氏名

カワラダ ヒロシ

川原田 洋

職名

教授 (https://researchmap.jp/read0079538/)

所属

(基幹理工学部)

連絡先

メールアドレス

メールアドレス
kawarada@waseda.jp

住所・電話番号・fax番号

住所
〒169-8555新宿区 大久保3-4-1 早稲田大学理工学術院 基幹理工学部 電子物理システム学科
電話番号
03-5286-3391
fax番号
03-5286-3391

URL等

WebページURL

http://www.kawarada-lab.com/

研究者番号
90161380

本属以外の学内所属

兼担

理工学術院(大学院基幹理工学研究科)

理工学術院(大学院先進理工学研究科)

学内研究所等

理工学総合研究センター

兼任研究員 1989年-2006年

ライフサポートイノベーション研究所

研究所員 2014年-2014年

グリーンデバイス研究所

研究所員 2010年-2013年

ナノテクノロジー研究所

研究所員 2007年-2014年

グリーンデバイス研究所

プロジェクト研究所所長 2010年-2013年

グリーンデバイス研究所

運営委員 2014年-2014年

グリーンデバイス研究所

研究所員 2015年-

ナノテクノロジー研究所

研究所員 2015年-

ライフサポートイノベーション研究所

研究所員 2015年-

アンビエントロニクス研究所

研究所員 2018年-

理工学術院総合研究所(理工学研究所)

兼任研究員 2006年-2018年

理工学術院総合研究所(理工学研究所)

兼任研究員 2018年-

グリーンデバイス研究所

プロジェクト研究所所長 2014年-2018年

学歴・学位

学歴

-1978年 早稲田大学 理工学部 電子通信学科
-1985年 早稲田大学 理工学研究科 電気工学

学位

工学博士 早稲田大学

経歴

1995年04月-早稲田大学理工学部教授
1995年08月-1996年09月ドイツ・フンボルト財団フラウンホーファー研究所(応用固体物理部門)研究員
1990年04月-1995年03月早稲田大学理工学部助教授
1986年04月-1990年03月大阪大学工学部電気工学科助手
1983年04月-1985年03月早稲田大学理工学部助手
1980年04月-1982年03月日立製作所半導体事業部プロセス技術開発部
2017年04月-名古屋大学未来材料・システム研究所客員教授

所属学協会

応用物理学会 理事

委員歴・役員歴(学外)

2010年04月-2014年03月(社)ニューダイヤモンドフォーラム会長
2005年04月-2007年03月応用物理学会理事
2012年10月-日本学術会議連携会員
2014年04月-(社)ニューダイヤモンドフォーラム顧問

受賞

応用物理学会フェロー表彰

2010年

超伝導科学技術賞

2007年

文部科学大臣表彰 科学技術賞(研究部門) 

2016年04月

タイトル:ダイヤモンドパワートランジス タおよびバイオセンサの研究

その他基本情報

科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業 研究領域「電子・光子等の機能制御」 研究課題「表面吸着原子制御による極微細ダイヤモンドデバイス」雇用研究員(k2001.10)

