Si(111)-5x2Au by high-temperature STM

T. Hasegawa, S. Hosaka and S. Hosoki

Surf. Sci.357-358p.858 - 8621996年06月-

DOI

Stable phase boundaries between the 7x7 and the 5x2Au structures on a Si(111) surface studied by high-temperature STM

T. Hasegawa, S. Hosoki and K. Yagi

Surf. Sci. 355, L295-L299 (1996).355p.L295 - L2991996年06月-

DOI

Fabrication of nanostructures using scanning probe microscopes

S. Hosaka, S. Hosoki, T. Hasegawa, H. Koyanagi, T. Shintani and M. Miyamoto

J. Vac. Sci. Technol.B13p.2813 - 28181995年11月-

DOI

Just-on-surface magnetic force microscopy

S. Hosaka, A. Kikukawa, Y. Honda and T. Hasegawa

Appl. Phys. Lett.65p.3407 - 34091994年12月-

DOI

Initial stage of oxygen adsorption onto a Si(111)-7x7 surface studied by scanning tunneling microscopy

T. Hasegawa, M. Kohno and S. Hosoki

Jpn. J. Appl. Phys.33p.3702 - 37051994年06月-

DOI

Dynamic observation of silicon homoepitaxial growth by high-temperature scanning tunneling microscopy

T. Hasegawa, M. Kohno, S. Hosaka and S. Hosoki

J. Vac. Sci. Technol.B12p.2078 - 20811994年05月-

DOI

Initial stages of oxygen adsorption onto a Si(111)-7x7 surface studied by STM

T. Hasegawa, M. Kohno, S. Hosaka and S. Hosoki

Surf. Sci. Lett.312p.L753 - L7561994年01月-

DOI

トンネル障壁イメージング(TBI)法によるpoly-Si膜の不純物濃度分布観察

保坂純男,相良和彦,山口宗明,長谷川剛,細木茂行

IONICS20(9)p.97 - 1021994年-

Ultrahigh vacuum atomic force microscope using a pantograph inchworm mechanism

S. Hosaka, Y. Honda, T. Hasegawa, T. Yamamoto and M. Kondo

Rev. Sci. Instrum.64p.3524 - 35291993年12月-

DOI

Dynamic observation of Si crystal growth on a Si(111) 7x7 surface by high-temperature scanning tunneling microscopy

T. Hasegawa, M. Kohno, S. Hosaka and S. Hosoki

Phys. Rev. B48p.1943 - 19461993年07月-

DOI

Si(111)の付着金原子による再配列構造

細木茂行、長谷川剛

日本結晶学会誌35(2)p.21 - 261993年-

走査型トンネル顕微鏡を用いた表面修飾

細木茂行,長谷川剛

応用物理62(2)p.155 - 1591993年-

In Situ Observation of Gold Adsorption onto Si(111)7x7 Surface by Scanning Tunneling Microscopy

T. Hasegawa, S. Hosaka and S. Hosoki

Jpn. J. Appl. Phys.31p.L1492 - L14941992年10月-

DOI

Surface modification of MoS2 using STM

S. Hosoki, S. Hosaka and T. Hasegawa

Appl. Surf. Sci.60/61p.643 - 6471992年08月-

DOI

Observation of natural oxide growth on silicon facets using an atomic force microscope with current measurement

S. Hosaka, H. Koyanagi, T. Hasegawa, S. Hosoki and A. Hiraiwa

J. Appl. Phys.72p.688 - 6911992年07月-

DOI

Initial stage of Au adsorption onto a Si(111) surface studied by scanning tunneling microscopy

T. Hasegawa, K. Takata, S. Hosaka and S. Hosoki

J. Vac. Sci. Technol.B9p.758 - 7601991年03月-

DOI

STMによる原子操作の試み

細木茂行,保坂純男,長谷川剛

表面科学12(10)p.623 - 6271991年-

Dynamic observation of Si(111) surface using a fast scanning tunneling microscope

