ホンマ タカユキ
教授 (https://researchmap.jp/read0030099)
(先進理工学部)
理工学術院(大学院先進理工学研究科)
研究所員 2010年-2014年
兼任研究員 1989年-2006年
研究所員 2010年-2013年
研究所員 2007年-2011年
研究所員 2014年-2014年
研究所員 2007年-2014年
研究所員 2007年-2014年
研究所員 2014年-2014年
研究所員 2015年-
研究所員 2015年-
兼任研究員 2017年-2018年
研究所員 2018年-
兼任研究員 2006年-2018年
兼任研究員 2018年-
研究所員 2015年-2019年
研究所員 2019年-
研究所員 2015年-2018年
-1992年 | 早稲田大学 理工学研究科 応用化学専攻 |
博士(工学) 課程 早稲田大学
日本化学会 化学教育協議会 副議長
電気化学会 常任理事
表面技術協会 常任理事
エレクトロニクス実装学会 理事
応用物理学会
電気学会
日本磁気学会
米国電気化学会 会誌"The Journal of the Electrochemical Society" 編集委員
国際電気化学会 第5部門部門長
2015年03月
2012年03月
2010年10月
2000年09月
1999年03月
1999年04月
1991年03月
総合理工 / ナノ・マイクロ科学 / ナノマイクロシステム
化学 / 複合化学 / 機能物性化学
工学 / 電気電子工学 / 電子デバイス・電子機器
シーズ分野:ナノ・材料
シーズ分野:ナノ・材料
シーズ分野:ナノ・材料
研究テーマのキーワード:機能材料,電気化学
国際共同研究
研究テーマのキーワード:シリコンデバイスプロセス,表面化学
国際共同研究
研究テーマのキーワード:その場観察,SPM
国内共同研究
個人研究
個人研究
個人研究
個人研究
M. Kunimoto, F. Yamaguchi, M. Yanagisawa, T. Homma
J. Electrochem. Soc.査読有り166(6)p.D212 - D2172019年-
掲載種別:研究論文(学術雑誌)
T. Fujimura, W. Hikima, Y. Fukunaka, T. Homma
Electrochem. Commun.査読有り101p.43 - 462019年-
Y. Ma, A. Ido, K. Yasuda, R. Hagiwara, T. Homma, T. Nohira
J. Electochem. Soc.査読有り166(6)p.D162 - D1672019年-
S. Ge, Q. Lin, S. Wodarz, M. Kambe, T. Homma, G. Zangari
Electrochim. Acta査読有り302p.92 - 1012019年-
T. Otani, T. Yasuda, M. Kunimoto, M. Yanagisawa, Y. Fukunaka, T. Homma
Electrochim. Acta査読有り305p.90 - 1002019年-
Y. Onabuta, M. Kunimoto, H. Nakai, T. Homma
Electrochim. Acta査読有り307p.536 - 5422019年-
B. Chmielowiec, T. Fujimura, T. Otani, K. Aoyama, T. Nohira, T. Homma, Y. Fukunaka, A. Allanore
J. Electrochem. Soc.査読有り166(10)p.E323 - E3292019年-
Homma, Takayuki; Homma, Takayuki; Kato, Akira; Kunimoto, Masahiro; Yanagisawa, Masahiro
Electrochemistry Communications88p.34 - 382018年03月-2018年03月
ISSN:13882481
概要:© 2018 In this work, the behavior of an additive designed to aid electrodeposition in through-silicon via (TSV) structures is monitored directly using surface enhanced Raman spectroscopy (SERS). A horizontal via structure with a transparent ceiling (corresponding to the side wall of the TSV) was prepared, which allowed the probe laser to reach the bottom of the structure (corresponding to the opposite side of the TSV wall). Au nanoparticles of size ~5 nm deposited on the bottom of the structure produced a SERS effect and enhanced the Raman signals of chemical species migrating nearby. The diffusion behavior of the additive inside the via structure could be monitored with high sensitivity by detecting these enhanced signals. As a case study, this direct measurement method was successfully used to follow the diffusion of a small amount of Janus Green B, a common additive for Cu electrodeposition. The diffusion coefficient of the additive determined by these measurements turned out to be different to that estimated electrochemically on flat electrodes. One of the advantages of our direct measurement setup is the ability to exclude the undesirable environmental changes that often occur in electrochemical measurements.
Wodarz, Siggi; Hashimoto, Shogo; Kambe, Mana; Zangari, Giovanni; Homma, Takayuki
IEEE Transactions on Magnetics54(2)2018年02月-2018年02月
ISSN:00189464
概要:© 1965-2012 IEEE. FeCuPt nanodot arrays were fabricated by electrodeposition onto a nanopore patterned substrate fabricated by electron beam lithography (EBL), for the purpose to manufacture and characterize model bit-patterned media. Addition of Cu to FePt was carried out to accelerate the phase transformation of FePt into the L1 0 -ordered phase in order to fabricate nanodot arrays with hard and uniform magnetic properties. Composition of the FeCuPt ternary alloy films was optimized by varying applied potential and CuSO 4 concentration to form single L1 0 phase (40-50 at% Pt and 25 at% Cu). Annealing at 450 °C resulted in the phase transformation from fcc to L1 0 in FeCuPt ternary alloy films, whereas FePt binary alloy films did not show a phase transformation. Perpendicular coercivities of FeCuPt and FePt were 6 and 1 kOe, respectively, annealing at 450 °C, indicating the formation of the L1 0 phase with lower annealing temperature by Cu incorporation. FeCuPt nanodot arrays with 20 nm in diameter and 35 nm in pitch were successfully fabricated with the nanopore patterned substrate fabricated by EBL. In addition, cross-sectional transmission electron microscope analysis of FeCuPt nanodot arrays showed clear stacking of the L1 0 (111) lattice in a perpendicular direction through the growth direction having a single crystal nature, whereas phase transformation was insufficient with FePt nanodot arrays. The collective results have successfully demonstrated the electrochemical fabrication of ultra-fine FePt nanodot arrays with L1 0 structure by promoting L1 0 ordering with Cu additions.
Zhong, Ming; Yang, Xiao; Yasuda, Kouji; Yasuda, Kouji; Homma, Takayuki; Nohira, Toshiyuki
Metallurgical and Materials Transactions B: Process Metallurgy and Materials Processing Science49(1)p.341 - 3482018年02月-2018年02月
ISSN:10735615
概要:© 2017, The Minerals, Metals & Materials Society and ASM International. The effect of adding Si powder/granules on the electrochemical reduction rate of SiO 2 granules in molten CaCl 2 was investigated. Various starting materials were prepared by mixing different amounts (up to 80 mass pct) of Si powder/granules (four different sizes: < 5, 20 to 100, 100 to 250 µm, 0.5 to 1.0 mm) with SiO 2 granules, with these materials then being electrochemically reduced for 20 minutes in molten CaCl 2 at 0.6 V vs Ca 2+ /Ca and a temperature of 1123 K (850 °C). The effects of the size and amount of Si added on the reaction rates were then studied. When the size of the Si powder added is less than 5 µm, the reaction rate decreases as more Si is added. When Si with a size of 20 to 100 or 100 to 250 µm is used, the reaction rate does not change substantially with the amount added. When 0.5 to 1.0 mm Si is used, the reduction rate is the largest when 40 mass pct Si is added. The reduction rate is influenced by the reaction surface and the diffusion of O 2− ions in the mixture.
Y. Tsuyuki, H. Takai, Y. Fukunaka, T. Homma
Jpn. J. Appl. Phys.(57)p.08RB11 2018年-
Y. Tsuyuki, T. Fujimura, M. Kunimoto, Y. Fukunaka, P. Pianetta, T. Homma
J. Electrochem. Soc. (164(14))p.D994 - D9982018年-
M. Kunimoto, D. Bothe, R. Tamura, T. Oyanagi, Y. Fukunaka, H. Nakai, T. Homma
J. Phys. Chem. C(122)p.10423 - 104292018年-
T. Homma, A. Kato, M. Kunimoto, M. Yanagisawa
Electrochem. Commun.(88)p.34 - 382018年-
T. Homma, M. Kunimoto, M. Sasaki, T. Hanai, M. Yanagisawa
J. Appl. Electrochem.(48)p.561 - 5672018年-
Homma, Takayuki; Homma, Takayuki; Kunimoto, Masahiro; Sasaki, Moe; Hanai, Tomoya; Yanagisawa, Masahiro
Journal of Applied Electrochemistryp.1 - 72017年12月-2017年12月
ISSN:0021891X
概要:© 2017 Springer Science+Business Media B.V., part of Springer Nature Abstract: In this work, we developed a precise approach to analyze local proton concentration at the solid/liquid interface of electrodes, i.e. “surface pH”, during electrochemical reactions. For this, surface enhanced Raman spectroscopy (SERS) was applied to analyze pH-dependent structural changes of the –COOH group of p-mercaptobenzoic acid (p-MBA) modified onto Au nanoparticles (NPs) on the substrate close to a working electrode. Measurements using this system identified deprotonation of –COOH of p-MBA. Since preliminary experiments and density functional theory calculations suggest that the pKa of p-MBA attached to Au NPs is close to that in bulk solution, the SERS results indicate pH increase due to proton consumption by the cathodic overpotential of the working electrode. As an example, we applied this system to surface pH monitoring in electrodeposition process of Ni in an acidic bath, which indicated the validity of our method for precise detection of pH changes at electrode interfaces in situ. Graphical Abstract: [Figure not available: see fulltext.]
Sun, Yingying; Yanagisawa, Masahiro; Kunimoto, Masahiro; Nakamura, Masatoshi; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Spectrochimica Acta - Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy184p.1 - 62017年09月-2017年09月
ISSN:13861425
概要:© 2017 Elsevier B.V. The internal structure of self-assembled monolayers (SAMs) such as 3-aminopropyltriethoxysilane (APTES) fabricated on a glass substrate is difficult to characterize and analyze at nanometer level. In this study, we employed surface-enhanced Raman spectroscopy (SERS) to study the internal molecular structure of APTES SAMs. The sample APTES SAMs were deposited with Ag nanoparticles to enhance the Raman signal and to obtain subtler structure information, which were supported by density functional theory calculations. In addition, in order to carry out high-resolution analysis, especially for vertical direction, a fine piezo electric positioner was used to control the depth scanning with a step of 0.1 nm. We measured and distinguished the vertical Raman intensity variations of specific groups in APTES, such as Ag/NH 2 , CH 2 , and Si[sbnd]O, with high resolution. The interfacial bond at the two interfaces of Ag-APTES and APTES-SiO 2 was identified. Moreover, APTES molecule orientation was demonstrated to be inhomogeneous from frequency shift.
Otani, Tomohiro; Fukunaka, Yasuhiro; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Electrochimica Acta242p.364 - 3722017年07月-2017年07月
ISSN:00134686
概要:© 2017 Elsevier Ltd Effects of Pb and Sn additives on electrodeposition of Zn were investigated for the applications in Zn secondary battery, focused on their roles on morphological evolution. Similarly to well-known effect of Pb addition to smoothly electrodeposit Zn film surface, Sn also exhibited to suppress the formation of mossy structures, which were highly filamentous Zn electrodeposits to cause frequently battery failure. Pb significantly shifted deposition potential of Zn to negative value at concentration less than 1.0 mmol dm −3 , while Sn showed no substantial effect even at 50 mmol dm −3 . The morphological evolution analysis demonstrated that the addition of 1.0 mmol dm −3 Pb significantly altered nucleation behavior of Zn at initial stages of deposition; stacking of layer-like structures (microsteps) were altered to discrete and uniform nuclei of Zn preferentially oriented to (002) direction. In contrast, with Sn additive, morphological features at the initial stage of deposition were similar to that without additive. However, microsteps evolution was gradually suppressed and relatively strong (002) texture of electrodeposited Zn was mitigated by Sn addition. These results suggested that the beneficial roles of Pb and Sn addition on Zn morphological evolution were ascribed to different reasons; Pb diminished the active growth sites of Zn surface by suppressing the deposition reaction of Zn, while Sn suppressed microsteps evolution by different texture evolution of Zn.
Kobayashi, Maho; Susuki, Kyoka; Otani, Tomohiro; Enomoto, Shinpei; Otsuji, Haruo; Kuroda, Yoshiyuki; Wada, Hiroaki; Shimojima, Atsushi; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki; Kuroda, Kazuyuki; Kuroda, Kazuyuki
Nanoscale9(24)p.8321 - 83292017年06月-2017年06月
ISSN:20403364
概要:© 2017 The Royal Society of Chemistry. The thickness of 3-dimensional (3D) mesoporous silica ultrathin films was controlled at a single-nanometer scale by wet-etching. A drop casting method with an aqueous etchant of ammonium fluoride was effective in etching the surfaces of films in the direction perpendicular to their substrates. The decrease in the film thickness depends on the interface tension of etching solutions. The wettability of thin films also influences the etching. CoPt nanodots were electrodeposited within ultrathin silica films on Ru substrates to form CoPt nanodot patterns.
Wodarz, Siggi; Hasegawa, Takashi; Ishio, Shunji; Homma, Takayuki
Journal of Magnetism and Magnetic Materials430p.52 - 582017年05月-2017年05月
ISSN:03048853
概要:© 2017 Elsevier B.V. CoPt nanodot arrays were fabricated by combining electrodeposition and electron beam lithography (EBL) for the use of bit-patterned media (BPM). To achieve precise control of deposition uniformity and coercivity of the CoPt nanodot arrays, their crystal structure and magnetic properties were controlled by controlling the diffusion state of metal ions from the initial deposition stage with the application of bath agitation. Following bath agitation, the composition gradient of the CoPt alloy with thickness was mitigated to have a near-ideal alloy composition of Co:Pt =80:20, which induces epitaxial-like growth from Ru substrate, thus resulting in the improvement of the crystal orientation of the hcp (002) structure from its initial deposition stages. Furthermore, the cross-sectional transmission electron microscope (TEM) analysis of the nanodots deposited with bath agitation showed CoPt growth along its c-axis oriented in the perpendicular direction, having uniform lattice fringes on the hcp (002) plane from the Ru underlayer interface, which is a significant factor to induce perpendicular magnetic anisotropy. Magnetic characterization of the CoPt nanodot arrays showed increase in the perpendicular coercivity and squareness of the hysteresis loops from 2.0 kOe and 0.64 (without agitation) to 4.0 kOe and 0.87 with bath agitation. Based on the detailed characterization of nanodot arrays, the precise crystal structure control of the nanodot arrays with ultra-high recording density by electrochemical process was successfully demonstrated.
Singh, Andy; Luening, Katharina; Brennan, Sean; Homma, Takayuki; Kubo, Nobuhiro; Nowak, Stanisław H.; Pianetta, Piero
Journal of Synchrotron Radiation24(1)p.283 - 2872017年01月-2017年01月
ISSN:09090495
概要:© 2017 International Union of Crystallography.Total reflection X-ray fluorescence (TXRF) analysis is extensively used by the semiconductor industry for measuring trace metal contamination on silicon surfaces. In addition to determining the quantity of impurities on a surface, TXRF can reveal information about the vertical distribution of contaminants by measuring the fluorescence signal as a function of the angle of incidence. In this study, two samples were intentionally contaminated with copper in non-deoxygenated and deoxygenated ultrapure water (UPW) resulting in impurity profiles that were either atomically dispersed in a thin film or particle-like, respectively. The concentration profile of the samples immersed into deoxygenated UPW was calculated using a theoretical concentration profile representative of particles, yielding a mean particle height of 16.1 nm. However, the resulting theoretical profile suggested that a distribution of particle heights exists on the surface. The fit of the angular distribution data was further refined by minimizing the residual error of a least-squares fit employing a model with a Gaussian distribution of particle heights about the mean height. The presence of a height distribution was also confirmed with atomic force microscopy measurements.
Sun, Yingying; Yanagisawa, Masahiro; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Electrochemistry85(4)p.195 - 1982017年01月-2017年01月
ISSN:13443542
概要:© The Electrochemical Society of Japan, All rights reserved.The thermal stability of graphene has a close relationship with defect generation, thermal oxidation, which in turn have a significant bearing on its properties and applications. This report discusses the effect of confocal laser heating on the structure of single-layer graphene (SLG) on the basal plane and the edge. The thermal stability of SLG basal plane and edge was demonstrated to be different by using in situ anti-Stokes and Stokes Raman spectroscopy. The basal plane was found to be unstable above 500°C, while the edge could not endure even 220°C. The variation in the intensity of D, G, and 2D peaks and the intensity ratios of I(D)/I(G) and I(2D)/I(G) indicated that the thermal instability started with defect generation at the basal plane. The initial point defects at edge were partially eliminated at low temperature and generated again at temperatures above 220°C.
K. Yasuda, T. Shimano, R. Hagiwara, T. Homma, T. Nohira
J. Electrochem. Soc.(164)p.H5049 - H50562017年-
Y. Sun, M. Yanagisawa, M. Kunimoto, M. Nakamura, T. Homma
Spectrochim. Acta(Part A)p.431062017年-
Y. Tsuyuki, T. Fujimura, M. Kunimoto, Y. Fukunaka, P. Pianetta, T. Homma
J. Electrochem. Soc.(164)p.D994 - 9982017年-
Y. V. Akash, M. Mimura, Y. Kunimoto, Y. Fukunaka, T. Homma
ECS Trans.(80)p.1441 - 14462017年-
神戸茉奈, ヴォダルツジギー, 橋本尚吾, G. Zangari, 本間敬之
信学技報(117)p.431052017年-
M. Kobayashi, K. Susuki, T. Otani, S. Enomoto, H. Otsuji, Y. Kuroda, H. Wada, A. Shimojima, T. Homma, K. Kuroda
Nanoscale(9)p.8321 - 83292017年-
T. Otani, Y. Fukunaka, T. Homma
Electrochim. Acta(242)p.364 - 3722017年-
Y. Sun, M. Yanagisawa, T. Homma
Electrochemistry(85)p.195 - 1982017年-
S. Wodarz, T. Hasegawa. S. Ishio, T. Homma
J. Mag. Mag. Mat.(430)p.52 - 582017年-
Singh, Andy;Luening, Katharina;Brennan, Sean;Homma, Takayuki;Kubo, Nobuhiro;Nowak, Stanislaw H.;Pianetta, Piero
JOURNAL OF SYNCHROTRON RADIATION24p.283 - 2872017年-2017年
ISSN:1600-5775
SUN Yingying;YANAGISAWA Masahiro;HOMMA Takayuki
電気化学および工業物理化学85(4)p.195 - 1982017年-2017年
ISSN:1344-3542
概要:The thermal stability of graphene has a close relationship with defect generation, thermal oxidation, which in turn have a significant bearing on its properties and applications. This report discusses the effect of confocal laser heating on the structure of single-layer graphene (SLG) on the basal plane and the edge. The thermal stability of SLG basal plane and edge was demonstrated to be different by using in situ anti-Stokes and Stokes Raman spectroscopy. The basal plane was found to be unstable above 500°C, while the edge could not endure even 220°C. The variation in the intensity of D, G, and 2D peaks and the intensity ratios of I(D)/I(G) and I(2D)/I(G) indicated that the thermal instability started with defect generation at the basal plane. The initial point defects at edge were partially eliminated at low temperature and generated again at temperatures above 220°C.
柳沢 雅広;齋藤 美紀子;國本 雅宏;本間 敬之
表面科学学術講演会要旨集37(0)2017年-2017年
概要:ラマン散乱分光法は非破壊で動的な化学構造の変化を測定することができる.また高速での測定も可能なのでさまざまな外部入力と同時に測定することもできる.本報告では,摺動時の摩擦力などの機械物性とラマンスペクトルを高速で同時測定を行った結果を紹介する.
Yanagisawa, Masahiro; Saito, Mikiko; Kunimoto, Masahiro; Homma, Takayuki
Applied Physics Express9(12)2016年12月-2016年12月
ISSN:18820778
概要:© 2016 The Japan Society of Applied Physics.We present a novel optical device for the analysis of chemical surface properties utilizing surface-enhanced Raman scattering. The device, a transmission-type plasmonic sensor (TPS), offers the advantages of high sensitivity, nondestructive sample characterization, simple setup, and low-cost fabrication. The TPS is composed of Ag nanoparticles (NPs) deposited on a convex quartz glass substrate. The enhanced Raman spectrum is acquired by focusing a laser beam perpendicular to the sample surface through the substrate. The laser beam generates plasmon polarization in droplet-shaped Ag NPs at the sensor/sample interface. Our results indicate the potential of the device as a versatile surface-analytical tool.