研究分野

キーワード

電子デバイス・機器工学、半導体工学、ナノテクノロジー

科研費分類

工学 / 電気電子工学 / 電子・電気材料工学

研究テーマ履歴

2006年-2006年萌芽研究「超長寿命触媒微粒子によるセンチメートル長垂直配向単層カーボンナノチューブ合成」研究代表者

個人研究

2007年-2011年アンビエントSoC教育研究の国際拠点 研究分担者

国際共同研究

2009年-2010年萌芽研究「一塩基遺伝子変異および特定タンパク質検出用ダイヤモンドトランジスタ」研究代表者

研究テーマのキーワード:ナノバイオ、電子デバイス・機器、核酸、蛋白質、微細プロセス技術

個人研究

2007年-2011年基盤研究S「高密度正孔ガスを利用したダイヤモンド高出力ミリ波トランジスタ」研究代表者

個人研究

2006年-2009年NEDO MIRAIプロジェクト「先端放電ラジカルCVD方式の研究」研究分担者

国内共同研究

1998年-2003年「表面吸着原子制御による極微細ダイヤモンドデバイス」研究代表者

国内共同研究

2000年-2005年COEプロジェクト「ナノ構造配列を基盤する分子ナノ工学の構築とマイクロシステムへの展開」研究分担者

国内共同研究

2002年-2006年「高密度励起子状態を利用したダイヤモンド紫外線ナノデバイスの開発」研究分担者

国内共同研究

2003年-2005年NEDO極限機能プロジェクト「低抵抗ソース・ドレイン領域と高品質絶縁膜の開発および0.2μmのゲート作製プロセス開発」研究分担者

国内共同研究

2003年-2005年基盤研究A「ダイヤモンド薄膜表面の導電性制御によるハイパワー高周波トランジスタの開発」研究代表者

研究テーマのキーワード:半導体物性、電子デバイス・機器、電子・電気材料

個人研究

論文

Lithographically engineered shallow nitrogen-vacancy centers in diamond for external nuclear spin sensing

Ryosuke Fukuda, Priyadharshini Balasubramanian, Itaru Higashimata, Godai Koike, Takuma Okada, Risa Kagami, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Moriyoshi Haruyama, Keisuke Yamada, Masafumi Inaba, Hayate Yamano, Felix M. Stürner, Simon Schmitt, Liam P. McGuinness, Fedor Jelezko, Takeshi Ohshima, Takahiro Shinada, Hiroshi Kawarada, Wataru Kada & 3 others

JournalNew Journal of Physics査読有り20(8)p.083029/1 - 083029/92018年08月-

DOI

Vertical-type two-dimensional hole gas diamond metal oxide semiconductor field-effect transistors

N. Oi, M. Inaba, S. Okubo, I. Tsuyuzaki, T. Kageura, S. Onoda, A. Hiraiwa H.Kawarada

Scientific Reports査読有り8p.10660/1 - 10660/102018年07月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Role of carboxyl and amine termination on a boron-doped diamond solution gate field effect transistor (SGFET) for PH sensing

S. Falina, S. Kawai, N. Oi, H. Yamano, T. Kageura, E. Suaebah, M. Inaba, Y. Shintani, M. Syamsul, H. Kawarada

Sensors査読有り18(7)p.2178/1 - 2178/102018年07月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Electrical contact properties between carbon nanotube ends and a conductive atomic force microscope tip

M. Inaba, K. Ohara, M. Shibuya, T. Ochiai, D. Yokoyama, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

J. Appl. Phys.査読有り123p.244502/1 - 244502/82018年06月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Time-dependent dielectric breakdown of atomic-layer-deposited Al2O3 films on GaN

A. Hiraiwa, T. Sasaki, S. Okubo, K. Horikawa, and H. Kawarada

J. Appl. Phys.査読有り123p.155303/1 - 155303/92018年04月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

In-plane electrical conduction mechanisms of highly dense carbon nanotube forests on silicon carbide

K. Matsuda, W. Norimatsu, J. Bao, H. Kawarada, M. Kusunoki

J. Appl. Phys.査読有り123p.145104/1 - 145104/72018年01月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Heteroepitaxial diamond field-effect transistor for high voltage applications

Mohd Syamsul, N. Oi, S. Okubo, T. Kageura, H. Kawarada

IEEE Electron Device Letters査読有り39(1)p.51 - 542018年01月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Sheet resistance underneath the Au ohmic-electrode on hydrogen-terminated surface-conductive diamond (001)

S.Kono, T.Sasaki, M.Inaba, A.Hiraiwa, H.Kawarada

Diamond and Related Materials査読有り80p.93 - 982017年11月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Polycrystalline Boron-doped diamond electrolyte-solution-gate field-effect transistor for an application to the measurement of water percentage in ethanol

Y. Shintani, H. Kawarada

Analytical Sciences査読有り33(10)p.1193 - 11962017年10月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Aptamer-based carboxyl-terminated nanocrystalline diamond sensing arrays for adenosine triphosphate detection