S. Hosaka, T. Hasegawa, S. Hosoki and K. Takata

Appl. Phys. Lett.57p.138 - 1401990年07月-

DOI

Fast scanning tunneling microscope for dynamic observation

S. Hosaka, T. Hasegawa, S. Hosoki and K. Takata

Rev. Sci. Instrum.61p.1342 - 13431990年04月-

DOI

Au-induced reconstructions of the Si(111) surface

T. Hasegawa, K. Takata, S. Hosaka and S. Hosoki

J. Vac. Sci. Technol.A8p.241 - 2441990年01月-

DOI

Tunneling barrier height imaging and polycrystalline Si surface observations

S. Hosaka, K. Sagara, T. Hasegawa, K. Takata and S. Hosoki

J. Vac. Sci. Technol.A8p.270 - 2741990年01月-

DOI

STMを用いたTBI法による不純物濃度分布の観察

保坂純男,相良和彦,長谷川剛,細木茂行

Hitachi Scientific Instrument News55(3)p.3109 - 31121990年-

Tunneling acoustic microscope

K. Takata, J. Yugami, T. Hasegawa, S. Hosaka, S. Hosoki and T. Komoda

Jpn. J. Appl. Phys.28p.L2279 - L22801989年12月-

Tunneling acoustic microscope

K. Takata, T. Hasegawa, S. Hosaka, S. Hosoki and T. Komoda

Appl. Phys. Lett.55p.1718 - 17201989年10月-

DOI

STMによる表面欠陥の観察

細木茂行、保坂純男、高田啓二、長谷川剛、野村節生

表面科学10(3)p.156 - 1611989年-

STMの高性能化と先端プロセスへの応用

保坂純男,細木茂行,長谷川剛,高田啓二

真空32(7)p.16 - 231989年-

Epitaxy of Au and Ag on cleaved (10,0) surface of MoS2

N. Ikarashi, K. Kobayashi, T. Hasegawa and K. Yagi

Jpn. J. Appl. Phys.27p.L750 - L7521988年05月-

DOI

Profile and plan-view imaging of reconstructed surface structures of gold

N. Ikarashi, K. Kobayashi, H. Koike, T. Hasegawa and K. Yagi

Ultramicroscopy26p.195 - 2031988年-

DOI

走査型トンネル顕微鏡(STM)とその画像

細木茂行,保坂純男,高田啓二,野村節男,長谷川剛

電子情報通信学会誌88(11)p.21 - 261988年-

Atomic Resolution TEM Images of the Au(001) Reconstructed Surface

T. Hasegawa, K. Kobayashi, N. Ikarashi, K. Takayanagi and K. Yagi

Jpn. J. Appl. Phys.25p.L366 - L3681986年05月-

DOI

High resolution profile images of the reconstructed structures of Au(001), (110) and (111) surfaces

T. Hasegawa, N. Ikarashi, K. Kobayashi, K. Takayanagi and K. Yagi

Proc. XIth Int. Cong. on Electron Microscopy, Kyotop.1345 - 13461986年-

書籍等出版物

「環境・エネルギー材料ハンドブック」、材料編第9章9.1「原子スイッチ材料」、pp. 567-571

長谷川剛

オーム社2011年-

'Nanoionics and its device applications’, The Oxford Handbook of NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY Vol.3: Applications (A. V. Narlikar & Y. Y. Fu), pp. 294-311

T. Hasegawa, K. Terabe, T. Sakamoto, and M. Aono

Oxford University Press2010年-

「超分子サイエンス&テクノロジー」、第3章・第2節・12「原子スイッチ」

長谷川剛

NTS出版2009年-

「走査プローブ顕微鏡」、第14章「原子•分子操作」、pp. 412-417.

大川祐司、長谷川剛、青野正和、

共立出版2009年-

「ナノプローブ加工技術を用いたナノイオニクス素子の開発」、ナノイオニクス—最新技術とその展望—、pp.268-276

寺部一弥、長田実、長谷川剛

シーエムシー出版2008年-

「原子スイッチ」、ナノテクノロジーハンドブック、pp.150-154

長谷川剛

オーム社2003年-

「原子スイッチ」、ナノテクノロジー大辞典、pp.234-240

長谷川剛

工業調査会2003年-

「点接触導電体」、ナノテクノロジー大辞典、pp.67-74

塚本茂、長谷川剛

工業調査会2003年-

「原子スイッチ」、ナノテクノロジー最前線(塚田捷、河津璋)、 pp. 83-87

青野正和,寺部一弥,長谷川剛,中山知信,

東京教育情報センター2002年-

「STS」、半導体計測評価事典(高柳邦夫、田島道夫、松井純爾)、pp. 331-334、

細木茂行、長谷川剛、

サイエンスフォーラム1994年-

外部研究資金

科学研究費採択状況

研究種別:基盤研究(B)