Yanagisawa Masahiro;Saito Mikiko;Kunimoto Masahiro;Homma Takayuki
Appl. Phys. Express9(12)2016年11月-2016年11月
ISSN:1882-0778
概要:We present a novel optical device for the analysis of chemical surface properties utilizing surface-enhanced Raman scattering. The device, a transmission-type plasmonic sensor (TPS), offers the advantages of high sensitivity, nondestructive sample characterization, simple setup, and low-cost fabrication. The TPS is composed of Ag nanoparticles (NPs) deposited on a convex quartz glass substrate. The enhanced Raman spectrum is acquired by focusing a laser beam perpendicular to the sample surface through the substrate. The laser beam generates plasmon polarization in droplet-shaped Ag NPs at the sensor/sample interface. Our results indicate the potential of the device as a versatile surface-analytical tool.
Hayashi, T.; Nagayoshi, K.; Muramatsu, H.; Yamasaki, N. Y.; Mitsuda, K.; Saito, M.; Homma, T.; Hara, T.; Noda, H.
Journal of Low Temperature Physics184(1-2)p.257 - 2622016年07月-2016年07月
ISSN:00222291
概要:© 2016, The Author(s).We report the fabrication and evaluation of the Cu/Bi bilayer absorber with electrodeposition. We designed the Cu/Bi absorber to satisfy the requirements for scanning transmission electron microscope (STEM). The residual resistivity ratios of films of Cu and Bi with electrodeposition was 5.91 ± 0.49 and 2.06 ± 0.33 , respectively; these values are sufficient for the requirements of STEM. We found that the Cu/Bi bilayer absorber TES microcalorimeter experienced a pulse-shape variation and we considered that these variations were caused by the quality of the contact surface between the absorber and TES. In addition, we examined the structure of the absorber using focus ion beam analysis and STEM. The results suggest that an oxidation between the Cu and seed layer, in which the layer is an electrode for electrodeposition, yielded variations. Moreover, thermal simulation suggests that the thermal conduction between the absorber and TES caused variations. The results of this study will improve the process of Bi electrodeposition.
Otani, Tomohiro; Nagata, Masato; Fukunaka, Yasuhiro; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Electrochimica Acta206p.366 - 3732016年07月-2016年07月
ISSN:00134686
概要:© 2016 Elsevier Ltd. All rights reserved.The morphological evolution of zinc during electrodeposition from an alkaline zincate solution, i.e., corresponding to charging operation in secondary zinc batteries, was investigated. The initiation and propagation of mossy structures were particularly focused; mossy structures represent one of the undesired, irregular morphologies at low cathodic overpotential. Scanning electron microscopy observations showed that mossy structures formed transiently from layer-like morphology followed by the formation of protrusions with a size of submicrometers. These protrusions still exhibited layer-like features in the initial stage. In addition to this transition behavior, the propagation of mossy structures was monitored in situ by optical microscopy. At -5.0 mA cm-2, mossy structures formed successively and propagated, while there was no clear change in layer-like morphology during deposition outside these characteristic structures. At -20 mA cm-2, the layer-like growth proceeded for longer duration and the population of the mossy structures apparently decreased. However, they continuously increased in size followed by successive formation of mossy structures once initiated. From these results, growth mode of zinc at low cathodic overpotential transiently changed from layer-like growth to mossy structure evolution accompanied with dynamic variations in local current density.
Kunimoto, Masahiro; Sadaoka, Yusuke; Nakanishi, Takuya; Osaka, Tetsuya; Osaka, Tetsuya; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Journal of Physical Chemistry C120(29)p.15722 - 157282016年07月-2016年07月
ISSN:19327447
概要:© 2016 American Chemical Society.Theoretical analyses of l-alanine (l-Ala)- and l-homocysteine (l-Hcy)-Cu(II) complexes in basic, neutral, and acidic solutions were carried out using density functional theory to investigate the pH dependence of the formation mechanism of amino acid-Cu(II) complexes. The calculated complex formation energies indicate that the amino acid-Cu(II) complexes were expected to form in basic and neutral solutions but not in acidic solutions. The factors that determine the stability of these complexes are the coordination ability of each amino acid and the significance of intramolecular interactions among ligands within the complexes. As predicted from the molecular structure, in neutral solutions, the coordination ability of amino acid becomes lower than that in basic solutions because of the inert structure of the protonated amino group, -NH3+ however, the coordination ability originating from the -COO- group is estimated to be sufficient for stabilizing the entire complex system. Moreover, two H2O molecules coordinate with the central Cu2+ ion from the equatorial direction and interact with the coordinating amino acids, providing additional stability within the complex. In contrast, in acidic solutions, the complex does not have either sufficient coordination ability of amino acids or effective intramolecular interactions within the complex.
Wodarz, Siggi; Abe, Junya; Homma, Takayuki
Electrochimica Acta197p.330 - 3352016年04月-2016年04月
ISSN:00134686
概要:© 2015 Elsevier Ltd. All rights reserved.We have fabricated Co-Pt nanodot arrays by combining electrodeposition with electron beam lithography (EBL) for applications in ultra-high density magnetic recording media, such as bit-patterned media (BPM). In this work, we analyzed the initial nucleation and growth of Co-Pt inside nanopores to achieve nanodot arrays with high deposition uniformity, as well as magnetic properties. At -900 mV (vs. Ag/AgCl), multiple nuclei of 2.0-3.0 nm in size were randomly distributed, even in nanopores with a 10 nm diameter, which could result in a lack of uniformity in the magnetic properties. The number of nuclei was then reduced by applying a less negative potential (>-700 mV vs. Ag/AgCl) to deposit a single nucleus inside each nanopore. As a result, a single grain of 5.0-10 nm in size was successfully deposited inside the nanopore, which could induce uniform magnetic properties in each nanodot. In addition, at less negative potentials, the coercivity of the Co-Pt films increased, which was induced by the epitaxial-like growth of Co-Pt from the Ru substrate. Cross-sectional TEM analysis suggested that Co-Pt deposited with a less negative potential was single crystalline with uniform hcp lattice fringes in the direction perpendicular to the Ru interface, indicating the formation of highly uniform nanodot arrays with high perpendicular magnetic anisotropy.
Sun, Yingying; Yanagisawa, Masahiro; Kunimoto, Masahiro; Nakamura, Masatoshi; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Applied Surface Science363p.572 - 5772016年02月-2016年02月
ISSN:01694332
概要:© 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.A structure's temperature can be determined from the Raman spectrum using the frequency and the ratio of the intensities of the anti-Stokes and Stokes signals (the Ias/Is ratio). In this study, we apply this approach and an equation relating the temperature, Raman frequency, and Ias/Is ratio to in-situ estimation of the phase change point of a (3-aminopropyl)triethoxysilane self-assembled monolayer (APTES SAM). Ag nanoparticles were deposited on APTES to enhance the Raman signals. A time-resolved measurement mode was used to monitor the variation in the Raman spectra in situ. Moreover, the structural change in APTES SAM (from ordered to disordered structure) under heating was discussed in detail, and the phase change point (around 118 °C) was calculated.
Yang, Xiao; Yasuda, Kouji; Yasuda, Kouji; Nohira, Toshiyuki; Hagiwara, Rika; Homma, Takayuki
Metallurgical and Materials Transactions B: Process Metallurgy and Materials Processing Science47(1)p.788 - 7972016年02月-2016年02月
ISSN:10735615
概要:© 2015, The Minerals, Metals & Materials Society and ASM International.As a fundamental study to develop a new process for producing solar-grade silicon, the effect of granule size on the kinetics of the electrochemical reduction of SiO2 granules in molten CaCl2 was investigated. SiO2 granules with different size ranges were electrolyzed in molten CaCl2 at 1123 K (850 °C). The reduction kinetics was evaluated on the basis of the growth rate of the reduced Si layer and the behavior of the current during electrolysis. The results indicated that finer SiO2 granules are more favorable for a high reduction rate because the contact resistance between the bottom Si plate and the reduced Si particles is small and the diffusion of O2− ions in CaCl2 inside the porous Si shell is easy. Electrolysis using SiO2 granules less than 0.1 mm in size maintained a current density of no less than 0.4 A cm−2 within 20 minutes, indicating that the electrochemical reduction of fine SiO2 granules in molten CaCl2 has the potential of becoming a high-yield production process for solar-grade silicon.
Yasuda, Kouji; Yasuda, Kouji; Maeda, Kazuma; Nohira, Toshiyuki; Hagiwara, Rika; Homma, Takayuki
Journal of the Electrochemical Society163(3)p.D95 - D992016年01月-2016年01月
ISSN:00134651
概要:© 2015 The Electrochemical Society.To establish a new Si-electrodeposition process, the optimum conditions for obtaining adherent, compact, and smooth Si films using molten KF-KCl-K2SiF6 were investigated at 923 K. Galvanostatic electrolysis was conducted on a Ag substrate in eutectic KF-KCl (45:55 mol%) with various current densities (10-500 mA cm-2) and K2SiF6 concentrations (0.5-5.0 mol%). Cross-sectional scanning electron microscopy (SEM) of the deposits revealed that compact and smooth Si films form at intermediate K2SiF6 concentrations and current densities. The relationship between the deposition conditions and Si morphology is discussed in terms of the electrodeposition mechanism.
Nohira, Toshiyuki; Ido, Akifumi; Shimao, Takeyuki; Yang, Xiao; Yasuda, Kouji; Yasuda, Kouji; Hagiwara, Rika; Homma, Takayuki
ECS Transactions75(15)p.17 - 332016年01月-2016年01月
ISSN:19385862
概要:Electrolytic production process for solar-grade Si utilizing liquid Si-Zn alloy cathode in molten CaCl2 has been proposed. Toward the establishment of the process, the behavior of liquid Zn metal was investigated in molten CaCl2 at 1123 K. The evaporation of Zn metal was largely suppressed by an immersion into molten salt, which enables the use of Zn electrode in spite of the high vapor pressure of Zn. The cyclic voltammetry suggested the reduction of SiO2 at 1.45 V vs. Ca2+/Ca on a Zn cathode. After the potentiostatic electrolysis at 0.9 V, Si particles with diameters of 2-30 μm were precipitated in the solidified Zn matrix by the slow cooling process of the produced liquid Si-Zn alloy. The alloying rate between solid Si and liquid Zn was measured as 4.56 μm s-1, and it linearly decreased with the Si content in liquid Zn phase.
Yasuda, Kouji; Yasuda, Kouji; Saeki, Kazumi; Maeda, Kazuma; Nohira, Toshiyuki; Hagiwara, Rika; Homma, Takayuki
ECS Transactions75(15)p.593 - 6012016年01月-2016年01月
ISSN:19385862
概要:Toward an establishment of a new production method of solar cell substrates, electrodeposition of Si was investigated in molten KF-KCl (eutectic composition, 45:55 mol%) after the introduction of SiCl4. Gaseous SiCl4 was directly introduced into the molten salt at 1023 K by a vapor transport method using Ar carrier gas. The dissolution ratio of SiCl4 exceeded 80% even with the use of a simple tube for the bubbling. Galvanostatic electrolysis was conducted at 923 K on a Ag substrate at 155 mA cm-2 for 20 min in molten KF-KCl after the dissolution of 2.30 mol% SiCl4. Although compact Si layer was formed, the smoothness was lower compared to that obtained from the melt after the addition of K2SiF6. The anionic molar fraction is probably one of the factors affecting the morphology of deposit.
Yanagisawa, M.; Kunimoto, M.; Homma, T.
ASME 2016 Conference on Information Storage and Processing Systems, ISPS 20162016年01月-2016年01月
概要:© Copyright 2016 by ASME.A chemical depth profile in lubricant films, carbon films, and their interfaces is an informative parameter for hard disk media because molecular features of lubricants bonded to a surface of carbon overcoats (COCs), which usually consist of a nitrogen doped layer, are important to achieve high tribological performance. However, it was difficult to analyze their interfaces with high depth resolution because thickness of lubricant films and COC films are so thin, i.e. 1.5nm and 2nm, respectively. We have developed new method using plasmonic sensors, which has measurement capability for chemical structures with depth resolution of 0.1nm by surface-enhanced Raman spectroscopy (SERS). We examined the lubricant film composed of perfluorinated polyether (PFPE) with phosphazene derivative (A2OH) on a diamond-like carbon (DLC) film. The result shows that the functional group is adsorbed on the DLC surface, where lower shift in the wave number of phenyl group is observed. The depth profile of the intensity ratio of D-peak to G-peak shows the maximum at around the surface of the DLC film. A variety of organic components in the DLC films, fabricated by a chemical vapor deposition (CVD), were observed in it. Besides, the depth profiles shows that organic materials, involving methyl, ethyl, or ethylene groups, Co(OH)x exist in the film.
Yanagisawa, M.; Kunimoto, M.; Homma, T.
ASME 2016 Conference on Information Storage and Processing Systems, ISPS 20162016年01月-2016年01月
概要:© Copyright 2016 by ASME.A heat-assisted magnetic recording (HAMR) is expected for a future high density recording of a hard disk drive. However, a carbon overcoat (COC) composed of diamond-like carbon (DLC) or a lubricant film is possibly damaged when a magnetic medium, i.e. CoPt alloy, is heated at around Curie temperature (Tc) of 600K by a near-field HAMR head. We carried out HAMR simulation experiments by using newly developed Raman spectroscopic systems, composed of plasmonic sensors for surface-enhanced Raman scattering (SERS), a pulsed laser heating, and an in-situ temperature measurement with an intensity ratio of anti-Stokes/Stokes lines. It was found that the heated temperature of the COC is higher than that of the magnetic film, i.e., 580°C and 366°C, respectively. Intensity changes of G-band peak in Raman spectra for DLC films were observed during the pulsed laser heating. The Raman intensity was exponentially decreased by oxidation in air, where time constants were calculated as a parameter of a pulse width. Degradation life of the DLC film can be estimated from a critical pulse width, where the time constant is extrapolated to zero. The estimated pulse width for no degradation was 250μs at the heating temperature of 580°C. The result shows no damage can be estimated in DLC films for HAMR because the effective irradiation time is 5ns and the accumulated irradiation time is 0.5ms in HAMR operations.
M. Yanagisawa, M. Saito, M. Kunimoto, T. Homma
Appl. Phys. Express(9)p.1220022016年-
T. Hayashi, K. Nagayoshi, H. Muramatsu, N. Yamasaki, K. Misuda, M. Saito, T. Homma, T. Hara, H. Noda
J. Low Temp. Phys.(184)p.257 - 2622016年-
X. Yang, K. Yasuda, T. Nohira, R. Hagiwara, T. Homma
Metallurgical and Mat. Trans. B(47)p.788 - 7972016年-
M. Yanagisawa, M. Kunimoto, T. Homma
ASME 2016 Conference on Information Storage and Processing Systems ISPS 20162016年-
M. Yanagisawa, M. Kunimoto, T. Homma
ASME 2016 Conference on Information Storage and Processing Systems ISPS 20162016年-
K. Yasuda, K. Saeki, K. Maeda, T. Nohira, R. Hagiwara, T. Homma
ECS Trans.(75)p.593 - 6012016年-
T. Nohira, A. Ido, T. Shimano, X. Yang, K. Yasuda, R. Hagiwara, T. Homma
ECS Trans.(75)p.17 - 332016年-
H. Matsuo, K. Yoshitoku, D. Furuyama, M. Saito, T. Homma
ECS Trans.(75)p.143 - 1482016年-
斎藤学, 橋本尚吾, ヴォダルツジギー, G. Zangari, 本間敬之
信学技報(116)p.431052016年-
K. Yasuda, K. Saeki, K. Maeda, T. Nohira, R. Hagiwara, T. Homma
J. Electrochem. Soc.(163)p.D95 - D992016年-
M. Kunimoto, Y. Sadaoka, T. Nakanishi, T. Osaka, T. Homma
J. Phys. Chem. C(120)p.15722 - 157282016年-
S. Wodarz, J. Abe, T. Homma
Electrochim. Acta(197)p.330 - 3352016年-
T. Otani, M. Nagata, Y. Fukunaka, T. Homma
Electrochim. Acta(206)p.366 - 3732016年-
Yanagisawa, Masahiro;Saito, Mikiko;Kunimoto, Masahiro;Homma, Takayuki
APPLIED PHYSICS EXPRESS9(12)2016年-2016年
ISSN:1882-0778
柳沢 雅広;斎藤 美紀子;國本 雅宏;本間 敬之
表面科学学術講演会要旨集36(0)2016年-2016年
概要:ラマン分光法は、高分解能で化学構造を分析する方法として優れているが、これに高速での動的観察機能を開発して動的機械物性と化学構造の同時観察を試みている。今回は、トライボロジー現象を例に摺動時の摩擦力と化学構造の変化について報告する。
柳沢 雅広;本間 敬之
表面科学37(9)p.435 - 4402016年-2016年
ISSN:0388-5321
概要:
New technique for analyzing buried interface has developed based on surface-enhanced Raman scattering spectroscopy. It consists of plasmonic sensors and spectrometer equipped with high precision mechanisms. Performance of the system involves in-situ measurement of interfaces, i.e. liquid/solid or solid/solid, with high sensitivity and high depth resolution on a variety of samples. Additional functions are in-situ temperature measurement by anti-Stokes/Stokes ratio, simultaneous acquisition with laser heating, time-resolved measurement, and pulsed laser Raman spectroscopy. A depth profile of layered ultra-thin films, i.e. diamond-like carbon (DLC) or highly oriented pyrolytic graphite (HOPG), was analyzed in atomic scale resolution at solid/solid interface. Molecular configuration and bonding feature of liquid organic molecules, i.e. lubricants for magnetic disks or reducing agents for a plating, were analyzed at liquid/solid interface. Oxidation process or decomposition process of ultra-thin DLC films was analyzed for a variety of DLC films. Spectral change with irradiation time by pulsed laser heating exhibited a kinetic change of molecular structures in a chemical reaction with in-situ heating temperature measurement.
Tsuyuki, Yasuhiro; Pham Huynh, Tram Anh; Komadina, Jason; Fukunaka, Yasuhiro; Fukunaka, Yasuhiro; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Electrochimica Acta183p.49 - 552015年11月-2015年11月
ISSN:00134686
概要:© 2015 Elsevier Ltd. All rights reserved.The reaction mechanism of Si electrodeposition in the ionic liquid trimethyl-n-hexylammonium bis(trifluoromethylsulfonyl) imide (TMHATFSI) with SiCl4 was investigated using an electrochemical quartz crystal microbalance (EQCM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The deposited films were further characterized by Raman spectroscopy. The EQCM method measured the frequency change in situ during electrodeposition, whereas XPS provided the Si mass concentration in the electrodeposited films. By combining these results, the mass change due to SiCl4 reduction was estimated. Then, the current efficiency for Si electrodeposition at various potentials was evaluated. The calculated current efficiency was almost 100% when it was assumed that SiCl4 reduction progressed by four-electron electroreduction. The XPS and Raman results showed that the deposited films were composed primarily of amorphous Si with Si-Si bonds. Crystalline Si thin films were obtained after annealing in an Ar gas stream.