E. Suaebah, T. Naramura, M. Myodo, M. Hasegawa, S. Shoji, J.J. Buendia, H. Kawarada

Sensors査読有り17(7)p.1686/1 - 1686/132017年07月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Threshold voltage control of electrolyte solution gate field-effect transistor by electrochemical oxidation

T. Naramura, M. Inaba, S. Mizuno, K. Igarashi, E. Kida, S. F. Mohd Sukri, Y. Shintani, H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.査読有り111p.013505/1 - 013505/52017年07月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

An All-Solid-State pH Sensor Employing Fluorine-Terminated Polycrystalline Boron-Doped Diamond as a pH-Insensitive Solution-Gate Field-Effect Transistor

Y. Shintani, M. Kobayashi, H. Kawarada

Sensors査読有り17(5)p.1040/1 - 1040/72017年05月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Vertical edge graphite layer on recovered diamond (001) after high-dose ion implantation and high-temperature annealing

M. Inaba, A. Seki, K. Sato, T. Kushida, T.Kageura, H. Yamano, A. Hiraiwa, H.Kawarada

Phys. Status Solidi B査読有り254(9)p.1700040 - 17000402017年05月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Effect of a radical exposure nitridation surface on the charge stability of shallow nitrogen-vacancy centers in diamond

T. Kageura, K. Kato, H. Yamano, E. Suaebah, M. Kajiya, S. Kawai, M. Inaba, T. Tanii, M. Haruyama, K. Yamada, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, T. Teraji, J. Isoya, S. Kono, and H. Kawarada

Appl.Phys.Express査読有り10(5)p.055503 /1 - 055503 /42017年04月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Smart Power Devices and ICs Using GaAs and Wide and Extreme Bandgap Semiconductors

T. Paul Chow; I. Omura; M. Higashiwaki; H. Kawarada; V. Pala

IEEE Transactions on Electron Devices査読有り64(3)p.856 - 8732017年03月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Charge state stabilization of shallow nitrogen vacancy centers in diamond by oxygen surface modification

H. Yamano, S. Kawai, K. Kato, T. Kageura, M. Inaba, T. Okada, I. Higashimata, M. Haruyama, T. Tanii, K. Yamada, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, T. Teraji, J. Isoya, and H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys.査読有り56(4S)p.04CK08/1 - 04CK08/72017年03月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Normally-off C-H Diamond MOSFETs with Partial C-O Channel Achieving 2-kV Breakdown Voltage

Y. Kitabayashi, T. Kudo, H. Tsuboi, T. Yamada, D. Xu, M. Shibata, D. Matsumura, Y. Hayashi, M. Syamsul, M. Inaba, A. Hiraiwa and H. Kawarada

IEEE Electron Device Lett.査読有り38(3)p.363 - 3662017年03月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

High voltage stress induced in transparent polycrystalline diamond field-effect transistor and enhanced endurance using thick Al2O3 passivation layer

M. Syamsul, Y. Kitabayashi, T. Kudo, D. Matsumura, H. Kawarada

IEEE Electron Device Lett.査読有り38(5)p.607 - 6102017年03月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Durability-enhanced two-dimensional hole gas of C-H diamond surface for complementary power inverter applications

H. Kawarada, T. Yamada , Dechen Xu , H. Tsuboi , Y. Kitabayashi , D. Matsumura , M. Shibata , T. Kudo , M. Inaba , A. Hiraiwa

Scientific Reports査読有り7p.42368/1 - 42368/82017年02月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Post-deposition-annealing effect on current conduction in Al2O3 films formed by atomic layer deposition with H2O oxidant

A. Hiraiwa, D. Matsumura, S. Okubo, and H. Kawarada

J. Appl. Phys.査読有り121p.074502/1 - 074502/82017年02月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Aptamer strategy for ATP detection on nanocrystalline diamond functionalized by a nitrogen and hydrogen radical beam system

E. Suaebah, Y. Seshimo, M. Shibata, S. Kono, M. Hasegawa, and H. Kawarada

J. Appl. Phys査読有り121(4)p.044506/1 - 044506/62017年01月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

High voltage breakdown (1.8 kV) of hydrogenated black diamond field effect transistor