原子圧縮制御型分子シナプス素子の開発

2017年04月-2020年03月

研究分野:薄膜・表面界面物性

配分額:¥18070000

研究種別:新学術領域研究(研究領域提案型)

分子被覆硫化銀微粒子による綱引きモデル型情報処理の基本動作実証

2016年04月-2018年03月

配分額:¥5720000

研究種別:挑戦的萌芽研究

電気化学ポテンシャルを利用した原子単位でのドーパント数制御技術の開発

2016年04月-2018年03月

研究分野:薄膜・表面界面物性

配分額:¥3770000

研究種別:

分子・原子の協働による新しい情報処理システム

2014年-0月-2016年-0月

配分額:¥5720000

研究種別:

原子移動型素子を用いたニューロン動作に関する研究

2012年-0月-2015年-0月

配分額:¥20540000

研究種別:

原子スイッチの多機能化に関する研究

配分額:¥19240000

研究種別:

ナノプローブ加工技術を用いたナノイオニクス素子の開発

配分額:¥53900000

研究種別:

原子圧縮制御型分子シナプス素子の開発

2017年-0月-2020年-0月

配分額:¥18070000

研究種別:

電気化学ポテンシャルを利用した原子単位でのドーパント数制御技術の開発

2016年-0月-2018年-0月

配分額:¥3770000

研究種別:

分子被覆硫化銀微粒子による綱引きモデル型情報処理の基本動作実証

2016年-0月-2018年-0月

配分額:¥5720000

研究資金の受入れ状況

提供機関:NEDO制度名:IoT推進のための横断技術開発プロジェクト 研究代表者:秋永広幸実施形態:受託研究

超高速・低消費電力ビッグデータ処理を実現・利活用する脳型推論集積システムの研究開発2016年06月-

代表

提供機関:NEDO制度名:エネルギー・環境新技術先導プログラム 研究代表者:秋永広幸実施形態:受託研究

ビッグデータ処理を加速・利活用する脳型推論システムの研究開発2016年01月-2017年01月

代表

提供機関:科学技術振興機構制度名:戦略的国際科学技術協力推進事業 日英研究交流

不揮発性アトムトランジスタを用いた低消費ロジックシステム2011年05月-2014年03月

代表

提供機関:村田学術振興財団制度名:研究助成

原子移動型素子を用いたニューロン動作に関する研究2011年-2012年

代表

提供機関:科学技術振興機構制度名:戦略的創造研究推進事業(CREST)