Homma, Takayuki; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki; Matsuo, Nobufumi; Yang, Xiao; Yang, Xiao; Yasuda, Kouji; Yasuda, Kouji; Fukunaka, Yasuhiro; Fukunaka, Yasuhiro; Nohira, Toshiyuki; Nohira, Toshiyuki
Electrochimica Acta179p.512 - 5182015年10月-2015年10月
ISSN:00134686
概要:© 2015 Elsevier Ltd. All rights reserved. A new approach to produce high purity solar grade silicon (SOG-Si) using wet-chemical and electrochemical processes was proposed. First, diatomaceous earth was used as a source of silica and wet-chemical purification by acid leaching and solvent extraction processes were applied for eliminating heavy metal and light element such as boron, respectively. In particular, the solvent extraction using channel flow reactor demonstrated extremely high efficiency for eliminating boron to 7N (99.99999%) level purity. Secondly, the high-purity silica was reduced to silicon by the direct electrolysis method using molten CaCl2 as an electrolyte and Si plate as cathode. We proposed the continuous electrolysis system by feeding silica granules to the Si cathode set at the bottom of the cell. It was confirmed that the reduction proceeded steadily to form crystalline Si with a sufficient reduction rate. We also attempted electrodeposition of Si films and have developed a process using KF-KCl + K2SiF6 molten salt, from which uniform layer of Si with a thickness larger than 100 μm could be formed.
Maeda, Kazuma; Yasuda, Kouji; Yasuda, Kouji; Nohira, Toshiyuki; Hagiwara, Rika; Homma, Takayuki
Journal of the Electrochemical Society162(9)p.D444 - D4482015年06月-2015年06月
ISSN:00134651
概要:© 2015 The Electrochemical Society. All rights reserved. A new method for electroplating Si using a water-soluble KF-KCl molten salt electrolyte and high-purity gaseous SiCl
X. Yang K.Yasuda T. Nohira R. Hagiwara T. Homma
J. Electrochem. Soc.(161)p.D3116 - D31192015年-
X. Yang, K.Yasuda, T. Nohira, R. Hagiwara, T. Homma
Metallurgical and Mat. Trans. B(45)p.1337 - 13442015年-
L. Tsui, M. Saito, T. Homma, G. Zangari
J. Mat. Chem. A(3)p.360 - 3672015年-
Y. Tsuyuki, A. H Pham, J. Komadina, Y. Fukunaka, T. Homma
Electrochim. Acta(183)p.49 - 552015年-
T. Homma, S. Wodarz, D. Nishiie, T. Otani, S. Ge, G. Zangari
ECS Trans.(64)p.431092015年-
S. Wodarz, T. Otani, H. Hagiwara, T. Homma
ECS Trans.(64)p.99 - 1052015年-
N. Matsuo, T. Ishihara, T. Oyanagi, K. Nakajima, M. Kunimoto, Y. Fukunaka, T. Homma
ECS Trans.(64)p.91 - 972015年-
西家大貴, ヴォダルツジギー, 謝承達, 齋藤学, 阿部純也, G. Zangari, 本間敬之
信学技報(115)p.25 - 292015年-
T. Homma
Electrochemistry(83)p.680 - 6872015年-
國本雅宏, 本間敬之
表面技術(66)p.438 - 4422015年-
國本雅宏, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術(66)p.666 - 6692015年-
Y. Sun, M. Yanagisawa, M. Kunimoto, M. Nakamura, T. Homma
Appl. Surf. Sci.(363)p.572 - 5772015年-
Tsui, Lok-kun;Saito, Mikiko;Homma, Takayuki;Zangari, Giovanni
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A3(1)p.360 - 3672015年-2015年
ISSN:2050-7488
Uda, Kazuho;Seki, Yuta;Saito, Mikiko;Sonobe, Yoshiaki;Hsieh, Yu-Chin;Takahashi, Hidefumi;Terasaki, Ichiro;Homma, Takayuki
ELECTROCHIMICA ACTA153p.515 - 5222015年-2015年
ISSN:0013-4686
Maeda, Kazuma;Yasuda, Kouji;Nohira, Toshiyuki;Hagiwara, Rika;Homma, Takayuki
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY162(9)p.D444 - D4482015年-2015年
ISSN:0013-4651
HOMMA Takayuki
Electrochemistry83(9)p.680 - 6872015年-2015年
ISSN:1344-3542
概要:Electrochemical approaches for the fabrication of functional micro–nano structures and devices were comprehensively described primarily on the basis of the results obtained from previous studies conducted by the author's group with the aim of demonstrating the potential for achieving further precise controllability. First, a theoretical study was conducted for investigating the processes, mainly focusing upon electroless deposition to present an approach for analyzing its reaction mechanism from the molecular level. These approaches could be powerful tools for elucidating the overall process and could contribute toward achieving the precise design of processes. Second, some experimental approaches for achieving the precise control of micro–nano fabrication of functional structures, such as maskless and electroless fabrication of metal nano-patterns, lateral enhanced electrodeposition to form ultrathin layers, as well as the nanostructures for various devices by through-mask electrochemical deposition, were introduced to demonstrate high capability of the processes for nanoscale fabrication in various applications.
Tsuyuki, Yasuhiro; Pham Huynh, Tram Anh; Komadina, Jason; Fukunaka, Yasuhiro; Fukunaka, Yasuhiro; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Electrochimica Acta2014年11月-2014年11月
ISSN:00134686
概要:© 2015. The reaction mechanism of Si electrodeposition in the ionic liquid trimethyl-n-hexylammonium bis(trifluoromethylsulfonyl) imide (TMHATFSI) with SiCl
Matsuo, Nobufumi; Matsui, Yuki; Fukunaka, Yasuhiro; Fukunaka, Yasuhiro; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Journal of the Electrochemical Society161(5)p.E93 - E962014年01月-2014年01月
ISSN:00134651
概要:A novel approach toward the purification of silica and removal of boron impurities via solvent extraction with 2-ethyl-1,3-hexanediol using a microchannel device is presented. The microchannel, fabricated on Si substrates using lithographic techniques, had 100 μm width, 100 μm depth, and 10 mm length. Amorphous silica spiked with a trace amount of boric acid and refined diatomaceous earth used as silica feedstock were purified. Residual boron content was determined by inductively coupled argon plasma atomic emission spectrometry. Following extraction using a microchannel device, the residual boron content was less than 1.0 ppm for the former silica feedstock and than 2.5 ppm for the latter one, and the contact reaction period was 0.03 seconds for both type of silica feedstock. These are lower and significantly shorter due to much shorter diffusion distance and much larger specific interfacial area as compared to those observed when using a conventional separatory funnel, for both types of silica feedstock. Hence, it is suggested that microchannel devices can be utilized as an attractive approach toward the production of high-purity silica as a source for solar-grade silicon. © 2014 The Electrochemical Society. All rights reserved.
X. Yang, K. Yasuda, T. Nohira, R. Hagiwara, T. Homma
J. Electrochem. Soc.(161 (7))p.D3116 - D31192014年-
Matsuo, Nobufumi;Matsui, Yuki;Fukunaka, Yasuhiro;Homma, Takayuki
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY161(5)p.E93 - E962014年-2014年
ISSN:0013-4651
Yang, Xiao;Yasuda, Kouji;Nohira, Toshiyuki;Hagiwara, Rika;Homma, Takayuki
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY161(7)p.D3116 - D31192014年-2014年
ISSN:0013-4651
Yang, Xiao;Yasuda, Kouji;Nohira, Toshiyuki;Hagiwara, Rika;Homma, Takayuki
METALLURGICAL AND MATERIALS TRANSACTIONS B-PROCESS METALLURGY AND MATERIALS PROCESSING SCIENCE45(4)p.1337 - 13442014年-2014年
ISSN:1073-5615
Kunimoto, Masahiro; Otomo, Akira; Takahashi, Nana; Nakai, Hiromi; Homma, Takayuki
Electrochimica Acta113p.785 - 7912013年12月-2013年12月
ISSN:00134686
概要:To elucidate the influence of surface defects, such as steps, on the oxidation of a reducing agent that is used in the electroless deposition process, we theoretically analyzed the reaction behavior of hypophosphite ion around the defect using density functional theory calculations. The reason why we chose the hypophosphite ion is that it is a typical reducing agent and reacts through a universal reaction mechanism. In this analysis, we focused on the dehydrogenation reaction, which is the rate-determining step in the oxidation pathway. Pd and Cu surfaces were chosen as the metal surfaces, because they exhibit completely different catalytic activity from each other, both experimentally and theoretically. Our calculations showed that the surface defect stabilized the final state of dehydrogenation on both Pd and Cu surfaces, which indicates that the defect accelerates the oxidation of the hypophosphite ion. In the final state of dehydrogenation, dissociated hydrogen adsorbs on the hollow site, which appears on the slope of the defect. More detailed analyses of the final state indicate that the stabilization effect by the surface defect originates from the highly efficient interactions between the dissociated hydrogen and the slope. The molecular orbital structure on this slope is distorted, which leads to high electron density around the slope that enables the highly efficient interactions between the hydrogen and the slope. © 2013 Elsevier Ltd.
ヴォダルツ ジギー;間庭 佑太;萩原 弘規;大谷 智博;西家 大貴;ZANGARI Giovanni;本間 敬之
電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録113(297)p.7 - 102013年11月-2013年11月
ISSN:0913-5685
概要:電解析出法とリソグラフィによりhcp-Co_<80>-Pt_<20>及びL1_0-Fe-Ptの薄膜とナノドットアレイをhcp-Ru(002)/Si基板上に形成し,特性評価を行った.また,初期からの析出制御を目的に,印加電位及びドット径がCo-Ptの析出挙動に及ぼす影響を解析した.電子線描画法を用いたプロセスでは2Tb/in.^2に相当する18nm周期,10nm径のナノドットパターンが均一に形成されていることを確認した.初期析出過程の解析の結果,比較的貴な印加電位(-400mV,-500mV vs Ag/AgCl)では核成長が優先的に生じるため,Co-Ptの粒径が増大する傾向が確認され,印加電位及びドット径によりCo-Ptの粒径制御が可能であることが示唆された.Fe-Pt合金の特性評価の結果,膜厚10nmにおいて9.0kOe,また膜厚25nmにおいて9.8kOeの保磁力が得られ,初期段階からの保磁力の向上が示された.さらに,650℃でのアニール処理により膜厚10nmにおいてL1_0構造への相転移が確認された.UV-ナノインプリント法を用いたプロセスでは,35nm径,100nm周期のFe-Ptナノドットアレイが広範囲に形成されていることを確認した.
Lin, Cheng Ping; Saito, Mikiko; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Japanese Journal of Applied Physics52(11 PART 1)2013年11月-2013年11月
ISSN:00214922
概要:A NiP imprinting mold with patterns, whose size is from nanometer to submicrometer (170, 500, and 1000nm diameter), was fabricated by electroless deposition of NiP on a 3-aminopropyltriethoxysilane (APTES) modified master mold. The NiP deposit as a replicate mold was then detached from the master mold. The initial NiP deposition in patterns of the master mold was investigated; moreover, nanoindentation was successfully performed on a single NiP pattern for investigating the hardness. The NiP had a similar grain size in different sizes of patterns of the master mold during the initial deposition, as well as the same hardness of the NiP patterns (approximately 12 GPa) was observed. These results indicated that the initial NiP deposition and hardness of NiP were not size dependent above 170 nm. The surface morphology of the NiP detached from the master mold and NiP pattern of different sizes were investigated as well. © 2013 The Japan Society of Applied Physics.
Lin, Cheng Ping; Saito, Mikiko; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Electrochemistry81(9)p.678 - 6812013年09月-2013年09月
ISSN:13443542
概要:An electroless NiP imprinting mold was fabricated through replication of a cyclo-olefin polymer (COP) master mold. The NiP was electrolessly deposited on a nanopatterned COP master mold, pretreated by ultraviolet (UV) irradiation prior to modification with 3-aminopropyltriethoxysilane (APTES). The NiP deposit as a "replicate" was then detached from the COP master mold. Additionally, by optimizing the UV irradiation period, APTES could be formed on the COP master mold for electroless deposition without disturbing the nanopattern geometry of the COP master mold. The water contact angle and surface morphology of the COP surface, and the adhesion strength between deposited NiP and the COP surface were investigated. © 2013 The Electrochemical Society of Japan, All rights reserved.
Jiang, Bin; Wodarz, Siggi; Kunimoto, Masahiro; Yanagisawa, Masahiro; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Electrochemistry81(9)p.674 - 6772013年09月-2013年09月
ISSN:13443542
概要:Oxidation of the reductants is a dominant factor in the electroless deposition process. In order to obtain fundamental knowledge about the reaction mechanism of reductant oxidation for more precise control of the solid-liquid interface in this process, we have attempted to characterize the behavior of reductants adsorbed on Cu surface by using plasmon antenna enhanced Raman scattering. The concentric-patterned antenna coated with Cu, which consisted of a dimple array with single hole or a single hole with coaxial dimples, was designed by Finite Difference Time Domain (FDTD) calculation to enhance the electric field by focusing surface plasmons. By using this antenna and comparing the spectra to the results of Density Functional Theory (DFT) calculations, Raman peaks of adsorbed reductants on Cu were identified. Furthermore, we examined the conformation of adsorbed reductants by DFT calculation of the adsorption model of reductants on fcc-Cu(111) surface. As a result, the nature of reductant adsorption on Cu surface has been investigated from a computational point of view and an experimental point of view, and such in-situ characterization will be useful for analysis of a variety of systems at solid-liquid interface. © 2013 The Electrochemical Society of Japan, All rights reserved.
Jiang, Bin; Kunimoto, Masahiro; Yanagisawa, Masahiro; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Journal of the Electrochemical Society160(9)p.D366 - D3712013年08月-2013年08月
ISSN:00134651
概要:Thiourea is well known and widely used additive for controlling the rate of electroless Ni deposition, and it is known to show complicated behavior in acidic/alkaline electroless deposition baths. To understand this, several experiments and theoretical calculations were performed. In the experiments, the adsorption of thiourea and the reducing agent (i.e., hypophosphite ions) on a Ni surface was characterized with a high-selectivity component at a right angle down to the sub-monolayer level using surface-enhanced Raman spectroscopy. By comparing the results with those obtained from the theoretical calculation, co-adsorption of thiourea and hypophosphite ions on the Ni surface was confirmed. Moreover, the acceleration or suppression effects of thiourea on the oxidation of hypophosphite ions on a Ni surface in acidic/alkaline bath were analyzed from the experimental and computational perspectives. Accordingly, an explanation that unifies both the acceleration and suppression mechanisms of thiourea in terms of its own fundamental characteristics is proposed; this will be one of the most important processes for industrial applications of electroless Ni deposition. © 2013 The Electrochemical Society. All rights reserved.
ヴォダルツ ジギー;間庭 佑太;萩原 弘規;本間 敬之
電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録113(127)p.13 - 172013年07月-2013年07月
ISSN:0913-5685
概要:我々は,電気化学的手法である電解析出法とリソグラフィ技術を用いて,ビットパターンメディア(BPM)への応用を目的とした強磁性ナノドットアレイの形成を試みている.本研究では強磁性体としてhcp-Co-Pt(002)とL1_0-Fe-Ptに着目し,下地層としてhcp-Ru(002)層を用いることで,極薄膜での磁気特性向上を試みた.また,電子線描画法により形成したナノドットパターンに対して電解析出法によりCo-Pt及びFe-Ptを充填し,強磁性ナノドットアレイの形成及び初期析出過程の解析を試みた.その結果Ru下地層を用いることで,形成されたCo-Pt薄膜の保磁力向上,結晶性向上が確認された.電子線描画法を用いたプロセスでは2Tb/in.^2に相当する18nm周期,10nm径のCo-Ptナノドットアレイの形成を確認した.初期析出解析を行なった結果,印加電位によりナノドット内におけるCo-Ptの粒径が制御可能であることが示された.Fe-Ptに関しては,アニール処理によりL1_0構造への相転移が確認され,保磁力の向上が示された.
Jiang, Bin; Ouchi, Takanari; Shimano, Naofumi; Otomo, Akira; Kunimoto, Masahiro; Yanagisawa, Masahiro; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Electrochimica Acta100p.317 - 3202013年06月-2013年06月
ISSN:00134686
概要:This paper described characterization of hydrazine adsorption on Cu surface with high-selectivity of component at right angle down to single molecular level using a plasmonic antenna enhancing Raman scattering. The antenna deposited by Cu with concentric pattern was designed by Finite Difference Time Domain (FDTD) calculation to enhance the electric field by focusing surface plasmon. By using this antenna, Raman peaks of adsorbed hydrazine on Cu was provided at 385 cm-1. Furthermore, these peaks were only observed at 1-2 nm from the antenna surface which meant that this approach had a potential to define the structure of adsorbed hydrazine just only on the plasmon antenna. The structure of adsorbed hydrazine was gauche-conformation. This data corresponded to the Density Functional Theory (DFT) of adsorption model of hydrazine on fcc-Cu (1 1 1) surface. These results suggest that this method creates a wide range of spin-off effects to the characterization of solid-liquid interface. © 2012 Elsevier Ltd.
Kunimoto, Masahiro; Endo, Kazuaki; Nakai, Hiromi; Homma, Takayuki
Electrochimica Acta100p.311 - 3162013年06月-2013年06月
ISSN:00134686
概要:The acceleration effect of thiourea on an electroless Ni deposition reaction was analyzed through experimental and theoretical approaches. In the experimental approach, the entire deposition process was physically separated into the anodic and the cathodic reactions by preparing two cells connected by a salt bridge. The cells contained either a bath without metal (Ni) ions or a bath without a reducing agent (hypophosphite ions). The current flowing between the two separated baths increased when thiourea was added only to the anodic reaction bath, which indicated that the acceleration effect of thiourea was mainly on the anodic reaction of the hypophosphite ions. Based on this experimental result, in the theoretical calculation approach, a co-adsorption system consisting of thiourea, hypophosphite, and a Ni metal surface was analyzed using density functional theory. Among all the elementary steps of a hypophosphite reaction, thiourea primarily should promote the adsorption step owing to the following two factors. One was the molecular interaction between thiourea and the hypophosphite ion. The other was the restructuring of the electronic states of the Ni surface owing to the adsorption of thiourea, which enhanced the interaction between hypophosphite and its adsorption site on the Ni surface. © 2012 Elsevier Ltd.
Moffat, Thomas P.; Hagiwara, Rika; Homma, Takayuki; Fukunaka, Yasuhiro
Electrochimica Acta100p.212 - 2132013年06月-2013年06月
ISSN:00134686
Komadina, J.; Komadina, J.; Akiyoshi, T.; Ishibashi, Y.; Fukunaka, Y.; Fukunaka, Y.; Fukunaka, Y.; Homma, T.; Homma, T.
Electrochimica Acta100p.236 - 2412013年06月-2013年06月
ISSN:00134686
概要:The electrodeposition of silicon from silicon tetrachloride in the hydrophobic room temperature ionic liquid trimethyl-n-hexyl ammonium bis-(trifluoromethylsulfonyl) imide was investigated by cyclic voltammetry and chronoamperometry. In situ electrochemical quartz crystal microbalance (EQCM) impedance spectroscopy was used to estimate the mass of films during deposition. The charge efficiency estimated from EQCM measurements is ∼190-250% for four-electron silicon reduction. However, compositional analysis by XPS shows that the EQCM current efficiency estimates are artificially high due to ionic liquid inclusion in the films. Taking the mass concentration of impurities into account, the best-case estimate of current efficiency is found to be approximately 130% for constant potential deposition, suggesting silicon may not have been completely reduced at the potentials investigated, or a chemical reaction step occurs. We also consider that the EQCM analysis may include too many deviations from assumptions for accurate estimation of mass with the conditions studied. © 2012 Elsevier Ltd.
Kobayashi, Chiaki; Wakayama, Yutaka; Shirai, Yasuhiro; Homma, Takayuki
Electrochemistry81(4)p.236 - 2382013年04月-2013年04月
ISSN:13443542
概要:We demonstrated fabrication of nanogap electrodes with flat and thin Au films by using laterally enhanced growth of Au electrodeposition and applied the electrodes for electrical measurement of poly(3-methylthiophene) (P3MT) nanowires. The Au electrodeposition was performed on microgap electrodes following an organic modification process on an insulator surface of the microgap electrodes. Then, P3MT nanowires were aligned between the nanogap electrodes for transistor property measurement. The result suggested that the fabricated nanogap electrodes were suitable to apply for electrical properties measurement of such organic nanowires because of small difference in height between top of the electrodes and the insulator surface. © The Electrochemical Society of Japan, All rights reserved.