M. Syamsul, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, T. Saito, Y. Shintani, H. Kawarada

Applied Physics Letters査読有り109p.203504/1 - 203504/42016年11月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Polycrystalline boron-doped diamond with an oxygen-terminated surface channel as an electrolyte-solution-gate field-effect transistor for pH sensing

Y. Shintani, S. Ibori, K. Igarashi, T. Naramura, M. Inaba, H. Kawarada

Electrochimica Acta査読有り212p.10 - 152016年10月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Spin-induced anomalous magnetoresistance at the (100) surface of hydrogen-terminated diamond

T. Yamaguchi, Y. Sasama, M. Tanaka, H. Takeya, Y. Takano, T. Kageura, and H. Kawarada

Phys. Rev. B査読有り94(16)p.161301/1 - 161301/52016年10月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Effect of atomic layer deposition temperature on current conduction in Al2O3 films formed using H2O oxidant

A. Hiraiwa, D. Matsumura, H. Kawarada

Journal of Applied Physics査読有り120p.084504/1 - 084504/102016年08月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Hydrogen-terminated diamond vertical-type metal oxide semiconductor field-effect transistors with a trench gate

M. Inaba, T. Muta M. Kobayashi, T. Saito, M. Shibata, D. Matsumura, T. Kudo, A. Hiraiwa and H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.査読有り109p.033503/1 - 033503/42016年07月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Diamond MOSFETs using 2D hole gas with 1700V breakdown voltage

H. Kawarada, T. Yamada, D. Xu, Y. Kitabayashi, M. Shibata, D. Matsumura, M. Kobayashi, T. Saito, T. Kudo,M. Inaba, A. Hiraiwa

2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)査読有りp.483 - 4862016年07月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

Ohmic contact for silicon carbide by carbon nanotubes

M. Inaba, K. Suzuki, Y. Hirano, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

Materials Science Forum査読有り858p.561 - 5642016年05月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Radially oriented nanostrand electrodes to boost glucose sensing in mammalian blood

Naeem Akhtar ; Sherif A. El-Safty ; Mamdouh E. Abdelsalam ; Mohamed A. Shenashen ; Hiroshi Kawarada

Biosensors and Bioelectronics査読有り77p.656 - 6652016年03月-

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Space-charge-controlled field emission model of current conduction through Al2O3 films

A. Hiraiwa, D. Matsumura, H. Kawarada

Journal of Applied Physics査読有り119(6)p.064505/1 - 064505/132016年02月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Contact Conductivity of Uncapped Carbon Nanotubes Formed by Silicon Carbide Decomposition

M. Inaba, C.-Y. Lee, K. Suzuki, M. Shibuya, M.Myodo, Y. Hirano, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H.Kawarada

Journal of Physical Chemistry C査読有り120(11)p.6232 - 62382016年02月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Direct partial CH3 termination into carboxyl terminated diamond surface for biosensor

E. Suaebah, T. Naramura, H. Kawarada

2015 IEEE SENSORS査読有りp.1 - 42015年12月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

Electron transport dependence of nanoscale hemeprotein molecular structures for engineering electrochemical nanosensor

N. Akhtar, S. A. El-Safty, M. E. Abdelsalam, H. Kawarada

Nano-Structures and Nano-Objects査読有り2p.35 - 442015年08月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

One-Pot Fabrication of Dendritic NiO@carbon-nitrogen Dot Electrodes for Screening Blood Glucose Level in Diabetes

N. Akhtar, S. A. El-Safty, M. E. Abdelsalam, H. Kawarada

Advanced Healthcare Materials査読有り4(14)p.2110 - 21192015年08月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Functionalized carbon microarrays platform for high sensitive detection of HIV-Tat peptide

V. Penmatsa ; R. A. Rahim ; H. Kawarada

RSC Advances査読有り5(80)p.65042 - 650472015年07月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Isotope analysis of diamond-surface passivation effect of high-temperature H2O-grown atomic layer deposition-Al2O3 films