3端子型原子移動不揮発性デバイス「アトムトランジスター」の開発2009年10月-2015年03月

代表

提供機関:科学技術振興機構制度名:戦略的国際科学技術協力推進事業 日独研究交流

固体電解質原子スイッチ動作における電荷移動と交換に関する研究2008年10月-2012年03月

代表

提供機関:文部科学省制度名:キーテクノロジー研究開発の推進「ナノテクノロジー・材料を中心とした癒合新分野研究開発」 研究代表者:青野正和

原子スイッチを用いた次世代プログラマブル論理演算デバイスの開発2005年08月-2010年03月

分担

提供機関:三菱財団自然科学研究助成

固体電解質ナノスイッチを用いた学習機能回路の研究2005年-2006年

代表

提供機関:科学技術振興機構制度名:戦略的創造研究推進事業 ICORPタイプ 研究代表者:青野正和

ナノ量子導体アレープロジェクト2003年03月-2008年03月

分担

提供機関:科学技術振興機構制度名:基礎的研究発展推進事業(SORST) 研究代表者:青野正和

新しい量子効果スイッチの機能素子化2001年04月-2005年03月

分担

提供機関:新技術事業団制度名:戦略的基礎研究推進事業(CREST) 研究代表者:青野正和

人工ナノ構造の機能探索プロジェクト1999年04月-2000年03月

分担

学内研究制度

特定課題研究

原子圧縮制御型分子シナプス素子の開発

2020年度

研究成果概要:素子機能を利用したスパイクタイミング依存可塑性とその応用に関する研究を行った。金属イオンの拡散とその酸化還元反応を利用してナノギャップ中に金属原子を析出させるギャップ型原子スイッチでは、印加電圧のオンオフに伴い電極内の金属イオンが...素子機能を利用したスパイクタイミング依存可塑性とその応用に関する研究を行った。金属イオンの拡散とその酸化還元反応を利用してナノギャップ中に金属原子を析出させるギャップ型原子スイッチでは、印加電圧のオンオフに伴い電極内の金属イオンが行きつ戻りつする。電極表面直下の金属イオン濃度が臨界値に達すると金属原子の析出が始まることから、パルス電圧印加間隔に依存して析出量が決まることが期待された。この特性を利用すれば生体シナプスにおける特徴的な機能「スパイクタイミング依存可塑性」を再現できると考え、シナプス素子構造を試作し、パルス印加実験を行った。その結果、基本的な動作実証に成功した。

単一イオン輸送制御とその情報処理応用に関する基礎研究

2015年度

研究成果概要:本研究では、単一イオン輸送制御とその情報処理応用を目指して、イオンの供給源となるナノドットの作製手法の開発を行った。具体的には、ナノ球リソグラフィー法を用いたイオン伝導体ナノドットを作製するプロセスを確立した。本研究では、単一イオン輸送制御とその情報処理応用を目指して、イオンの供給源となるナノドットの作製手法の開発を行った。具体的には、ナノ球リソグラフィー法を用いたイオン伝導体ナノドットを作製するプロセスを確立した。

単一イオン輸送制御とその情報処理応用に関する基礎研究

2015年度

研究成果概要:本研究では、単一イオン輸送制御とその情報処理応用を目指して、ナノ球リソグラフィーを用いた固体電解質ナノドットの作製と、同ナノドットからのイオン取り出し実験を行った。その結果、電位制御によるイオン取り出しとその輸送が可能であることを...本研究では、単一イオン輸送制御とその情報処理応用を目指して、ナノ球リソグラフィーを用いた固体電解質ナノドットの作製と、同ナノドットからのイオン取り出し実験を行った。その結果、電位制御によるイオン取り出しとその輸送が可能であることを示唆する実験結果が得られた。

幅広い抵抗領域で連続的に変化するシナプス動作素子の開発

2016年度

研究成果概要:金属酸化物系材料を主材料とするギャップ型原子スイッチを実現し、半導体回路との集積化を可能とすることで、脳型情報処理技術の飛躍的な発展に資することを目的として研究を行った。金属酸化物として酸化タンタルを用い、析出・固溶金属として銀お...金属酸化物系材料を主材料とするギャップ型原子スイッチを実現し、半導体回路との集積化を可能とすることで、脳型情報処理技術の飛躍的な発展に資することを目的として研究を行った。金属酸化物として酸化タンタルを用い、析出・固溶金属として銀および銅を用いて試料を作製した。原子間力顕微鏡を用いてスイッチング動作の基本現象である金属原子の析出と固溶の制御が可能であることを確認した。さらに、ギャップ層として有機分子薄膜を用いて素子構造を作製し、その素子動作の実証実験を行った。その結果、硫化物を用いた従来型のギャップ型原子スイッチと同等の素子動作を実現することができた。以上により、本研究の目的をすべて達成することができた。