J. Komadina, T. Akiyoshi, Y. Ishibashi, Y. Fukunaka, T. Homma
Electrochim. Acta(100)p.236 - 2412013年-
M. Kunimoto, A. Otomo, N. Takahashi, H. Nakai, T. Homma
Electrochim. Acta(113)p.785 - 7912013年-
B. Jiang, M. Kunimoto, M. Yanagisawa, T. Homma
J. Electrochem. Soc.(160 (9))p.D366 - D3712013年-
L-K. Tsui, T. Homma, G. Zangari
J. Phys. Chem. C(117)p.6979 - 69892013年-
M. Kunimoto, K. Endo, H. Nakai, T. Homma
Electrochim. Acta(100)p.311 - 3162013年-
Kobayashi, Chiaki;Wakayama, Yutaka;Shirai, Yasuhiro;Homma, Takayuki
ELECTROCHEMISTRY81(4)p.236 - 2382013年-2013年
ISSN:1344-3542
Tsui, Lok-kun;Homma, Takayuki;Zangari, Giovanni
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C117(14)p.6979 - 69892013年-2013年
ISSN:1932-7447
Moffat, Thomas P.;Hagiwara, Rika;Homma, Takayuki;Fukunaka, Yasuhiro
ELECTROCHIMICA ACTA100p.212 - 2132013年-2013年
ISSN:0013-4686
Kunimoto, Masahiro;Endo, Kazuaki;Nakai, Hiromi;Homma, Takayuki
ELECTROCHIMICA ACTA100p.311 - 3162013年-2013年
ISSN:0013-4686
Jiang, Bin;Ouchi, Takanari;Shimano, Naofumi;Otomo, Akira;Kunimoto, Masahiro;Yanagisawa, Masahiro;Homma, Takayuki
ELECTROCHIMICA ACTA100p.317 - 3202013年-2013年
ISSN:0013-4686
Toba, Tetsuya;Yasuda, Kouji;Nohira, Toshiyuki;Yang, Xiao;Hagiwara, Rika;Ichitsubo, Koki;Masuda, Kenta;Homma, Takayuki
ELECTROCHEMISTRY81(7)p.559 - 5652013年-2013年
ISSN:1344-3542
Jiang, Bin;Wodarz, Siggi;Kunimoto, Masahiro;Yanagisawa, Masahiro;Homma, Takayuki
ELECTROCHEMISTRY81(9)p.674 - 6772013年-2013年
ISSN:1344-3542
Lin, Cheng Ping;Saito, Mikiko;Homma, Takayuki
ELECTROCHEMISTRY81(9)p.678 - 6812013年-2013年
ISSN:1344-3542
Jiang, Bin;Kunimoto, Masahiro;Yanagisawa, Masahiro;Homma, Takayuki
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY160(9)p.D366 - D3712013年-2013年
ISSN:0013-4651
Lin, Cheng Ping;Saito, Mikiko;Homma, Takayuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS52(11)2013年-2013年
ISSN:0021-4922
Hassel, Achim Walter;Homma, Takayuki
ELECTROCHIMICA ACTA113p.719 - 7192013年-2013年
ISSN:0013-4686
Kunimoto, Masahiro;Otomo, Akira;Takahashi, Nana;Nakai, Hiromi;Homma, Takayuki
ELECTROCHIMICA ACTA113p.785 - 7912013年-2013年
ISSN:0013-4686
柳沢 雅広;齋藤 美紀子;本間 敬子
電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録112(294)p.1 - 42012年11月-2012年11月
柳沢 雅広;齋藤 美紀子;本間 敬之
電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録112(294)p.1 - 42012年11月-2012年11月
ISSN:0913-5685
概要:4Tb/in2以上の記録密度に対応する極薄潤滑膜/DLC保護膜の化学構造を、プラズモンセンサと表面増強ラマン散乱分光法で測定することに成功した。また膜の深さ方向の化学構造変化も0.1mmの分解能で測定した。
Lin, Cheng Ping; Saito, Mikiko; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Electrochimica Acta82p.75 - 812012年11月-2012年11月
ISSN:00134686
概要:A nanoimprint lithography mold was fabricated through electroless deposition combined with self-assembled monolayer (SAM) modification. To copy nanopatterns as "replicates", NiP was electrolessly deposited on a nanopatterned master mold (made of SiO 2/Si), whose surface was modified with 3-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]propyltrimethoxysilane (TAS). NiP deposits were then manually detached from the mold. SAM improves Pd catalyst coverage for electroless deposition, further improving the morphology of the electroless deposition of NiP on the nanopatterned master mold and controlling the adhesion strength between electroless deposited NiP and the nanopatterned master mold to a level appropriate for smooth detachment. The initial catalyzation process and mechanical properties (such as, the hardness and adhesion strength of the SiO 2 substrate) of electroless deposited NiP were also systematically investigated. © 2012 Elsevier Ltd.
Sakata, Kaoruho; Homma, Takayuki
Electrochemistry Communications25(1)p.144 - 1462012年11月-2012年11月
ISSN:13882481
概要:Mechanical stress was applied to a Si single crystal wafer to evaluate the changes in its surface properties arising from the lattice strain induced by mechanical stress. The stress was applied quantitatively to the wafer in order to investigate the correlation between the degree of strain and the electrochemical properties of its surface. Finite element method (FEM) structural analysis was used to estimate the degree of strain on the surface, and the open circuit potential was measured in order to investigate the surface electrochemical properties. The analysis suggested that the surface of the wafer was under tensile strain, and the open circuit potential shifted toward the negative direction with the strain. This indicates that mechanical stress applied to a Si surface can change its electronic properties by changing the surface crystal structure. © 2012 Elsevier B.V.
Kobayashi, Chiaki; Saito, Mikiko; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
Electrochimica Acta74p.235 - 2432012年07月-2012年07月
ISSN:00134686
概要:We investigated the laterally enhanced growth of electrodeposited Au for fabricating nanogap electrodes. To enhance the lateral growth, we carried out electrodeposition over patterned electrodes onto a SiO 2 surface modified with self-assembled monolayers (SAMs) or dendrimers with amine groups. The morphology and thickness of the Au films were controlled by adjusting deposition conditions such as duration, applied potential, and Au ion concentration in the bath. To investigate the mechanism of the laterally enhanced growth, the surface states of SAM- or dendrimer-modified SiO 2 were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The XPS results indicate the existence of organic molecules and Au ions on the SiO 2 surface, which suggests that laterally enhanced growth is induced by the Au ions coordinated on the amine groups of the organic molecules. To further analyze the mechanism of the laterally enhanced growth, we investigated the relationship between the morphology of the laterally enhanced growth of Au and the amount of Au ions on organic molecules. The laterally enhanced growth of Au is expected to be useful for fabricating thin film nanogap electrodes. © 2012 Elsevier Ltd.
本間 敬之
表面技術 = The journal of the Surface Finishing Society of Japan63(5)2012年05月-2012年05月
ISSN:09151869
Kunimoto, Masahiro; Seki, Kenji; Nakai, Hiromi; Homma, Takayuki
Electrochemistry80(4)p.222 - 2252012年04月-2012年04月
ISSN:13443542
概要:The influence of water molecules on the reaction behavior of hypophosphite ion, which acts as a reducing agent for electroless deposition, on metal surfaces was elucidated by calculating the adsorption structure of hydrated hypophosphite ion on a Pd surface using Monte-Carlo simulation and density functional theory calculations. Through geometrical optimization, the most favorable structure of the hydrated hypophosphite ion was obtained, in which six water molecules interact with the oxygen of hypophosphite ion and no water interacts with the hydrogen of hypophosphite ion. Further calculations indicated that the hydrated hypophosphite ion adsorbed on the Pd surface via hvdroaen. © The Electrochemical Society of Japan,.
Kunimoto, Masahiro; Nakai, Hiromi; Homma, Takayuki
Electrochemistry80(3)p.126 - 1312012年03月-2012年03月
ISSN:13443542
概要:To elucidate the mechanism of catalytic activity of metal surfaces on the reaction of hypophosphite ions, which act as a reducing agent for electroless deposition, molecular orbital interactions between hypophosphite ions and metal surfaces were analyzed using density functional theory. Pd (111) and Cu (111) were chosen as the surfaces with high and low catalytic activity, respectively. The electronic states of adsorption systems were analyzed using the Mulliken population analysis. The position of the d-band plays a key role in determining the catalytic activity on P-H bond cleavage of hypophosphite. The Pd surface has a d-band near the Fermi level and contains a vacancy; this enables the donation and back-donation effect to occur on the adsorbed hypophosphite and promotes P-H bond cleavage. On the other hand, the Cu surface has a d-band in the deep energy area and contains no vacancy; the donation and back-donation effect is not induced and P-H bond cleavage is not promoted. This difference in the degree of promotion of P-H cleavage is responsible for the difference in the catalytic activity on P-H cleavage and dehydrogenation of hypophosphite ions, which in turn explains the difference in the catalytic activity during the entire hypophosphite oxidation process. © The Electrochemical Society of Japan. All rights reserved.
K. Sakata, T. Homma
Electrochem. Commun.(25)p.144 - 1462012年-
C-P. Lin, M. Saito, T. Homma
Electrochim. Acta(82)p.75 - 812012年-
C. Kobayashi, M. Saito, T. Homma
Electrochim. Acta(74)p.235 - 2432012年-
M. Kunimoto, K. Seki, H. Nakai, T. Homma
Electrochemistry(80(4))p.222 - 2252012年-
Kunimoto, Masahiro;Nakai, Hiromi;Homma, Takayuki
ELECTROCHEMISTRY80(3)p.126 - 1312012年-2012年
ISSN:1344-3542
Kunimoto, Masahiro;Seki, Kenji;Nakai, Hiromi;Homma, Takayuki
ELECTROCHEMISTRY80(4)p.222 - 2252012年-2012年
ISSN:1344-3542
Kobayashi, Chiaki;Saito, Mikiko;Homma, Takayuki
ELECTROCHIMICA ACTA74p.235 - 2432012年-2012年
ISSN:0013-4686
Lin, Cheng Ping;Saito, Mikiko;Homma, Takayuki
ELECTROCHIMICA ACTA82p.75 - 812012年-2012年
ISSN:0013-4686
Sakata, Kaoruho;Homma, Takayuki
ELECTROCHEMISTRY COMMUNICATIONS25p.144 - 1462012年-2012年
ISSN:1388-2481
國本 雅宏;本間 敬之
表面技術 = The journal of the Surface Finishing Society of Japan62(12)p.657 - 6622011年12月-2011年12月
ISSN:09151869
Ouchi, Takanari; Shimano, Naofumi; Homma, Takayuki
Electrochimica Acta56(26)p.9575 - 95802011年11月-2011年11月
ISSN:00134686
概要:An electroless deposition process for fabricating CoNiP nanodot arrays (less than 50 nm in height) with high magnetic coercivities was investigated. To fabricate such nanostructures, we improved the crystallinity of the CoNiP deposits in the initial deposition stage by applying an fcc-Cu(1 1 1) underlayer with low lattice mismatch to hcp-Co(0 0 0 2), and an autocatalytic electroless deposition process at the Cu surface was carried out by using dual reducing agents, H2PO2 - and N2H4. CoNiP films demonstrated high perpendicular magnetic coercivities in the initial deposition stage since the highly crystalline hcp(0 0 0 2) CoNiP layers were grown parallel to the Cu underlayers. Nanopatterned substrates were formed by UV-nanoimprint lithography. CoNiP was electroless deposited on the nanopatterned substrates. As a result, CoNiP was deposited selectively from the bottom of the nanopores with few defects in a large area. Perpendicular coercivities higher than 3000 Oe were obtained for nanodots even with heights of 50 nm. Thus, an electroless deposition process that can be used to form nanostructures with high crystallinities in the initial stage without any anomalous deposition was demonstrated. © 2011 Elsevier Ltd. All rights reserved.
柳沢 雅広;齋藤 美紀子;本間 敬之
年次大会 : Mechanical Engineering Congress, Japan2011p."S165011 - 1"-"S165011-5"2011年09月-2011年09月
概要:Ultra-thin DLC films and lubricant films are requested for high density magnetic recording. It was difficult for Raman spectroscopy to measure their molecular structures because of its low sensitivity. Newly-developed plasmonic sensor successfully acquired Raman spectrum of DLC films or lubricant/DLC interfaces with sub-nanometer thickness. Crystal structure of ultra-thin DLC films were slightly changed compared with that of thick films. Specifically, a graphite-like structure increases with decreasing thickness. It was found that organic and inorganic contaminations exist on a magnetic layer or a magnetic layer/DLC interface. According to the Raman spectrum analysis, a feature of adsorbed lubricant molecules of lubricant on the DLC film was confirmed.
Kunimoto, Masahiro; Shimada, Takuya; Odagiri, Shuichi; Nakai, Hiromi; Homma, Takayuki
Journal of the Electrochemical Society158(9)p.D585 - D5892011年08月-2011年08月
ISSN:00134651
概要:The elementary steps of the reactions of hypophosphite ions with Cu, Ni, and Pd were calculated theoretically using Density Functional Theory (DFT) to demonstrate the reaction mechanism and gain insight at the molecular level. The elementary steps of these reactions are adsorption, dehydrogenation, and oxidation (hydroxyl base attack). In the adsorption step, hypophosphite ions adsorb onto each surface spontaneously with stabilities in the order of Ni (111) > Pd (111) > Cu (111). In the dehydrogenation step, hypophosphite ions dehydrogenate on Ni (111) and Pd (111) with small reaction barriers, whereas they react on Cu (111) with a large reaction barrier. The large reaction barrier on Cu (111) is not compensated for by the adsorption energy on the surface. In the oxidation step, dehydrogenated anions on each metal surface react spontaneously with the hydroxyl base. The reaction barriers on each metal surface in this step are not so significant compared to the adsorption energies on each surface, suggesting that a reaction barrier of hypophosphite ion oxidation should exist in the dehydrogenation step and only be observed for Cu (111). This proposition elucidates the experimental catalytic behaviors of metal surfaces in the electroless deposition process using hypophosphite ions. © 2011 The Electrochemical Society.
Kunimoto, Masahiro; Nakai, Hiromi; Homma, Takayuki
Journal of the Electrochemical Society158(10)p.D626 - D6332011年08月-2011年08月
ISSN:00134651
概要:In order to elucidate the reactivity difference of hypophosphite ions used as reducing agents for electroless deposition on different metal surfaces, such as Pd and Cu, electronic structures of the activation states of hypophosphite ion oxidation on these surfaces were intensively analyzed by using Density Functional Theory (DFT). In the calculation, we focused on the dehydrogenation reaction which should be a rate-determining step in the elementary reaction steps. From the calculation results, a particular orbital interaction between the hypophosphite ion and the metal surface was observed. On Pd (111), the s-orbital of H in the hypophosphite ion interacts singly with the d- or p-orbital of Pd (111). This interaction induces an anti-bonding interaction between H and P in the hypophosphite ion, which is responsible for P-H cleavage. On the other hand, on Cu (111), the s-orbital of H and the s-orbital of P in a hypophosphite ion interact simultaneously with the p-orbital of Cu (111). This interaction barely induces an anti-bonding interaction between H and P in the hypophosphite ion. Such a difference in orbital interaction structures should be related to P-H cleavage activity and the reactivity difference of hypophosphite ion on each metal surface. © 2011 The Electrochemical Society.
M. Kunimoto, H. Nakai, T. Homma
Electrochemistry(80(3))p.126 - 1312011年-
M. Kunimoto, H. Nakai, T. Homma
J. Electrochem. Soc.(158(10))p.D626 - D6332011年-
M. Kunimoto, T. Shimada, S. Odagiri, H. Nakai, T. Homma
J. Electrochem. Soc.(158(9))p.D585 - D5892011年-
M. C. Lafouresse, Y. Fukunaka, T. Homma, S. Honjo, S. Kikuchi, W. Schwarzacher
Electrochem. Solid-State Lett.(14(7))p.D77 - D792011年-
T. Ouchi, T. Homma
Electrochim. Acta(56)p.9575 - 95802011年-
Kunimoto, Masahiro;Shimada, Takuya;Odagiri, Shuichi;Nakai, Hiromi;Homma, Takayuki
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY158(9)p.D585 - D5892011年-2011年
ISSN:0013-4651
Kunimoto, Masahiro;Nakai, Hiromi;Homma, Takayuki
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY158(10)p.D626 - D6332011年-2011年
ISSN:0013-4651
Ouchi, Takanari;Shimano, Naofumi;Homma, Takayuki
ELECTROCHIMICA ACTA56(26)p.9575 - 95802011年-2011年
ISSN:0013-4686
Ouchi, Takanari; Arikawa, Yuki; Konishi, Yohei; Homma, Takayuki
Electrochimica Acta55(27)p.8081 - 80862010年11月-2010年11月
ISSN:00134686
概要:We investigated fabrication processes of magnetic nanodot arrays for the ultra-high density magnetic recording media by using an electrodeposition. A CoZrNb underlayer was sputter-deposited on a glass disk substrate as a soft magnetic underlayer (SUL). Nano-patterns were formed on the substrate by UV-nanoimprint lithography (UV-NIL) and CoPt was electrodeposited into the nano-patterns. For obtaining uniform CoPt nanodot arrays with high perpendicular coercivities, we applied thin Cu intermediate layer on CoZrNb SUL and minimized its thickness. As a result, we obtained CoPt nanodot arrays with 150-nm diameter, 300-nm pitches, and 20-nm heights, which have uniform structures, on the substrates with the construction of Cu (1-2 nm)/CoZrNb (100 nm)/Cr (5 nm)/glass disk. The perpendicular coercivity of the CoPt nanodot arrays was as high as 5.4 kOe. From these results, we showed that the Cu intermediate layer with even 1-2 nm thick considerably improved the deposition condition on the substrates with CoZrNb SUL to successfully fabricate CoPt nanodot arrays with the diameter and pitches of 80 nm and 160 nm with sufficient uniformity. © 2010 Elsevier Ltd. All rights reserved.
齋藤 美紀子;前川 武之;本間 敬之
表面技術 = The journal of the Surface Finishing Society of Japan61(6)p.447 - 4512010年06月-2010年06月
ISSN:09151869
概要:The electrochemical behavior of Al-Si alloy films in zincate solution was investigated to elucidate the effects of zincate pretreatment on the Zn morphology and subsequent electroless NiP deposition, which is used for under bump metallization (UBM) in integrated circuit (IC) chip packaging. To investigate the electrochemical behavior of the Al-Si films during the zincate pretreatment, the immersion potential and the surface morphology during Zn and NiP deposition were evaluated using Al-Si electrodes that had been fabricated onto two types of Si substrates with different specific resistances. A heterogeneous point was observed for samples fabricated onto Si substrates with high specific resistance (45-95 Ωm), but no such point was observed on samples fabricated onto Si substrates with low specific resistance (0.00001-0.00002 Ωm). This result suggests that the morphology of the deposits was affected considerably by the specific resistance of the Si substrate.
Ouchi, Takanari; Ouchi, Takanari; Arikawa, Yuki; Kuno, Taisuke; Mizuno, Jun; Shoji, Shuichi; Shoji, Shuichi; Shoji, Shuichi; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki; Homma, Takayuki
IEEE Transactions on Magnetics46(6)p.2224 - 22272010年06月-2010年06月
ISSN:00189464
概要:This paper describes the fabrication process of CoPt nandot arrays on a glass disk substrate with a CoZrNb underlayer as a soft magnetic underlayer (SUL) by using an electrochemical process, and also the analysis on the magnetic properties of these fabricated CoPt nanodot arrays. We formed nano-patterned substrates by UV-nanoimprint lithography (UV-NIL) on the glass disk substrate. CoPt was electrodeposited into the nano-patterned substrates optimizing the electrodeposition condition and bath composition as well as a Cu intermediate layer. The construction of the nanodot arrays were CoPt nanodot arrays (20 nm)/Cu (<5 nm)/CoZrNb (100 nm)/Cr (5 nm)/Glass disk. Magnetic signals were clearly observed on the dc magnetized state and multi domain were observed in each nanodot on the ac magnetized state by magnetic force microscopy (MFM). The perpendicular coercivity of the CoPt nanodot arrays was 430 kA/m. These results showed electrochemical process can be used for the manufacture of magnetic recording media. © 2006 IEEE.