A. Hiraiwa, T. Saito,D. Matsumura, H. Kawarada

Journal of Applied Physics査読有り117p.215304/1 - 215304/102015年06月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Large-current-controllable carbon nanotube field-effect transistor in electrolyte solution

M. Myodo, M. Inaba, K. Ohara, R. Kato, M. Kobayashi, Y. Hirano, K. Suzuki, H. Kawarada

Applied Physics Letters査読有り106p.213503/1 - 213503/42015年05月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Very low Schottky barrier height at carbon nanotube and silicon carbide interface

M. Inaba, K. Suzuki, M. Shibuya, C.-Y. Lee, Y. Masuda, N. Tomatsu, W. Norimatsu, A. Hiraiwa, M. Kusunoki, H. Kawarada

Applied Physics Letters査読有り106p.123501/1 - 123501/52015年03月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Blocking characteristics of diamond junctions with a punch-through design”,  Journal of Applied Physics

A. Hiraiwa, H. Kawarada

Journal of Applied Physics査読有り117(12)p.124503/1 - 124503/62015年03月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Signature of high T c above 25 K in high quality superconducting diamond

H. Okazaki, T. Wakita, T. Muro, T. Nakamura, Y. Muraoka, T. Yokoya, S. Kurihara, H. Kawarada, T. Oguchi, Y. Takano

Applied Physics Letters査読有り106(5)p.052601/1 - 052601/42015年02月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Room-temperature amorphous alloy field-effect transistor exhibiting particle and wave electronic transport

M. Fukuhara ,H. Kawarada

Journal of Applied Physics査読有り117(8)p.084302/1 - 084302/52015年02月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Repulsive effects of hydrophobic diamond thin films on biomolecule detection

A. Rahim Ruslinda, Y. Ishiyama, V. Penmatsa, S. Ibori, H. Kawarada

Applied Surface Science査読有り328p.314 - 3182015年02月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Wide Temperature (10K- 700K) and High Voltage (~1000V) Operation of C-H Diamond MOSFETs for Power Electronics Application

H. Kawarada, H. Tsuboi, T. Yamada, D. Xu, T. Saito, A. Hiraiwa

IEEE IEDM 2014 IEEE International Electron Devices Meeting査読有りp.11.2.1 - 11.2.42014年12月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)

Depth Profiles of Absorbed Hydrogen in Ni-Nb-Zr Amorphous Alloy Ribbons by Glow Discharge Optical Emission Spectroscopy

R. Y. Umetsu, M. Saito, T. Sasaki, T. Sekiguchi, J. Mizuno, H. Kawarada

Open Journal of Metal査読有り4(4)p.112 - 1192014年12月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Substitution effects of cr or fe on the curie temperature for Mn-based layered compounds MnAlGe and MnGaGe with Cu2Sb-type structure

R. Y. Umetsu; Y. Mitsui; I. Yuito; T. Takeuchi; H. Kawarada

IEEE Transactions on Magnetics査読有り50(11)p.1001904/1 - 1001904/42014年11月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

ダイヤモンド・トランジスタのバイオセンシングへの適用

川原田 洋

化学と工業査読有り招待有り67(11)p.983 - 9852014年11月-

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

C-H surface diamond field effect transistors for high temperature (400°C) and high voltage (500V) operation

H. Kawarada, H. Tsuboi, T. Naruo, T. Yamada, D. Xu, A. Daicho, T. Saito, A. Hiraiwa

Appl. Phys. Lett .105(1)p.013510/1 - 013510/42014年07月-

DOI

詳細

掲載種別:研究論文(学術雑誌)

Quantum oscillations of the two-dimensional hole gas at atomically flat diamond surfaces

T.Yamaguchi, H. Okazaki, K. Deguchi, S. Uji, H. Takeya, Y. Takano, H. Tsuboi, H.Kawarada

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics89(23)p.235304/1 - 235304/52014年06月-

DOI

Diamond surface conductivity: Properties, devices, and sensors

C. I. Pakes, J. A. Garrido, H. Kawarada

MRS Bulletin39(6)p.542 - 5482014年06月-

DOI

High-reliability passivation of hydrogen-terminated diamond surface by atomic layer deposition of Al2O3