現在担当している科目

科目名開講学部・研究科開講年度学期
物理学I (長谷川・松永)法学部2021春学期
基礎物理学B 基幹 (物理未履修者用クラス)基幹理工学部2021秋学期
理工学基礎実験1A Iブロック基幹理工学部2021春学期
理工学基礎実験1A Iブロック創造理工学部2021春学期
理工学基礎実験1A Iブロック先進理工学部2021春学期
理工学基礎実験1B Iブロック基幹理工学部2021秋学期
理工学基礎実験1B Iブロック創造理工学部2021秋学期
理工学基礎実験1B Iブロック先進理工学部2021秋学期
物理入門 (応物)先進理工学部2021春学期
物理入門 (物理)先進理工学部2021春学期
物理入門 (応物) 【前年度成績S評価者用】先進理工学部2021春学期
物理入門 (物理) 【前年度成績S評価者用】先進理工学部2021春学期
応用物理学実験B先進理工学部2021通年
物理実験B先進理工学部2021通年
応用物理学実験B 【前年度成績S評価者用】先進理工学部2021通年
物理実験B  【前年度成績S評価者用】先進理工学部2021通年
卒業研究先進理工学部2021通年
卒業研究【前年度成績S評価者用】先進理工学部2021通年
物理実験学先進理工学部2021春学期
物理実験学先進理工学部2021春学期
卒業研究先進理工学部2021通年
卒業研究  【前年度成績S評価者用】先進理工学部2021通年
応用物理学実験A先進理工学部2021通年
応用物理学実験A  【前年度成績S評価者用】先進理工学部2021通年
Graduation Thesis A (Physics)先進理工学部2021秋学期
Graduation Thesis A (Physics) [S Grade]先進理工学部2021秋学期
Graduation Thesis A (Applied Physics)先進理工学部2021秋学期
Graduation Thesis A (Applied Physics) [S Grade]先進理工学部2021秋学期
Graduation Thesis B (Physics)先進理工学部2021春学期
Graduation Thesis B (Physics) [S Grade]先進理工学部2021春学期
Graduation Thesis B (Applied Physics)先進理工学部2021春学期
Graduation Thesis B (Applied Physics) [S Grade]先進理工学部2021春学期
Scientific Research先進理工学部2021春学期
Current Topics in Physics先進理工学部2021秋学期
Current Topics in Physics先進理工学部2021秋学期
Current Topics in Physics先進理工学部2021秋学期
Current Topics in Physics [S Grade]先進理工学部2021秋学期
Graduation Thesis Spring先進理工学部2021春学期
Graduation Thesis Fall先進理工学部2021秋学期
Problem Solving in Fundamental Physics B先進理工学部2021秋学期
Exercises for Fundamental Physics B先進理工学部2021秋学期
Physics Laboratory先進理工学部2021秋学期
総合ナノ理工学特論大学院基幹理工学研究科2021春学期
総合ナノ理工学特論大学院創造理工学研究科2021春学期
総合ナノ理工学特論大学院先進理工学研究科2021春学期
総合ナノ理工学特論大学院先進理工学研究科2021春学期
Research on Surface and Interface Non-equilibrium Physics大学院先進理工学研究科2021通年
表面・界面非平衡物理学研究大学院先進理工学研究科2021通年
Surface and Interface Physics大学院先進理工学研究科2021秋学期
表面・界面物理学特論大学院先進理工学研究科2021秋学期
Seminar on Surface and Interface Non-equilibrium Physics A大学院先進理工学研究科2021春学期
表面・界面非平衡物理学演習A大学院先進理工学研究科2021春学期
Seminar on Surface and Interface Non-equilibrium Physics B大学院先進理工学研究科2021秋学期
表面・界面非平衡物理学演習B大学院先進理工学研究科2021秋学期
Research on Electrochemical Computing大学院先進理工学研究科2021通年
電気化学コンピューティング研究大学院先進理工学研究科2021通年
Seminar on Electrochemical Computing A大学院先進理工学研究科2021春学期
電気化学コンピューティング演習A大学院先進理工学研究科2021春学期
Seminar on Electrochemical Computing B大学院先進理工学研究科2021秋学期
電気化学コンピューティング演習B大学院先進理工学研究科2021秋学期
Seminar on Electrochemical Computing C大学院先進理工学研究科2021春学期
電気化学コンピューティング演習C大学院先進理工学研究科2021春学期
Seminar on Electrochemical Computing D大学院先進理工学研究科2021秋学期
電気化学コンピューティング演習D大学院先進理工学研究科2021秋学期
表面・界面非平衡物理学研究大学院先進理工学研究科2021通年
電気化学コンピューティング研究大学院先進理工学研究科2021通年