Sato, Hirotaka; Yamaguchi, Takuya; Isobe, Tetsuhiko; Shoji, Shuichi; Homma, Takayuki
Electrochemistry Communications12(6)p.765 - 7682010年06月-2010年06月
ISSN:13882481
概要:An approach to control the diameter of high-aspect-ratio pores formed into a silicon wafer by an electrochemical etching process is reported. Hole (h +) was involved in the etching reaction and the collection of the h+ was the key factor. Artificial micro-cavities were fabricated on the silicon surface prior to the etching. The depth of the space charge region (SCR), Schottky barrier on the silicon-electrolyte interface, was adjusted regarding the depth of the micro-cavities by applied overpotential and specific resistance of the silicon wafer. The collection of h+ at the tip of the cavity site was widely controlled by the adjusted SCR. Consequently the electrochemically etched domain at the cavity site was actively tuned, and then high-aspect-ratio pore with the controlled diameter was formed. The diameter was tuned by the SCR depth which was controlled by the overpotential and the specific resistance. The diameter tuning mechanism worked under the mask-free condition. © 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
F. Meirer, A. Singh, G. Pepponi, C. Streli, T. Homma, P. Pianetta
Trends in Analytical Chemistry29(6)p.479 - 4962010年-
K. Nishikawa, T. Mori, T. Nishid, Y. Fukunaka, M. Rosso, T. Homma
J. Electrochem. Soc.157(11)p.A1212 - A12172010年-
齋藤美紀子,前川武之,本間敬之
表面技術61(6)p.447 - 4512010年-
S. Kawai, M. Ogawa, K. Ishibashi, Y. Kondo, T. Matsuoka, T. Homma, Y. Fukunaka, S. Kida
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H. Sato, T. Yamaguchi, T. Isobe, S. Shoji, T. Homma
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J.Magn.Soc.Jpn.21(S2)p.525 - 5281997年09月-
T. Homma, Y. Sezai, T. Osaka
Electrochim. Acta42(20)p.3041 - 30471997年07月-
T. Homma, Y. Sezai, T. Osaka
Electrochim.Acta.42(20)p.3041 - 30471997年07月-
黒川義昭,本間敬之,逢坂哲彌
日本応用磁気学会誌21(6)p.977 - 9821997年06月-
逢坂哲彌,本間敬之,黒川義昭,田口智一,瀧澤敦尚
日本応用磁気学会誌21(4)p.213 - 2161997年04月-
黒川義昭,長崎 顕,本間敬之,逢坂哲彌
日本応用磁気学会誌21(S1)p.163 - 1681997年04月-
T. Osaka, T. Homma, T. Momma, H. Yarimizu
J. Electroanal. Chem.421(1)p.153 - 1581997年-
T. Osaka, T. Homma, T. Momma, H. Yarimizu
J. Electroanal. Chem.421(1)p.153 - 1581997年-
Y. Kurokawa, A. Nagasaki, T. Homma, T. Osaka
IEEE Trans.Magn32(6)p.3810 - 38121996年11月-
Y. Kurokawa, A. Nagasaki, T. Homma, T. Osaka
IEEE Trans.Magn32(6)p.3810 - 38121996年11月-
逢坂哲彌,榊原彰良,田村圭有,本間敬之,沖中 裕
回路実装学会誌11(7)p.494 - 4991996年07月-
逢坂哲彌,本間敬之,黒川義昭,田口智一
電気化学および工業物理化学64(7)p.850 - 8511996年07月-
T.Homma, Y.Kurokawa, T.Nakamura, T.Osaka, I.Otsuka
J.Vac.Sci.Technol B14(2)p.1184 - 11871996年04月-
黒川義昭,長崎 顕,本間敬之,逢坂哲彌
日本応用磁気学会誌20(2)p.141 - 1441996年04月-
T.Homma, Y.Kurokawa, T.Nakamura, T.Osaka, I.Otsuka
J.Vac.Sci.Technol B14(2)p.1184 - 11871996年04月-
T. Homma, T. Osaka, Y. Yamazaki, T. Namikawa
Scripta Metallurgica et Materialia33(10)p.1569 - 15731995年11月-
Y. Kurokawa, A. Nagasaki, T. Homma, T. Osaka
IEEE Trans. Magn.31(6)p.3102 - 31041995年11月-
T. Homma, T. Osaka, Y. Yamazaki, T. Namikawa
Scripta Metallurgica et Materialia33(10)p.1569 - 15731995年11月-
Y. Kurokawa, A. Nagasaki, T. Homma, T. Osaka
IEEE Trans. Magn.31(6)p.3102 - 31041995年11月-
中村高士,本間敬之,逢坂哲彌
表面技術46(10)p.956 - 9591995年10月-
T. Osaka, T. Homma
Interface4(2)p.421995年04月-
本間敬之
電気化学および工業物理化学/電気化学協会63(4)1995年04月-
T. Osaka, T. Homma
Interface4(2)p.421995年04月-
T. Homma, M. Kato, N. Kubo, K. Sakata, N. Kubo, M. Yanagisawa
J. Electrochem. Soc.156p.H475 - H478
K. Sakata, S. Ishizaki, H. Nakai, T. Homma
J. Phys. Chem. C112p.3104 - 3107
K. Sakata, M. Kato, N. Kubo, T. Senda, K. Izunome, T. Homma
J. Phys. Chem. C112p.3785 - 3788
G. Staikov, Ed.,
Wiley-VCH2007年-
谷口 功,山田太郎編
丸善2007年 01月-
逢坂哲彌,本間敬之編
丸善2004年 09月-
表面技術協会編
日刊工業新聞社2000年 02月-
本間敬之
表面処理基礎講座(Ⅱ)招待有り2018年11月19日
開催地:東京
T. Homma ,Y. Tsuyuki ,M. Kunimoto ,Y. Fukunaka ,P. Pianetta
ECS and SMEQ Joint International Meeting (AiMES2018)招待有り2018年10月03日
開催地:Cancun
M. Kunimoto ,M. Yanagisawa ,T. Homma
ECS and SMEQ Joint International Meeting (AiMES2018)2018年10月03日
開催地:Cancun
Y. Onabuta ,M. Kunimoto ,K. Nakai ,T. Homma
ECS and SMEQ Joint International Meeting (AiMES2018)2018年10月02日
開催地:Cancun
Yelchur Venkata Akash ,Collen Takaza ,M. Mimura ,M. Kunimoto ,Y. Fukunaka ,T. Homma
ECS and SMEQ Joint International Meeting (AiMES2018)2018年10月02日
開催地:Cancun
M. Bertz ,M. Yanagisawa ,M. Kunimoto ,T. Homma
The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3)招待有り2018年09月25日
開催地:Tokyo
國本雅宏 ,柳沢雅広 ,本間敬之
2018年電気化学秋季大会2018年09月25日
開催地:石川
大谷智博 ,工藤亮介 ,福中康博 ,本間敬之
2018年電気化学秋季大会2018年09月25日
開催地:石川
女部田勇介 ,國本雅宏 ,中井浩巳 ,本間敬之
表面技術協会 第138回講演大会2018年09月13日
開催地:北海道
安田哲也 ,大谷智博 ,國本雅宏 ,柳沢雅広 ,本間敬之
表面技術協会 第138回講演大会2018年09月13日
開催地:北海道
Y. Fukunaka ,M. Kunimoto ,S. Wodarz ,T. Homma
70th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry招待有り2018年09月04日
開催地:Bologna
T. Homma ,M. Kunimoto ,M. Bertz ,M. Saito ,M. Yanagisawa
69th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry招待有り2018年09月03日
開催地:Bologna
T. Homma ,M. Bertz ,M. Kunimoto ,M. Saito ,M. Yanagisawa
The 12th International Symposium on Electrochemical Micro & Nano System Technologies (EMNT2018)招待有り2018年08月31日
開催地:Milano
T. Fujimura ,W. Hikima ,Y. Fukunaka ,T. Homma
The 12th International Symposium on Electrochemical Micro & Nano System Technologies (EMNT2018)2018年08月29日
開催地:Milano
堤優也 ,神戸茉奈 ,Giovanni Zangari ,本間敬之
IEICE 磁気記録・ストレージ研究会(MRIS)2018年07月06日
開催地:東京
T. Homma
11th International Workshop on Engineering of Functional Interfaces (EnFI 2018)招待有り2018年07月02日
開催地:Wittenberg
本間敬之
表面処理基礎講座(I)招待有り2018年06月26日
開催地:東京
M. Bertz ,M. Yanagisawa ,M. Kunimoto ,T. Homma
10th International Symposium on Organic Molecular Electronics (ISOME 2018)2018年05月31日
開催地:Saga
T. Otani ,M. Nagata ,Y. Fukunaka ,T. Homma
14 th International Fischer Symposium2018年05月28日
開催地:Seeon
國本雅宏
電気化学界面シミュレーションコンソーシアム招待有り2018年05月22日
開催地:東京
Y. Fukunaka ,T. Homma ,T. Nishida ,K. Nishikawa
233 rd Meetnigs of the Electrochemical Society (233 rd ECS Meeting)招待有り2018年05月15日
開催地:Seattle
T. Homma ,M. Kunimoto ,M. Bertz ,M. Yanagisawa
233 rd Meetnigs of the Electrochemical Society (233 rd ECS Meeting)招待有り2018年05月15日
開催地:Seattle
A. Hayashi ,Y. Sato ,M. Kunimoto ,M. Yanagisawa ,T. Homma
22nd Topical Meeting of the International Society of Electrochemistry2018年04月18日
開催地:Tokyo
M. Kambe ,S. Wodarz ,S. Hashimoto ,G. Zangari ,T. Homma
22nd Topical Meeting of the International Society of Electrochemistry2018年04月18日
開催地:Tokyo
Y. Kashimata ,Y. Sato ,M. Kunimoto ,M. Yanagisawa ,T. Homma
22nd Topical Meeting of the International Society of Electrochemistry2018年04月18日
開催地:Tokyo
Y. Onabuta ,M. Kunimoto ,H. Nakai ,T. Homma
22nd Topical Meeting of the International Society of Electrochemistry2018年04月18日
開催地:Tokyo
M. Sugie ,M. Saito ,H. Takahashi ,I. Terasaki ,T. Homma
22nd Topical Meeting of the International Society of Electrochemistry2018年04月18日
開催地:Tokyo
T. Yasuda ,F. Yamaguchi ,M. Kunimoto ,M. Yanagisawa ,T. Homma
22nd Topical Meeting of the International Society of Electrochemistry2018年04月18日
開催地:Tokyo
K. Yoshitoku ,H. Matsuo ,M. Saito ,H. Takahashi ,I. Terasaki ,T. Homma
22nd Topical Meeting of the International Society of Electrochemistry2018年04月18日
開催地:Tokyo
Y. Masuda ,T. Otani ,Y. Fukunaka ,T. Homma
22nd Topical Meeting of the International Society of Electrochemistry2018年04月16日
開催地:Tokyo
T. Otani ,M. Nagata ,Y. Fukunaka ,T. Homma
22nd Topical Meeting of the International Society of Electrochemistry2018年04月16日
開催地:Tokyo
Yelchur Venkata Akash, M. Mimura, M. Kunimoto, Y. Fukunaka, T. Homma
The 98th CSJ Annual Meeting (2018)2018年03月21日
開催地:Funabashi
吉田悟, 國本雅宏, 柳沢雅広, 本間敬之
表面技術協会第137回講演大会2018年03月13日
開催地:東京
大貫浩介, 真田歩, 國本雅宏, 中井 浩巳, 本間敬之
表面技術協会第137回講演大会2018年03月13日
開催地:東京
井尻博之, 松尾日向子, 吉徳光一朗, 斎藤美紀子, 高橋英史, 寺崎一郎, 本間敬之
表面技術協会第137回講演大会2018年03月12日
開催地:東京
渡貫修永, 露木康博, 高井秀典, 福中康博, 本間敬之
表面技術協会第137回講演大会2018年03月12日
開催地:東京
佐藤祐太, 國本雅宏, 柳沢雅広, 本間敬之
電気化学会第85回大会2018年03月10日
開催地:東京
大谷智博, 福中康博, 本間敬之
第4回分科会ワークショップ『革新的エナジー・ハーべスティングに向けた材料・デバイス技術』2018年03月09日
開催地:東京
藤村樹, 引間稚菜, 福中康博, 本間敬之
第4回分科会ワークショップ『革新的エナジー・ハーべスティングに向けた材料・デバイス技術』2018年03月09日
開催地:東京
引間稚菜, 藤村樹, 福中康博, 本間敬之
電気化学会第85回大会2018年03月09日
開催地:東京
本間敬之, 福中康博, 曽根理嗣, 高橋哲哉, 國本雅宏, ヴォダルツジギー, ロッソマイケル, フランシアーヤン, アルカイアーリチャード
第37回宇宙エネルギーシンポジウムプログラム2018年03月05日
開催地:神奈川
本間敬之, 福中康博, 國本雅宏, ヴォダルツジギー
第 32 回 宇宙環境利用シンポジウム プログラム2018年01月15日
開催地:神奈川県相模原市
松尾日向子, 吉徳光一朗, 齋藤美紀子, 園部義明, 高橋英史, 寺崎一郎, 本間敬之
早稲田大学ナノテクノロジーフォーラム 第 3 回分科会ワークショップ『環境問題と対策技術の最前線』2017年12月19日
開催地:東京
高井秀典, 露木康博, 藤村樹, 國本雅宏, 福中康博, P. Pianetta, 本間敬之
早稲田大学ナノテクノロジーフォーラム 第 3 回分科会ワークショップ『環境問題と対策技術の最前線』2017年12月19日
開催地:東京
國本雅宏, 柳沢雅広, 本間敬之
表面技術協会 関東支部 第93回講演会招待有り2017年12月15日
開催地:長野
Yelchur Venkata Akash, M. Mimura, M. Kunimoto, Y. Fukunaka, T. Homma
5th DGIST-Waseda Workshop on Electrochemistry 20172017年12月12日
開催地:Tokyo
H. Matsuo, Y. Koichiro, D. Furuyama, M. Saito, T. Homma
5th DGIST-Waseda Workshop on Electrochemistry 20172017年12月12日
開催地:Tokyo
T. Otani, Y. Fukunaka, T. Homma
5th DGIST-Waseda Workshop on Electrochemistry 20172017年12月12日
開催地:Tokyo
H. Takai, Y. Tsuyuki, T. Fujimura, M. Kunimoto, Y. Fukunaka, P. Pianetta, T. Homma
5th DGIST-Waseda Workshop on Electrochemistry 20172017年12月12日
開催地:Tokyo
安田幸司, 馬元嘉, 井戸彬文, 萩原理加, 野平俊之, 本間敬之
第41回電解技術討論会-ソーダ工業技術討論会-2017年11月21日
開催地:京都
H. Takai, Y. Tsuyuki, T. Fujimura, M. Kunimoto, Y. Fukunaka, P. Pianetta, T. Homma
27 th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-27)2017年11月14日
開催地:Shiga
永田雅人, 大谷智博, 福中康博, 本間敬之
第7回CSJ化学フェスタ20172017年10月19日
開催地:東京
松尾日向子, 吉徳光一朗, 齋藤美紀子, 園部義明, 高橋英史, 寺崎一郎, 本間敬之
第7回CSJ化学フェスタ20172017年10月19日
開催地:東京
藤村樹, 引間稚菜, 福中康博, 本間敬之
第7回CSJ化学フェスタ20172017年10月17日
開催地:東京
I. Hasa, I. Hasa, T. Otani, T. Homma, P. N. Ross, R. Kostecki
232 nd ECS Meeting2017年10月04日
開催地:National Harbor
M. Kunimoto, Y.Sun, M. Yanagisawa, T. Homma
232 nd ECS Meeting2017年10月03日
開催地:National Harbor
T. Nishida, K. Nishikawa, H. Matsushima, T. Homma, M. Rosso, Y. Fukunaka
232 nd ECS Meeting2017年10月03日
開催地:National Harbor
Yelchur Venkata Akash, M. Mimura, M. Kunimoto, Y. Fukunaka, T. Homma
232 nd ECS Meeting2017年10月03日
開催地:National Harbor
M. Sugie, D. Furuyama, M. Saito, Y. Sonobe, H. Takahashi, I. Terasaki, T. Homma
232 nd ECS Meeting2017年10月03日
開催地:National Harbor
T. Homma, M. Kunimoto, Y. Fukunaka, T. Nohira
International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017)招待有り2017年09月30日
開催地:Nagoya
吉徳光一朗, 松尾日向子, 齋藤美紀子, 本間敬之
表面技術協会第136回講演大会2017年09月15日
開催地:石川
真田歩, 國本雅宏, 露木康博, 福中康博, 中井浩巳, 本間敬之
2017年電気化学秋季大会2017年09月10日
開催地:長崎
T. Otani, Y. Masuda, Y. Fukunaka, T. Homma
68 th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry2017年08月31日
開催地:Providence, Rhode Island
Y. Fukunaka, T. Nishida, K. Nishikawa, T. Homma
68 th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry招待有り2017年08月29日
開催地:Providence, Rhode Island
B. Chmielowiec, T. Fujimura, T. Otani, K. Aoyama, T. Nohira, T. Homma, A. Allanore
68 th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry2017年08月28日
開催地:Providence, Rhode Island
S. Wodarz, S. Hashimoto, M. Kambe, G. Zangari, T. Homma
The 28th Magnetic Recording Conference (TMRC 2017)2017年08月02日
開催地:Tsukubn
神戸茉奈, ヴォダルツジギー, 橋本尚吾, GiovanniZangari, 本間敬之
磁気記録・ストレージ研究会2017年07月07日
開催地:東京
本間敬之, 國本雅宏, 柳沢雅広
ナノプレーティング研究会 第62回例会招待有り2017年06月29日
開催地:神奈川
本間敬之
表面処理基礎講座(I)招待有り2017年06月28日
開催地:東京
T. Homma
11 th European Symposium on Electrochemical Engineering招待有り2017年06月07日
開催地:Prague
Y. Tsuyuki, T. Fujimura, M. Kunimoto, Y. Fukunka, P. Pianetta, T. Homma
231 st ECS Meeting2017年05月30日
開催地:New Orleans
T. Fujimura, Y. Tsuyuki, M. Kunimoto, Y. Fukunka, T. Homma
231 st ECS Meeting2017年05月30日
開催地:New Orleans
柳沢雅広, 齋藤美紀子, 國本雅宏, 本間敬之
平成 29 年度日本分光学会年次講演会2017年05月25日
開催地:東京
柳沢雅広, 國本雅宏, 齋藤美紀子, 本間敬之
トライボロジー会議 2017春 東京2017年05月17日
開催地:東京
柳沢雅広, 國本雅宏, 齋藤美紀子, 本間敬之
トライボロジー会議 2017春 東京2017年05月17日
開催地:東京
柳沢雅広, 國本雅宏, 齋藤美紀子, 本間敬之
トライボロジー会議 2017春 東京2017年05月17日
開催地:東京
柳沢雅広, 國本雅宏, 齋藤美紀子, 本間敬之
トライボロジー会議 2017春 東京2017年05月17日
開催地:東京
本間敬之
早稲田応用化学会 先進研究講演会 「応用化学最前線-教員からのメッセージ」招待有り2017年04月22日
開催地:東京
鍾明, 安田幸司, 野平俊之, 本間敬之
電気化学会第84回大会2017年03月25日
開催地:東京
神戸茉奈, ヴォダルツジギー, 齋藤学, 橋本尚吾, Giovanni Zangari, 本間敬之
電気化学会第84回大会2017年03月25日
開催地:東京
安田哲也, 山口楓太, 國本雅宏, 柳沢正広, 本間敬之
電気化学会第84回大会2017年03月25日
開催地:東京
増田雄太, 大谷智博, 福中康博, 本間敬之
電気化学会第84回大会2017年03月25日
開催地:東京
荒原涼人, Morten Bertz, 柳沢雅宏, 本間敬之
電気化学会第84回大会2017年03月25日
開催地:東京
岩田祥子, 露木康博, 続木南, 福中康博, 本間敬之
電気化学会第84回大会2017年03月25日
開催地:東京
本間敬之
日本金属学会2017年春期(第160回)講演大会招待有り2017年03月16日
開催地:東京
女部田勇介, 國本雅宏, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術協会第135回講演大会2017年03月10日
開催地:埼玉
杉江美紗貴, 古山大貴, 齋藤美紀子, 園部義明, 高橋英史, 寺崎一郎, 本間敬之
表面技術協会第135回講演大会2017年03月09日
開催地:埼玉
吉徳光一朗, 松尾日向子, 齋藤美紀子, 本間敬之
表面技術協会第135回講演大会2017年03月09日
開催地:埼玉
藤村樹, 内藤健博, 露木康博, 國本雅宏, 福中康博, 本間敬之
早稲田大学ナノテクノロジーフォーラム 第2回分科会ワークショップ 「エネルギー利用と蓄電池に関して」2017年03月07日
開催地:東京
露木康博, 藤村樹, 國本雅宏, 福中康博, P. Pianetta, 本間敬之
早稲田大学ナノテクノロジーフォーラム 第2回分科会ワークショップ 「エネルギー利用と蓄電池に関して」2017年03月07日
開催地:東京
M. Kunimoto,
The 15 th Japanese-German International Workshop on Mathematical Fluid Dynamics(第15回日独流体数学国際研究集会)招待有り2017年01月10日
開催地:Tokyo
T. Homma
International Conference on Material Sciences (SCICON' 16)招待有り2016年12月19日
開催地:Coimbatore
柳沢雅広, 斎藤美紀子, 國本雅宏, 本間敬之
第36回表面科学学術講演会2016年11月29日
開催地:愛知
鈴木隆, 國本雅宏, 福中康博, 本間敬之
第6回CSJ化学フェスタ20162016年11月16日
開催地:東京
柳沢雅広, 斎藤美紀子, 國本雅宏, 本間敬之
トライボロジー会議2016秋 新潟2016年10月12日
開催地:新潟
柳沢雅広, 斎藤美紀子, 國本雅宏, 本間敬之
トライボロジー会議2016秋 新潟2016年10月12日
開催地:新潟
M. Zhong, X. Yang, K. Yasuda, T. Nohira, T. Homma
PRiME 2016 (230th Meeting of The Electrochemical Society, 2016 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2016年10月07日
開催地:Honolulu, Hawai
S. Wodarz, S. Hashimoto, M. Saitou, G. Zangari, T. Homma
PRiME 2016 (230th Meeting of The Electrochemical Society, 2016 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)招待有り2016年10月06日
開催地:Honolulu, Hawai
S. Ge, S. Wodarz, S. Hashimoto, M. Saitou, T. Homma, G. Zangari
PRiME 2016 (230th Meeting of The Electrochemical Society, 2016 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2016年10月06日
開催地:Honolulu, Hawai
K. Yasuda, K. Saeki, K. Maeda, T. Nohira, R. Hagiwara, T. Homma
PRiME 2016 (230th Meeting of The Electrochemical Society, 2016 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2016年10月06日
開催地:Honolulu, Hawai
Y. Tsuyuki, M. Tsuzuki, Y. Fukunaka, T. Homma
PRiME 2016 (230th Meeting of The Electrochemical Society, 2016 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2016年10月05日
開催地:Honolulu, Hawai
Y. Sun, M. Yanagisawa, T. Homma
PRiME 2016 (230th Meeting of The Electrochemical Society, 2016 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2016年10月05日
開催地:Honolulu, Hawai
M. Saito, J. Mizuno, M. Kusunoki, H. Nishikawa
PRiME 2016 (230th Meeting of The Electrochemical Society, 2016 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2016年10月05日
開催地:Honolulu, Hawai
T. Otani, M. Nagata, Y. Fukunaka, T. Homma
PRiME 2016 (230th Meeting of The Electrochemical Society, 2016 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2016年10月04日
開催地:Honolulu, Hawai
H. Matsuo, K. Yoshitoku, D. Furuyama, M. Saito, T. Homma
PRiME 2016 (230th Meeting of The Electrochemical Society, 2016 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2016年10月04日
開催地:Honolulu, Hawai
T. Nohira, A. Ido, T. Shimao, X. Yang, K. Yasuda, R. Hagiwara, T. Homma
PRiME 2016 (230th Meeting of The Electrochemical Society, 2016 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2016年10月03日
開催地:Honolulu, Hawai
T. Homma
Nucleation & Growth Research Conference -international Workshop of Electrochemical/Materials Processong for Renewable Energy-2016年09月29日
開催地:Kyoto
M. Kunimoto, Y. Fukunaka, T. Homma
Nucleation & Growth Research Conference -international Workshop of Electrochemical/Materials Processong for Renewable Energy-2016年09月27日
開催地:Kyoto
T. Nohira, K. Saeki, K. Yasuda, R. Hagiwara, T. Homma
Nucleation & Growth Research Conference -international Workshop of Electrochemical/Materials Processong for Renewable Energy-2016年09月27日
開催地:Kyoto
Y. V. Akash, M. Kunimoto, T. Ishikawa, Y. Fukunaka, T. Homma
Nucleation & Growth Research Conference -international Workshop of Electrochemical/Materials Processong for Renewable Energy-2016年09月27日
開催地:Kyoto
K. Saeki, K. Yasuda, T. Nohira, R. Hagiwara, T. Homma
Nucleation & Growth Research Conference -international Workshop of Electrochemical/Materials Processong for Renewable Energy-2016年09月27日
開催地:Kyoto
A. Ido, X. Yang, K. Yasuda, T. Nohira, R. Hagiwara, T. Homma
Nucleation & Growth Research Conference -international Workshop of Electrochemical/Materials Processong for Renewable Energy-2016年09月27日
開催地:Kyoto
M. Zhong, X. Yang, K. Yasuda, T. Nohira, T. Homma
Nucleation & Growth Research Conference -international Workshop of Electrochemical/Materials Processong for Renewable Energy-2016年09月27日
開催地:Kyoto
T. Otani, Y. Fukunaka, T. Homma
Nucleation & Growth Research Conference -international Workshop of Electrochemical/Materials Processong for Renewable Energy-2016年09月27日
開催地:Kyoto
Y. Tsuyuki, T. Fujimura, M. Kunimoto, Y. Fukunaka, P. Pianetta, T. Homma
Nucleation & Growth Research Conference -international Workshop of Electrochemical/Materials Processong for Renewable Energy-2016年09月27日
開催地:Kyoto
T. Fujimura, M. Kunimoto, T. Homma
Nucleation & Growth Research Conference -international Workshop of Electrochemical/Materials Processong for Renewable Energy-2016年09月27日
開催地:Kyoto
吉田悟, 國本雅宏, 柳沢雅広, 本間敬之
表面技術協会第134回講演大会2016年09月01日
開催地:宮城
M. Kunimoto, S. Yoshida, M. Yanagisawa, T. Homma
EMNT20162016年08月17日
開催地:Brussels
T. Otani, M. Nagata, Y. Fukunaka, T. Homma
EMNT20162016年08月17日
開催地:Brussels
T. Homma
The 5th International Symposium on Materials Science Surface Technology 2016 (MSST2016)招待有り2016年08月03日
開催地:Yokohama
齋藤学, 橋本尚吾, ヴォダルツジギー, G. Zangari, 本間敬之
磁気記録・情報ストレージ研究会(MR)2016年07月08日
開催地:東京
本間敬之
表面技術協会 夏季セミナー「表面処理基礎講座(Ⅰ)」招待有り2016年06月28日
開催地:東京
M. Yanagisawa, T. Homma, M. Kunimoto
ASME 2016 Conference on Information Storage and Processing Systems (ISPS2016)2016年06月20日
開催地:Santa Clara, CA
M. Yanagisawa, T. Homma, M. Kunimoto
ASME 2016 Conference on Information Storage and Processing Systems (ISPS2016)2016年06月20日
開催地:Santa Clara, CA
T. Homma, M. Kunimoto, X. Yang, K. Yasuda, Y. Fukunaka, T. Nohira,
229th Meeting of the Electrochemical Society2016年06月01日
開催地:San Diego
國本雅宏, 本間敬之
トライボロジー会議2016春 東京2016年05月23日
開催地:東京
M. Kunimoto, T. Homma
3rd DGIST-WASEDA Workshop on electrochemistry2015年12月11日
開催地:Tokyo
S. Wodarz, T. Homma
3rd DGIST-WASEDA Workshop on electrochemistry2015年12月10日
開催地:Tokyo
Y. Tsuyuki, M. Tsuzuki, Y. Fukunaka, T. Homma
3rd DGIST-WASEDA Workshop on electrochemistry2015年12月10日
開催地:Tokyo
本間敬之
表面技術協会 冬季セミナー 「表面処理基礎講座(Ⅱ)」招待有り2015年11月25日
開催地:東京
Y. Sun, M. Yanagisawa, M. Kunimoto, M. Nakamura, T. Homma
第5回CSJ化学フェスタ20152015年10月14日
開催地:東京
中嶋一輝, 堀江舜介, 國本雅宏, 福中康博, 本間敬之
第5回CSJ化学フェスタ20152015年10月13日
開催地:東京
堀江舜介, 中嶋一輝, 國本雅宏, 福中康博, 本間敬之
第5回CSJ化学フェスタ20152015年10月13日
開催地:東京
Y. Akash, M. Kunimoto, T. Ishikawa, Y. Fukunaka, T. Homma
第5回CSJ化学フェスタ20152015年10月13日
開催地:東京
Y. Fukunaka, T. Wakatsuki, T. Homma
228th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)2015年10月12日
開催地:Arizona
M. Saito, M. Mita, M. Yanagisawa, T. Homma
228th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)2015年10月12日
開催地:Arizona
続木南, 露木康博, P. Anh, 福中康博, 本間敬之
2015年電気化学秋季大会2015年09月12日
開催地:埼玉
齋藤学, 西家大貴, ヴォダルツジギー, G. Zangari, 本間敬之
2015年電気化学秋季大会2015年09月12日
開催地:埼玉
佐々木萌, 花井智也, 國本雅宏, 柳沢雅広, 本間敬之
2015年電気化学秋季大会2015年09月11日
開催地:埼玉
花井智也, 佐々木萌, 國本雅宏, 柳沢雅広, 中井浩己, 本間敬之
表面技術協会第132回講演大会2015年09月10日
開催地:長野
D. Furuyama, K. Uda, M. Saito, Y. Sonobe, H. Takahashi, I. Terasaki, T. Homma
The 6th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium2015年07月29日
開催地:Tokyo
西家大貴, ヴォダルツジギー, 謝承達, 齋藤学, 阿部純也, G. Zangari, 本間敬之
磁気記録・情報ストレージ研究会2015年07月10日
開催地:東京
本間敬之
表面技術協会 夏季セミナー 「表面処理基礎講座(Ⅰ)」招待有り2015年06月18日
開催地:東京
S. Wodarz, J. Abe, T. Homma
13th International Fischer Symposium2015年06月08日
開催地:Lübeck
M. Kunimoto, R. Tamura, T. Oyanagi, N. Matsuo, Y. Fukunaka, H. Nakai, T. Homma
227th Meeting of The Electrochemical Society2015年05月26日
開催地:Chicago, IL
H. Osaki, T. Wakatsuki, T. Homma, Y. Fukunaka
227th Meeting of The Electrochemical Society2015年05月25日
開催地:Chicago, IL
小柳高宏, 國本雅宏, 松尾伸史, 福中康博, 本間敬之
電気化学会第82回大会2015年03月16日
開催地:神奈川
田村理沙, 國本雅宏, 福中康博, 中井浩巳, 本間敬之
電気化学会第82回大会2015年03月16日
開催地:神奈川
本間敬之
電気化学会第82回大会招待有り2015年03月15日
開催地:神奈川
安田幸司, 島尾武征, 楊肖, 野平俊之, 萩原理加, 一坪幸輝, 増田賢太, 本間敬之
電気化学会第82回大会2015年03月15日
開催地:神奈川
齋藤美紀子, 三田正弘, 柳沢雅広, 本間敬之
表面技術協会第131回講演大会2015年03月04日
開催地:神奈川
横道拓哉, 國本雅宏, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術協会第131回講演大会2015年03月04日
開催地:神奈川
大谷智博, 福中康博, 本間敬之
表面技術協会第131回講演大会2015年03月04日
開催地:神奈川
古山大貴, 宇田和布, 齋藤美紀子, 園部義明, 高橋英史, 寺崎一郎, 本間敬之
表面技術協会第131回講演大会2015年03月04日
開催地:神奈川
Y. Tsuyuki, T. Anh Pham H., J. Komadina, Y. Fukunaka, T. Homma
The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion2014年11月25日
開催地:Kyoto
Y. Sun, 柳沢雅広, 國本雅宏, 中村雅俊, 本間敬之
第34回表面科学学術講演会2014年11月07日
開催地:島根
Y. Sun, M. Yanagisawa, M. Kunimoto, M. Nakamura, T. Homma
The 7th International Symposium on Surface Science2014年11月06日
開催地:Shimane
Y. Tsuyuki, T. Anh Pham H., J. Komadina, Y. Fukunaka, T. Homma
10th International Symposium on Electrochemical Micro & Nanosystem Technology (EMNT2014)2014年11月06日
開催地:Okinawa
M. Kunimoto, T. Yokomich, H. Nakai, T. Homma
10th International Symposium on Electrochemical Micro & Nanosystem Technology (EMNT2014)2014年11月06日
開催地:Okinawa
S. Wodarz, T. Otani, H. Hagiwara, T. Homma
10th International Symposium on Electrochemical Micro & Nanosystem Technology (EMNT2014)2014年11月06日
開催地:Okinawa
石原貴史, 中嶋一輝, 松尾伸史, 福中康博, 本間敬之
第4回CSJ化学フェスタ20142014年10月16日
開催地:東京
T. Homma, T. Yamamoto, M. Nakamura, M. Kunimoto, M. Saito, M. Yanagisawa
2014 ECS & SMEQ Joint International Meeting招待有り2014年10月08日
開催地:Cancun
M. Kunimoto, T. Naito, H. Nakai, T. Homma
2014 ECS & SMEQ Joint International Meeting2014年10月08日
開催地:Cancun
K. Maeda, K. Yasuda, T. Nohira, R. Hagiwara, T. Homma
2014 ECS & SMEQ Joint International Meeting2014年10月07日
開催地:Cancun
N. Matsuo, T. Ishihara, T. Oyanagi, K. Nakajima , Y. Fukunaka, T. Homma
2014 ECS & SMEQ Joint International Meeting2014年10月07日
開催地:Cancun
Y. Tsuyuki, T. Anh Pham H., J. Komadina, Y. Fukunaka, T. Homma
2014 ECS & SMEQ Joint International Meeting2014年10月07日
開催地:Cancun
S. Wodarz, T. Otani, H. Hagiwara, T. Homma
2014 ECS & SMEQ Joint International Meeting2014年10月07日
開催地:Cancun
T. Homma, S. Wodarz, D. Nishiie, T. Otani
2014 ECS & SMEQ Joint International Meeting招待有り2014年10月06日
開催地:Cancun
中村雅俊, 柳沢雅広, 本間敬之
2014年電気化学秋季大会2014年09月27日
開催地:札幌
安田幸司, 前田一真, 野平俊之, 萩原理加, 本間敬之
表面技術協会第130回講演大会2014年09月23日
開催地:京都
宇田和布, 古山大貴, 齋藤美紀子, 園部義明, 寺崎一郎, 本間敬之
表面技術協会第130回講演大会2014年09月22日
開催地:京都
定岡佑典, 國本雅宏, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術協会第130回講演大会2014年09月22日
開催地:京都
Y. Fukunaka, T. Wakatsuki, T. Homma
65th International Society of Electrochemistry (ISE)2014年09月03日
開催地:Lausanne
T. Homma, Y. Fukunaka, T. Nohira
65th International Society of Electrochemistry (ISE)招待有り2014年09月02日
開催地:Lausanne
Y. Yamamoto , K. Fushimi, T. Nakanishi, Y. Hasegawa, M. Saito, T. Homma
65th International Society of Electrochemistry (ISE)2014年09月01日
開催地:Lausanne
萩原弘規, ヴォダルツジギー, 大谷智博, 西家大貴, G. Zangari, 本間敬之
磁気記録・情報ストレージ研究会2014年07月17日
開催地:東京
M. Yanagisawa, M. Kunimoto, T. Homma
ASME 2014 Conference on Information Storage and Processing Systems (ISPS2014)2014年06月23日
開催地:Santa Clara, CA
M. Kunimoto, H. Nakai, T. Homma
Post-symposium of TOCAT7 (The 7th Tokyo Conference on Advanced Catalytic Science and Technology)招待有り2014年06月07日
開催地:Tokyo
H. Inari, Y. Konishi, R. Alkire, T. Homma, Y. Fukunaka
225th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)2014年05月13日
開催地:Orlando, FL
斎藤美紀子, 藤田隼, 楠美智子, 本間敬之, 川原田洋
電気化学会第81回大会2014年03月29日
開催地:大阪
大谷智博, ヴォダルツジギー, 萩原弘規, 本間敬之
電気化学会第81回大会2014年03月29日
開催地:大阪
西家大貴, 間庭佑太, G. Zangari, 本間敬之
電気化学会第81回大会2014年03月29日
開催地:大阪
小柳高宏, 松井雄希, 松尾伸史, 福中康博, 本間敬之
電気化学会第81回大会2014年03月29日
開催地:大阪
山下幸太, 國本雅宏, 本間敬之, 大木義路, 藤巻真, 粟津浩一
電気化学会第81回大会2014年03月29日
開催地:大阪
松尾伸史, 松井雄希, 石原貴史, 福中康博, 本間敬之
NIMS-早稲田 ジョイントシンポジウム2014年03月24日
開催地:東京
関健司, 國本雅宏, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術協会第129回講演大会2014年03月13日
開催地:千葉
内藤健博, 國本雅宏, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術協会第129回講演大会2014年03月13日
開催地:千葉
山本悠大, 伏見公志, 中西貴之, 長谷川靖哉, 齋藤美紀子, 本間敬之
表面技術協会第129回講演大会2014年03月13日
開催地:千葉
A. A. Akhmaddireja, 齋藤美紀子, 福中康博, 本間敬之
表面技術協会第129回講演大会2014年03月13日
開催地:千葉
N. Matsuo, Y. Matsui, T. Ishihara, Y. Fukunaka, T. Homma
International Symposium on Integration of Chemistry and Bioscience2014年01月15日
開催地:Tokyo
本間敬之
2013年冬季セミナー 表面処理基礎講座〈上級編〉招待有り2013年11月28日
開催地:東京
ヴォダルツジギー, 間庭佑太, 萩原弘規, 大谷智博, 西家大貴, G. Zangari, 本間敬之
磁気記録・情報ストレージ研究会2013年11月15日
開催地:東京
X. Yang, K. Yasuda, T. Nohira, R. Hagiwara, K. Ichitsubo, K. Matsuda, T. Homma
224th Meeting of the Electrochemical Society (ECS)2013年10月31日
開催地:San Francisco, CA
J. Komadina, Y. Ishibashi, Y. Tsuyuki, Y. Zhang, Y. Fukunaka, P. A. Pianetta, T. Homma
224th Meeting of the Electrochemical Society (ECS)2013年10月31日
開催地:San Francisco, CA
M. Kunimoto, H. Nakai, T. Homma
224th Meeting of the Electrochemical Society (ECS)2013年10月30日
開催地:San Francisco, CA
T. Homma, S. Wodarz, B. Jiang, M. Kunimoto, M. Yanagisawa
224th Meeting of the Electrochemical Society (ECS)招待有り2013年10月29日
開催地:San Francisco, CA
N. Matsuo, Y. Matsui, T. Ishihara, Y. Fukunaka, T. Homma
224th Meeting of the Electrochemical Society (ECS)2013年10月29日
開催地:San Francisco, CA
間庭佑太, 萩原弘規, G. Zangari, 本間敬之
第3回CSJ化学フェスタ 20132013年10月23日
開催地:東京
松井雄希, 石原貴史, 松尾伸史, 福中康博, 本間敬之
2013年電気化学秋季大会2013年09月28日
開催地:東京
石橋瑶子, 露木康博, J. Komadina, 福中康博, 本間敬之
2013年電気化学秋季大会2013年09月27日
開催地:東京
加藤晃, 柳澤雅広, 本間敬之
表面技術協会第128回講演大会2013年09月25日
開催地:福岡
横道拓哉, 國本雅宏, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術協会第128回講演大会2013年09月24日
開催地:福岡
ヴォダルツジギー, 間庭佑太, 萩原弘規, 本間敬之
磁気記録・情報ストレージ研究会2013年07月12日
開催地:東京
K. Uda, Y. Seki, M. Saito, Y. Sonobe, Y. Hsieh, H. Takahashi, I. Terasaki, T. Homma
The 32nd International Conference on Thermoelectrics2013年07月02日
開催地:Kobe
J. Komadina, T. Akiyoshi, Y. Ishibashi, Y. Fukunaka, P. Pianetta, T. Homma
223rd Meeting of The Electrochemical Society (ECS)2013年05月15日
開催地:Toronto, Ontario
T. Homma, Y. Fukunaka, Y. Ishibashi, J. Komadina
The 13th Topical Meeting of the International Society of Electrochemistry招待有り2013年04月09日
開催地:Pretoria
宇田和布, 関佑太, 齋藤美紀子, 園部義明, 謝育秦, 高橋英史, 寺崎一郎, 本間敬之
第60回応用物理学会学術講演会2013年03月29日
開催地:神奈川
露木康博, 石橋瑶子, 秋吉貴裕, J. Komadina, 福中康博, 本間敬之
電気化学会第80回大会2013年03月29日
開催地:宮城
石原貴史, 松井雄希, 松尾伸史, 福中康博, 本間敬之
電気化学会第80回大会2013年03月29日
開催地:宮城
ヴォダルツジギー, 萩原弘規, 高見淳, 本間敬之
電気化学会第80回大会2013年03月29日
開催地:宮城
萩原弘規, ヴォダルツジギー, 高見淳, 本間敬之
電気化学会第80回大会2013年03月29日
開催地:宮城
間庭佑太, 高見淳, G. Zangari, 本間敬之
電気化学会第80回大会2013年03月29日
開催地:宮城
林政平, 齋藤美紀子, 本間敬之
電気化学会第80回大会2013年03月29日
開催地:宮城
関健司, 國本雅宏, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術協会第127回講演大会2013年03月18日
開催地:埼玉
K. Seki, M. Kunimoto, H. Nakai, T. Homma
The 5th International Workshop on Advanced Electrochemical Power Sources (WAEPS-5)2012年11月17日
開催地:Kumamoto
高見淳, 間庭佑太, ヴォダルツジギー, 萩原弘規, 本間敬之
磁気記録・情報ストレージ研究会(MR)2012年11月16日
開催地:東京
T. Nishida, K. Nishikawa, T. Homma, Y. Fukunaka, M. Rosso
PRiME 2012 (222nd Meeting of The Electrochemical Society, 2012 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2012年10月10日
開催地:Honolulu, Hawaii
J. Komadina, T. Akiyoshi, Y. Ishibashi, X. Wang, Y. Fukunaka, P. Pianetta, T. Homma
PRiME 2012 (222nd Meeting of The Electrochemical Society, 2012 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2012年10月10日
開催地:Honolulu, Hawaii
M. Kunimoto, K. Seki, H. Nakai, T. Homma
PRiME 2012 (222nd Meeting of The Electrochemical Society, 2012 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2012年10月09日
開催地:Honolulu, Hawaii
B. Jiang, M. Kunimoto, M. Yanagisawa, T. Homma
PRiME 2012 (222nd Meeting of The Electrochemical Society, 2012 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2012年10月09日
開催地:Honolulu, Hawaii
T. Toba, K. Yasuda, T. Nohira, R. Hagiwara, K. Ichitsubo, K. Masuda, T. Homma
PRiME 2012 (222nd Meeting of The Electrochemical Society, 2012 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2012年10月08日
開催地:Honolulu, Hawaii
N. Matsuo, Y. Matsui, Y. Fukunaka, T. Homma
PRiME 2012 (222nd Meeting of The Electrochemical Society, 2012 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2012年10月08日
開催地:Honolulu, Hawaii
Y. Ishibashi, T. Akiyoshi, J. Komadina, Y. Fukunaka, T. Homma
PRiME 2012 (222nd Meeting of The Electrochemical Society, 2012 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan)2012年10月08日
開催地:Honolulu, Hawaii
松井雄希, 松尾伸史, 福中康博, 本間敬之
表面技術協会第126回講演大会2012年09月28日
開催地:北海道
國本雅宏, 島照人, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術協会第126回講演大会2012年09月27日
開催地:北海道
秋吉貴裕, 石橋瑶子, J. Komadina, 福中康博, 本間敬之
表面技術協会第126回講演大会2012年09月27日
開催地:北海道
T. Homma
9th International Symposium on Electrochemical Micro & Nanosystem Technology (EMNT2012)招待有り2012年08月16日
開催地:Linz
M. Kunimoto, H. Nakai, T. Homma
9th International Symposium on Electrochemical Micro & Nanosystem Technology (EMNT2012)2012年08月16日
開催地:Linz
間庭佑太, 高見淳, G. Zangari, 本間敬之
東北大通研-早大ナノ機構 第2回研究会2012年07月13日
開催地:東京
T. Homma, A. Takami, M. Kunimoto
12th International Fischer Symposium招待有り2012年06月04日
開催地:Lübeck
T. Nishida , K. Nishikawa, T. Homma, Y. Fukunaka
221st Meeting of The Electrochemical Society (ECS)2012年05月08日
開催地:Seattle, WA
J. Komadina, T. Akiyoshi, Y. Ishibashi, Y. Fukunaka, P. Pianetta, T. Homma
221st Meeting of The Electrochemical Society (ECS)2012年05月07日
開催地:Seattle, WA
鳥羽哲也, 安田幸司, 野平俊之, 萩原理加, 一坪幸輝, 増田賢太, 本間敬之
電気化学会第79回大会2012年03月31日
開催地:浜松
ヴォダルツジギー, 嶋野直史, 大友彬, 國本雅広, 柳沢雅宏, 本間敬之
電気化学会第79回大会2012年03月29日
開催地:浜松
加藤晃, 小林千秋, 齋藤美紀子, 本間敬之
電気化学会第79回大会2012年03月29日
開催地:浜松
間庭佑太, 小西洋平, Giovanni Zangari, 本間敬之
電気化学会第79回大会2012年03月29日
開催地:浜松
天野諭, 松尾伸史, Y. Choi, D.-J. Ahn, 本間敬之
電気化学会第79回大会2012年03月29日
開催地:浜松
齋藤美紀子, 石井智紘, 藤原英道, 本間敬之
電気化学会第79回大会2012年03月29日
開催地:浜松
関佑太, 富田元紀, 山本智之, 齋藤美紀子, 園部義明, 高橋英史, 寺崎一郎, 本間敬之
第59回応用物理学関係連合講演会2012年03月16日
開催地:東京
島照人, 國本雅宏, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術協会第125回講演大会2012年03月14日
開催地:東京
大友彬, 嶋野直史, 國本雅宏, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術協会第125回講演大会2012年03月14日
開催地:東京
関健司, 國本雅宏, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術協会第125回講演大会2012年03月14日
開催地:東京
本間敬之
4大学ナノ・マイクロファブリケーションコンソーシアム拠点形成シンポジウム招待有り2012年03月08日
開催地:川崎
本間敬之
神奈川科学技術アカデミー教育講座招待有り2012年01月26日
開催地:川崎
小林千秋, 青山裕, 若山裕, 齋藤美紀子, 本間敬之
第1回CSJ化学フェスタ2011年11月15日
開催地:東京
C.-P. Lin, 齋藤美紀子, 本間敬之
第1回CSJ化学フェスタ2011年11月15日
開催地:東京
T. Homma, J. Komadina, Y. Nakano, T. Akiyoshi, Y. Ishibashi, Y. Nishimura, T. Nishida, Y. Fukunaka
220th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)招待有り2011年10月10日
開催地:Boston, MA
國本雅宏, 中井浩巳, 本間敬之
表面技術協会第124回講演大会2011年09月22日
開催地:愛知
T. Homma, J. Komadina, M.Kunimoto, Y. Fukunaka
International Symposium on Renewable Energy & Materials Tailoring (REMT2011) 2011年09月19日
開催地:Kyoto
B.-Jiang, N. Shimano, T. Ouchi, M. Yanagisawa, T. Homma
International Symposium on Renewable Energy & Materials Tailoring (REMT2011) 2011年09月18日
開催地:Kyoto
M. Kunimoto, H. Nakai, T. Homma
International Symposium on Renewable Energy & Materials Tailoring (REMT2011) 2011年09月18日
開催地:Kyoto
M. Kunimoto, H. Nakai, T. Homma
International Society of Electrochemistry (ISE, 62nd Annual Meeting)2011年09月14日
開催地:Nigata
T. Homma, T. Ouchi, N. Shimano
International Society of Electrochemistry (ISE, 62nd Annual Meeting)招待有り2011年09月12日
開催地:Nigata
C.-P. Lin, M. Saito, T. Homma
International Society of Electrochemistry (ISE, 62nd Annual Meeting)2011年09月12日
開催地:Nigata
Y. Konishi, A. Takami, T. Ouchi, T. Homma
International Society of Electrochemistry (ISE, 62nd Annual Meeting)2011年09月12日
開催地:Nigata
N. Matsuo, Y. Choi, C. Kobayashi, C. Cui, D.-J. Ahn, T. Homma
International Society of Electrochemistry (ISE, 62nd Annual Meeting)2011年09月12日
開催地:Nigata
青山裕, 小林千秋, 若山裕, 齋藤美紀子, 本間敬之
2011年電気化学秋季大会(第52回化学センサ研究発表会)2011年09月10日
開催地:新潟
M. Kunimoto, H. Nakai, T. Homma
7th Congress of the International Society for Theoretical Physics (ISTCP-VII)2011年09月04日
開催地:Tokyo
C.-P. Lin, M. Saito, T. Homma
(STAC5-AMDI2) Joint Conference of The Fifth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics2011年06月22日
開催地:Yokohama
C. Kobayashi, S. Yoshida, M. Saito, T. Homma
219th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)2011年05月02日
開催地:Montreal, QC
整理番号:248
パターン形成体の製造方法(日本)本間 敬之
特願2003-098617、特開2004- 6779、特許第4614631号
整理番号:352
マイクロリアクタの製造方法(日本)本間 敬之, 庄子 習一, 逢坂 哲彌, 佐藤 裕崇
特願2004- 15141、特開2005-207901、特許第4356109号
整理番号:480
ナノ構造体の製造方法(日本)本間 敬之, 齋藤 美紀子
特願2005- 69804、特開2006-249535、特許第4762577号
整理番号:587
金—ニッケル系アモルファス合金めっき皮膜、電気めっき液及び電気めっき方法(日本)逢坂 哲彌, 沖中 裕, 本間 敬之
特願2006- 24476、特開2006-241594、特許第4868123号
整理番号:611
電極、金属微粒子の製造装置および金属微粒子の製造方法(日本)齋藤 美紀子, 水野 潤, 本間 敬之
特願2006-160466、特開2007-327117、特許第5064724号
整理番号:1038
金型製造方法およびその方法により形成された金型(日本, PCT, アメリカ, 中華人民共和国)本間 敬之, 齋藤 美紀子
特願2010-064194、特開2011-194720、特許第5665169号
整理番号:1040
金型製造装置(日本)本間 敬之, 齋藤 美紀子
特願2010- 64204、特開2011-194721
整理番号:1070
金属微粒子の製造方法(日本)本間 敬之, 齋藤 美紀子
特願2010-149456、特開2012- 12653、特許第5566794号
整理番号:1258
金属微粒子の製造方法、及び製造装置(日本)本間 敬之, 齋藤 美紀子
特願2011-278015、特開2013-129859、特許第6004643号
整理番号:1458
めっき装置及びこれを用いたセンサ装置(日本, スイス, フランス, シンガポ-ル, 大韓民国, ヨ-ロッパ, ドイツ, イギリス, アメリカ, イタリア, PCT, 中華人民共和国)本間 敬之, 柳沢 雅広, 齋藤 美紀子, 山本 智之
特願2013-169504、特開2015- 38232、特許第6226229号
整理番号:1470
光学デバイスおよび分析装置(日本)本間 敬之, 柳沢 雅広, 齋藤 美紀子
特願2013-246727、特開2015-105838
整理番号:1471
光学デバイスおよび分析装置(日本)本間 敬之, 柳沢 雅広, 齋藤 美紀子
特願2013-246726、特開2015-105837
整理番号:1854
光学デバイス及びその製造方法(日本)本間 敬之, 柳沢 雅広, 齋藤 美紀子
特願2016-208580、特開2018- 72018
整理番号:1868
金属シリコン製造用アーク炉(日本)本間 敬之, 國本 雅宏, 福中 康博
特願2017- 3946、特開2018-111637
整理番号:1915
成膜基板、基板、およびそれらの製造方法(日本)本間 敬之, 齋藤 美紀子
特願2017-130671、特開2019- 14922
整理番号:1971
ラマン分光測定装置及びラマン分光測定方法(日本)柳沢 雅広, 本間 敬之, 齋藤 美紀子
特願2017-170631、特開2019- 45396
整理番号:2153
光学測定装置(日本)本間 敬之, 柳沢 雅広
特願2019-127205
整理番号:2168
光学デバイス、分析装置、及び光学デバイスの製造方法(日本)本間 敬之, 柳沢 雅広
特願2019- 54280、特開2020-153892
整理番号:292-JP
光学デバイスおよび分析装置(日本)本間 敬之, 柳沢 雅広, 齋藤 美紀子
特願2014-553069、特許第6179905号
研究種別:
微小隙間流れを用いる次世代磁気ディスク潤滑技術の構築配分額:¥4420000
研究種別:
高機能バイオセンシングのためのサンプル分離抽出・分析前処理マイクロシステムの構築配分額:¥50310000
研究種別:
非線形拡散制御による新規電気化学ナノ加工プロセスの開発配分額:¥3700000
研究種別:
マイクロセル内の流体及び液体-液体,固体-液体界面の解析および制御配分額:¥26000000
研究種別:
シリコン表面ナノ領域の電気化学的特性解析と新規ウェットプロセスへの展開配分額:¥1800000
研究種別:
高機能マイクロ生化学分析システム実現のための生体分子搬送・固定に関する研究配分額:¥13100000
研究種別:
ウェットデバイスプロセスにおけるシリコン表面反応素過程の電気化学的手法による解明配分額:¥2100000
研究種別:
電気化学的手法による高機能薄膜析出素過程および機能発現機構の解明配分額:¥1900000
研究種別:
機械-化学融合計測による材料破壊過程のマルチスケール高分解能オペランド解析2018年-0月-2021年-0月
配分額:¥6240000
研究種別:
分子分解能を有する3次元構造センサの開発と細胞固液界面構造解析への応用2014年-0月-2017年-0月
配分額:¥3900000
研究種別:
界面反応のその場電気化学イメージングプレートの開発と金属材料余寿命予測への応用2013年-0月-2016年-0月
配分額:¥18720000
研究種別:
大規模エネルギー変換貯蔵デバイスの電気化学プロセシングにおける核発生成長制御2013年-0月-2016年-0月
配分額:¥45890000
研究種別:
プラズモンアンテナ型センサを用いた超高分解能固液界面その場解析手法の確立2011年-0月-2014年-0月
配分額:¥4030000
研究種別:
半導体ナノワイヤーアレイの電気化学的テーラリングと光エネルギーデバイスへの応用配分額:¥18200000
提供機関:文部科学省
微生物機能を利用した資源循環型水環境プロセスの構築1999年-2003年2009年度共同研究者:柳沢 雅広, 大内 隆成
研究成果概要: 本研究は,テラビット/平方インチ級の面記録密度を有する次世代型超高記録密度型ハードディスク媒体への適用が期待されている,熱アシスト磁気記録方式を高効率で実現させるため,照射光から発生した表面プラズモンを利用する手法の確立を目標と... 本研究は,テラビット/平方インチ級の面記録密度を有する次世代型超高記録密度型ハードディスク媒体への適用が期待されている,熱アシスト磁気記録方式を高効率で実現させるため,照射光から発生した表面プラズモンを利用する手法の確立を目標としている.今年度は,まず強磁性ナノドットアレイ(ビットパターン)の精密形成実現のための要素技術の確立を目標に研究を進めた. ナノスケールのビットパターンの均一形成には精密なパターン基板の形成技術が求められるが,本研究ではまず基礎検討として電子線リソグラフィー法を適用し,8nm径,25nm周期のテラビット級パターンの形成手法を得るとともに,その径や周期を制御しながらパターン形成するための条件を確立した.さらに,実際の生産の際のスループットの面から,より現実的な基板作製手法として期待されているUV-ナノインプリント(UV-NIL)法に着目し,実媒体に適用されるCoZrNb軟磁性下地層を付与したガラスディスク基板に強磁性ナノドットパターンを形成する手法を検討した.その結果,150 nm径,300 nm周期のパターンを安定に形成するプロセスを得ると共に,パターン内に電析法によりCoPt強磁性体の均一に充填させることに成功した.また,下地軟磁性層の表面にCu層を付与することにより,その上に形成されるCoPtナノドットは5.0 kOe以上の保磁力を示し,また断面透過電子顕微鏡観察から,析出初期よりhcp-c軸が垂直配向した柱状晶が成長していることを確認した.このような微細構造が高保磁力の発現の起源であると考えられる.さらに,このCu層の薄層化を検討した結果,2~5nmの極薄膜でも,成膜条件により配向制御効果を得られることを明らかとした.これらの成果を基に,強磁性ナノドットパターンの安定形成およびプラズモン導波へと研究を展開する予定である.
2010年度共同研究者:柳沢 雅広, 大内 隆成
研究成果概要:次世代のハードディスク型磁気記録デバイスにはテラビット/平方インチレベルの超高記録密度が求められており,これを実現可能な記録媒体系として,ビットパターン媒体(BPM)が注目されている.BPMにおける記録再生の一層の向上を図るため,...次世代のハードディスク型磁気記録デバイスにはテラビット/平方インチレベルの超高記録密度が求められており,これを実現可能な記録媒体系として,ビットパターン媒体(BPM)が注目されている.BPMにおける記録再生の一層の向上を図るため,熱アシスト方式が提案されているが,本研究はその超高効率化の手法として,加熱用照射光から発生する表面プラズモンを利用する新規な手法の検証のため,ナノドットを均一に形成する要素技術の確立を目的とした.これまで我々は,BPM作製手法としてUV-ナノインプリントリソグラフィおよび電子線リソグラフィを用い,微細孔がアレイ状に規則配列したパターン基板を形成し,これに対しCo-Ptを電析法により充填することでCo-Pt強磁性ナノドットアレイを形成するプロセスを提案してきた.特に,記録再生可能な実媒体の形成を念頭に,CoZrNb軟磁性下地層を成膜したガラスディスク基板を用い,Co-Pt結晶配向制御のためCu中間層を付与することで,高い磁気異方性を示す強磁性ナノドットアレイの形成を実現している.この系を基に,数テラビット/平方インチ級のBPM作製に向けて,Cu中間層膜厚のさらなる低減,およびドットアレイの均一形成化を図った.ナノパターン内でのCo-Ptの電析挙動に着目したプロセス設計を試みた.その結果,パターン底部における反応活性を均一化させるプロセスを新規に開発し,これにより1~2nm厚のCu中間層表面からのCo-Ptの均一な核発生を実現した.またこのプロセスを用いて形成した,150 nm径のCo-Ptナノドットアレイにおいて5.4 kOeと高い垂直方向保磁力が得られた.さらに,電子線リソグラフィーにより8 nm径25 nm周期および6 nm径18 nm周期のパターン形成を実現すると共に,これに対するCo-Pt強磁性体のの均一充填を可能とした.これらの成果を基に,プラズモン導波のための構造形成や記録再生試験を進める予定である.
2017年度共同研究者:斎藤美紀子, 柳沢雅広, 國本雅宏
研究成果概要:本研究は材料破壊過程を高精度に解析可能な手法の確立を念頭に、その要素技術の確立を目的に検討を進めた。従来の検討よりプラズモンセンサを用いた高感度・高分解能な表面増強ラマン散乱分光系を開発している。その更なる高度化を図るため、アレイ...本研究は材料破壊過程を高精度に解析可能な手法の確立を念頭に、その要素技術の確立を目的に検討を進めた。従来の検討よりプラズモンセンサを用いた高感度・高分解能な表面増強ラマン散乱分光系を開発している。その更なる高度化を図るため、アレイ状構造を有するセンサの形成手法を開発した。また高精度ピエゾ素子による変位制御/計測機構との組み合わせにより、負荷印加時の応力・歪みなどの力学的状態と化学的変化、さらに温度変化の計測も同時に可能な手法を開発した。一方、固液界面系における解析も重要な課題であることから、その解析に適したモデル実験系についても検討を進め、界面近傍のpHなど化学状態をパッシブな状態で高分解能in situ解析可能な手法を開発した。
2017年度共同研究者:ヴォダルツ ジギー, 齋藤美紀子, 國本雅宏, 福中康博
研究成果概要:大面積かつ高い生産性を実現するエネルギー変換デバイスの新しい形成プロセスの確立を念頭に、新規な材料およびプロセス系の開発を試みた。まず新しい水素エネルギーキャリア生成システムのための水電解用電極反応系に着目し、表面微細構造制御によ...大面積かつ高い生産性を実現するエネルギー変換デバイスの新しい形成プロセスの確立を念頭に、新規な材料およびプロセス系の開発を試みた。まず新しい水素エネルギーキャリア生成システムのための水電解用電極反応系に着目し、表面微細構造制御による水素気泡挙動の解析を行った。電極表面にマイクロパターンを形成し表面微細構造の影響を定量的に解析する手法を確立し検討を行った結果、表面微小領域の濡れ性およびパターン形状が水素発生効率に影響することを系統的に明らかにした。また新規な薄膜型太陽電池形成プロセスの確立を念頭に、イオン液体からのSi電析プロセスの最適化を試み、光照射などのプロセスの適用により緻密で平滑な薄膜が得られることを見出した。さらに薄膜電気特性をp型およびn型に制御可能な手法を確立した。
2016年度共同研究者:齋藤美紀子, 國本雅宏
研究成果概要:非平衡電気化学プロセスによるナノ構造の形成および反応プロセスの解析手法を構築し、これを基に新規なエネルギー変換デバイスの創製を念頭に研究を進めた。まず大規模蓄電池への応用を目的とした亜鉛系電極に着目し、充放電による表面形態変化挙動...非平衡電気化学プロセスによるナノ構造の形成および反応プロセスの解析手法を構築し、これを基に新規なエネルギー変換デバイスの創製を念頭に研究を進めた。まず大規模蓄電池への応用を目的とした亜鉛系電極に着目し、充放電による表面形態変化挙動の詳細な解析を行った。その結果、層状成長を阻害するような反応種の生成によりフィラメント状析出が生じることを確認した。またこのような表面析出形態はSnおよびPbの添加により制御可能であることを確認した。また二次電池電極の基幹素材である炭素系材料に関する基礎的な検討として、グラフェンに着目し熱変化挙動の解析を試み、欠陥発生や酸化と熱変化挙動の相関に関する知見を得た。
1995年度
研究成果概要: 機能薄膜分野において注目され始めている“ナノ結晶薄膜”系においては,個々のナノ結晶の性状のみならず,その集合状態というメゾスコピック領域の構造が特性発現を左右することが予想されるが,現状ではこの点はほとんど未解明である。そこで... 機能薄膜分野において注目され始めている“ナノ結晶薄膜”系においては,個々のナノ結晶の性状のみならず,その集合状態というメゾスコピック領域の構造が特性発現を左右することが予想されるが,現状ではこの点はほとんど未解明である。そこで本研究ではナノ結晶集合体の形成機構の原子レベルからの詳細な解析により,集合体形成に影響を与える諸因子の解明,更に集合状態と機能持性の相関性を明らかにし,このような新しい観点からの材料設計に関する基礎的指針を得ることを目的とした。 まず機能特性が極めて構造敏感なことが従来の検討により確認されている無電解Co系磁性薄膜を対象に,集合体形成に影響を与える諸因子について系統的に検討した。その結果錯化剤として添加されているNH3濃度により磁気特性が大きく変化することが明らかとなった。その起源について透過電子顕微鏡等により微細構造解析を行った結果,遊離NH3が結晶成長サイトに吸着し微結晶の成長が阻害されるためであることが明らかとなった。また個々のナノ微結晶内に極微相分離状態が生じ,これが磁気特性発現に大きく影響していることが示唆された。 次に,微粒子集合体形成過程を定量的に評価するため,原子間力顕微鏡を用いた解析を行った。析出基板表面の触媒化状態(すなわち微結晶集合体形成のための“核”の状態)を種々変化させた系における成長過程のScaling解析結果から,各条件における微結晶集合体形成モードを定量的に評価する手法を確立した。 更に原子レベルでの集合体形成過程を検討するため計算機シミュレーションを行った。既存のRDSD(RandomDeposition with Surface Diffusion)モデルに触媒活性度をポテンシャル関数として与えたモデルを構築し,シミュレーションを行った結果,実験により観察されたような表面微細形態変化を良く再現することが確認され,ナノ粒子集合体形成を左右する“触媒活性度”というパラメータを定量的に解析する端緒が得られた。
2002年度共同研究者:逢坂 哲彌, Chidsey, Christopher E.D. , Pianetta, Piero A., Chemla, Marius, Bertagna, Valerie
研究成果概要: マイクロシステムは次世代産業の基幹技術と目されているが,その形成プロセスとして,高速形成性・精密制御性・一括形成性に優れた電気化学的手法は中心的な役割を果たすと期待されている.しかしながら同手法は析出機構などに未だ不明点が多く,... マイクロシステムは次世代産業の基幹技術と目されているが,その形成プロセスとして,高速形成性・精密制御性・一括形成性に優れた電気化学的手法は中心的な役割を果たすと期待されている.しかしながら同手法は析出機構などに未だ不明点が多く,新規プロセスは多大な労力をかけて試行錯誤的に開発されており,析出機構の解明・体系化と,それに基づくプロセス設計指針の確立が切望されている.そこで本研究では,電気化学系,すなわち固液界面における金属析出・ナノ構造形成反応の素過程およびこれに影響する種々の因子の解明および得られた知見の総合的考察から,ナノ構造形成反応の体系化およびプロセス設計指針を確立し,これを基にした新規ナノ構造体形成プロセスの実現を目的とした.種々の系の中でも特にデバイス形成の基本であるシリコン表面に対する金属析出系を中心に検討を進めた. まず,シリコンウェハ表面と金属イオン種の反応に関するこれまでのスタンフォード大学との共同研究の結果から得られている,表面微小欠陥サイトにおいて金属イオン種の還元析出反応が優先的に進行するという知見を基に,任意形状のナノ欠陥をパターン形成することにより,極めて単純な系からCu,Ag,Au,Coなどの金属ナノ構造体を形成可能とするプロセスを開発した.これは,各種の微細導電回路,ナノ磁石アレイなどの形成に適用できるものである. 一方,このようなナノ構造形成反応,あるいはその反応活性を検討するには,表面への金属析出反応および析出した金属量の定量解析が不可欠である.しかしながらその量は極めて微小であることから,通常の解析手法の適用は困難である.そこで,スタンフォード軌道放射光研究所の全反射型蛍光X線解析(SR-TXRF)を用いて検討を行った.その結果,反応機構および析出金属種の性質に対する溶存酸素の影響を明らかにすることが出来た.さらに同研究所のX線吸収端近傍微細構造解析(SR-XANES)から,析出した金属ナノ構造体の酸化過程を定量的に解析することが出来た. さらに,パリ大およびオルレアン大との共同研究研究により,複数の金属イオン種が共存する系からのナノ構造形成について検討を行った,その結果,特にFeの析出に対しCuが触媒的に作用することを明らかにした. 以上の結果から,シリコンウェハ表面への電気化学的手法による新規金属ナノ構造形成プロセスを確立すると共に,その析出反応機構についても明らかにした.なおこれらの内容については引き続き共同研究を進めると共に,米国国立科学財団(NSF)シリコンウェハ工学産学協同研究センターのプロジェクト研究の一部へと展開している.
2006年度
研究成果概要:本研究は,電気化学的手法によるナノ加工プロセス,特に位置選択的Si電解エッチングによる微細孔配列形成と金属析出形成を中心に,反応プロセスの詳細な解析を進めながら,それらのナノ容量ガラスセルアレイ形成および機能金属ナノ構造体形成への...本研究は,電気化学的手法によるナノ加工プロセス,特に位置選択的Si電解エッチングによる微細孔配列形成と金属析出形成を中心に,反応プロセスの詳細な解析を進めながら,それらのナノ容量ガラスセルアレイ形成および機能金属ナノ構造体形成への応用,およびマイクロリアクターへの応用,などの検討を行い,精密に制御可能な電気化学ナノプロセスの設計指針を確立すると共に,これを応用した各種の新規なシステムの構築へと展開することを目的とした. まず,申請者が開発した, Siウェハに位置選択的に微細孔アレイを形成する光照射援用陽極化成プロセスにおいて,より高い精度での微細孔形成を実現するため,照射光の波長・照度,ウェハ厚・比抵抗,表面開口部の径・形状・間隔などについて系統的検討を行った.その結果,光照射条件の制御により,初期開口径に対し,1/1~1/5程度の範囲で形成される孔のサイズを制御可能であることを見出した.また,このプロセスに表面酸化(ガラス化)と選択的エッチングを組み合わせ,高精度でナノ容量ガラスチューブアレイを形成するプロセスを確立すると共に,形成されたガラスチューブアレイに非線形拡散を利用したエッチングプロセスを適用することにより,個々のチューブの先端にnmの精度で均一な径の貫通孔を形成するプロセスを開発した.さらにこのプロセスを用いて形成されたナノノズルのアレイから微小径の還元性ガス気泡(ナノバブル)を吐出させ,液相中の金属イオンの還元析出反応によるナノ粒子合成のためのリアクターシステムを構築した. 一方,複雑な反応系を伴うこのような電気化学反応系を原子レベルから解析するため,上記のように分子種(還元剤)からの電子供給により金属が反応析出する,無電解めっき反応の素過程レベルからの解析とモデル化を進めた.代表的な還元剤や添加剤種の反応機構および作用機構を実験・理論計算両面から解析し,析出金属表面サイトの触媒活性度や添加剤の影響などを定量化したモデルを構築した.これらの成果を基に,今後,種々の精密なナノ構造体形成プロセスおよびそれを利用したシステム形成への展開を進める足がかりを得た.
2007年度
研究成果概要:ナノ粒子はバルクでは発現困難な新規な機能を有する材料として,種々の分野への応用が検討されている.特に,触媒,磁性体,ドラッグデリバリーなどの分野で,より高い機能の発現が期待されている.ナノ粒子の合成には,現在,組成や物性を広範に調...ナノ粒子はバルクでは発現困難な新規な機能を有する材料として,種々の分野への応用が検討されている.特に,触媒,磁性体,ドラッグデリバリーなどの分野で,より高い機能の発現が期待されている.ナノ粒子の合成には,現在,組成や物性を広範に調整可能である点から,液相中における化学的合成手法が広く検討され,逆ミセルを形成させて反応領域を規制する手法などが用いられている.しかしながら,このような方法では析出プロセスの積極的制御は難しいため,所望のナノ粒子を得るには多くの試行錯誤的な検討を重ねなければならず,これらを精密かつ自在に制御可能な手法が強く求められている.本研究では,電気化学反応系をベースにしたマイクロリアクタ-を用い,液液界面および微小気泡表面の気液界面を反応場に利用した金属の無電解析出反応により,微小反応場を利用した,新たなナノ粒子の合成手法の開発を目的とした. まず,チャネルフロー型のマイクロリアクタに金属イオン溶液と還元剤溶液の安定な液液界面を形成し,これをナノ粒子合成の反応場に利用し,さらにその多段接続により,コアシェル型などの高次構造型ナノ粒子の一括合成を目指して検討を行った結果,Cu,Ptなどの系において高次構造を有するナノ粒子を合成可能であることを確認すると同時に,チャネル長や流速といった因子の制御により,精密な合成制御が可能であることを明らかとした.さらに,電気化学微細加工プロセスにより形成したナノノズルアレイを用い,金属イオン種を含む溶液中に還元性気体(CO等)のナノバブルを吐出することにより,気液界面における還元析出反応による金属ナノ粒子の形成を実現した.これらのプロセスは,金属ナノ粒子の無電解析出反応のみならず,表面被覆による高次構造形成など多様な系に適用可能なものであることから,種々のナノ粒子合成への広範な応用展開が期待される.
科目名 | 開講学部・研究科 | 開講年度 | 学期 |
---|---|---|---|
無機化学A | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
無機化学A 【前年度成績S評価者用】 | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
応用化学基礎演習A | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
応用化学基礎演習A 【前年度成績S評価者用】 | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
無機・分析化学実験I | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
無機・分析化学実験I 【前年度成績S評価者用】 | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
物理化学B | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
物理化学B 【前年度成績S評価者用】 | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
応用化学基礎演習D | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
応用化学基礎演習D 【前年度成績S評価者用】 | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
応用化学実験I | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
応用化学実験I 【前年度成績S評価者用】 | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
応用化学総論 | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
応用化学総論 【前年度成績S評価者用】 | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
物理化学実験 | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
物理化学実験 【前年度成績S評価者用】 | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
応用化学専門演習 | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
応用化学専門演習 【前年度成績S評価者用】 | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
工業化学実験I | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
工業化学実験I 【前年度成績S評価者用】 | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
卒業論文 | 先進理工学部 | 2020 | 通年 |
卒業論文 【前年度成績S評価者用】 | 先進理工学部 | 2020 | 通年 |
工業化学実験II | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
工業化学実験II 【前年度成績S評価者用】 | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
電気化学 | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
電気化学 | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
上級物理化学B | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
Graduation Thesis A | 先進理工学部 | 2020 | 秋学期 |
Graduation Thesis B | 先進理工学部 | 2020 | 春学期 |
パワーリソースオプティマイズ講義(初級) | 大学院基幹理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
パワーリソースオプティマイズ講義(初級) | 大学院創造理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
パワーリソースオプティマイズ講義(初級) | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
電力・エネルギーマテリアル現場演習 | 大学院基幹理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
電力・エネルギーマテリアル現場演習 | 大学院創造理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
電力・エネルギーマテリアル現場演習 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
高度技術外部実習(初級) (エネルギーマテリアル) | 大学院基幹理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
高度技術外部実習(初級) (エネルギーマテリアル) | 大学院創造理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
高度技術外部実習(初級) (エネルギーマテリアル) | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
パワーリソースオプティマイズ講義(上級) | 大学院基幹理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
パワーリソースオプティマイズ講義(上級) | 大学院創造理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
パワーリソースオプティマイズ講義(上級) | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
高度技術外部実習(上級) (エネルギーマテリアル) | 大学院基幹理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
高度技術外部実習(上級) (エネルギーマテリアル) | 大学院創造理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
高度技術外部実習(上級) (エネルギーマテリアル) | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 集中(春・秋学期) |
修士論文(応化) | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
修士論文(ナノ理工) | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
Research on Functional Surface Chemistry | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
機能表面化学研究 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
Advanced Physical Chemistry B | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 春学期 |
物理化学特論B | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 春学期 |
物理化学特論B | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 春学期 |
ナノマテリアルアナリシス | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋学期 |
無機機器分析法 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋学期 |
Nanochemical Systems | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋クォーター |
ナノ化学システム特論 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋クォーター |
応用電気化学特論A | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋クォーター |
応用化学特別実験 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
特定課題演習・実験 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
応用化学研究倫理 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 集中講義(春学期) |
応用化学研究倫理 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 集中講義(春学期) |
Seminar on Functional Surface Chemistry A | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 春学期 |
機能表面化学演習A | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 春学期 |
Seminar on Functional Surface Chemistry B | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋学期 |
機能表面化学演習B | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋学期 |
Research on Surface Chemistry of Nanostructured Materials | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
ナノ機能表面化学研究 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
Experiments in Nanoscience and Nanoengineering | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
ナノ理工学専攻特別実験 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
Seminar on Nanofunctional Surface Chemistry A | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 春学期 |
ナノ機能表面化学演習A | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 春学期 |
Seminar on Nanofunctional Surface Chemistry B | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋学期 |
ナノ機能表面化学演習B | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋学期 |
Seminar on Nanofunctional Surface Chemistry C | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 春学期 |
ナノ機能表面化学演習C | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 春学期 |
Seminar on Nanofunctional Surface Chemistry D | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋学期 |
ナノ機能表面化学演習D | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋学期 |
Master's Thesis (Department of Applied Chemistry) | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
Master's Thesis (Department of Nanoscience and Nanoengineering) | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
機能表面化学研究 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
実践的化学知演習I | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 春学期 |
実践的化学知演習I | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋学期 |
実践的化学知演習II | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 春学期 |
実践的化学知演習II | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 秋学期 |
ナノ機能表面化学研究 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
ナノ磁性材料研究 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
応用化学研究A 本間 敬之 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
研究機関実習 18前 | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
研究機関・企業実習A | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
研究機関・企業実習B | 大学院先進理工学研究科 | 2020 | 通年 |
2002年
概要:電気化学会編集により,種々の電気化学的測定手法について,これから実際に測定を行おうとしている卒業論文生あるいは大学院生の手引きとなることを目的とした書であり,電気化学の初歩から実際の適用例を詳細に解説している.全164ページ.このうち4.5章無電解めっき法を担当し,熱力学的見地からの反応機構の基礎やその解析法,種々のめっき浴系の特徴,さらに無電解反応系を用いた薄膜形成と評価の実際などについて,自分のこれまでの教育指導経験を基に,つまずきやすいところの丁寧な解説に留意しながら詳細に解説している(p.135〜142).
2000年
概要:表面技術協会編集による, 湿式法から乾式法まで様々な薄膜形成手法および表面処理手法の理論と応用を網羅したものであり,主に表面処理工学を初めて学ぶ学部高学年生・大学院生および実務者を対象とした教材である.全280ページ.このなかで3.2章「無電解めっき」を執筆した.無電解めっき法の基礎理論および形成される薄膜のナノ構造と機能特性発現機構の相関,さらに種々の機能デバイスへの応用について述べた.第3章3.1項ウェットプロセスの種類と特徴(p.25〜27)および3.2項無電解めっき(p.47〜51)を執筆した.
1995年
概要:電気化学会の編により「電気化学および工業物理化学(電気化学会誌)」に連載で掲載された,電気化学分野の初学者を対象とした「ケーススタディ 電気化学における測定と評価」の第1章として,「機能性薄膜材料の評価(1)磁性薄膜材料」を執筆した(電気化学および工業物理化学,63巻,p.281〜285). 磁性薄膜材料の作製法およびその微細構造と磁気特性の相関の解析,特性向上のための材料設計指針などについて,自らのデータを中心に実例を取り上げながら解説した.
1990年
概要:表面技術協会の編により同協会誌に連載で掲載された「シリーズ/薄膜の物理的性質評価」の第3章として,磁性薄膜材料評価法について執筆した(表面技術,40巻,p.1234〜1238).物理系の専攻でない学生の入門用教材として適切な内容となるよう,磁性の基礎からその測定法の概略,また各種磁性薄膜の特性評価法について平易に解説した.
2005年03月
概要:第52回応用物理学関係連合講演会における「これからの物理教育・科学教育シンポジウム」において,日本化学会・化学教育協議会・化学グランプリ・オリンピック委員会委員長として,全国高校化学グランプリ及び国際化学オリンピックに対するこれまでの取り組みと現状,および今後の展望を説明した(依頼講演).