A. Daicho, T. Saito, S. Kurihara, A. Hiraiwa, H. Kawarada

Journal of Applied Physics115(22)p.223711/1 - 003711/42014年06月-

DOI

Accuracy assessment of sheet-charge approximation for Fowler-Nordheim tunneling into charged insulators

Atsushi Hiraiwa , Tatsuya Saito, Akira Daicho, and Hiroshi Kawarada

J. Appl. Phys.114(13)p.134501/1 - 134501/92013年10月-

DOI

Effect of hydrogen absorption on electrical transport properties for Ni36Nb24Zr40 amorphous alloy ribbons

Rie Y. Umetsu, Hajime Yoshida, Mikio Fukuhara, Shin-Ichi Yamaura, Makoto Matsuura, Toshio Sasaki, Tetsushi Sekiguchi, Mikiko Saito, Jun Mizuno, Hiroshi Kawarada

Materials Transactions54(8)p.1339 - 13422013年07月-

DOI

Figure of merit of diamond power devices based on accurately estimated impact ionization processes

Atsushi Hiraiwa and Hiroshi Kawarada

J. Appl. Phys.114(3)p.034506/1 - 034506/92013年07月-

DOI

Spatial variation of tunneling spectra in (111)-oriented films of boron-doped diamond probed by STM/STS

T.Nishizaki, T. Sasaki, N.Kobayashi, Y. Takano, M.Nagao, H.Kawarada

International Journal of Modern Physics B27(15)p.1362014/1 - 1362014/72013年07月-

DOI

Low-temperature transport properties of holes introduced by ionic liquid gating in hydrogen-terminated diamond surfaces

Takahide Yamaguchi, Eiichiro Watanabe, Hirotaka Osato, Daiju Tsuya, Keita Deguchi, Tohru Watanabe, Hiroyuki Takeya, Yoshihiko Takano, Shinichiro Kurihara, Hiroshi Kawarada

Journal of the Physical Society of Japan82(7)p.074718/1 - 074718/62013年06月-

DOI

Increasing the length of a single-wall carbon nanotube forest by adding titanium to a catalytic substrate

T. Ohashi; T. Ochiai; T. Tokune; H. Kawarada

Carbon57p.79 - 872013年06月-

DOI

Understanding the stability of a sputtered Al buffer layer for single-walled carbon nanotube forest synthesis

T. Ohashi; R. Kato; T. Tokune; H. Kawarada

Carbon57p.401 - 4092013年06月-

DOI

Effect of hydrogen and cluster morphology on the electronic behavior of Ni-Nb-Zr-H glassy alloys with subnanometer-sized icosahedral Zr 5Ni5Nb5 clusters

Mikio Fukuhara; Hajime Yoshida; Hiroshi Kawarada

European Physical Journal D67(2)p.40/1 - 40/42013年03月-

DOI

Functionalized three-dimensional carbon microarrays for cancer biomarker detection

V. Penmatsa, A.R. Ruslinda, M. Beidaghi, H. Kawarada, C. Wang

ECS Transactions45(15)p.7 - 142013年-

DOI

Effects of diamond-FET-based RNA aptamer sensing for detection of real sample of HIV-1 Tat protein

A. R. Rahim, K. Tanabe, S. Ibori, X. Wang, Hiroshi Kawarada

Biosensors and Bioelectronics40(1)p.277 - 2822013年-

DOI

Platelet-derived growth factor oncoprotein detection using three-dimensional)carbon microarrays

V.Penmatsa, , A. R. Rahim , M.Beidaghi, H.Kawarada, C.Wang

Biosensors and Bioelectronics39(1)p.118 - 1232013年-

DOI

Boron δ-doped (111) diamond solution gate field effect transistors

R.Edgington, A.R.Ruslinda, S.Sato, Y.Ishiyama, K.Tsuge, T.Ono, H.Kawarada

Biosensors and Bioelectronics33(1)p.152 - 1572012年-

DOI

Capacitance distribution of Ni-Nb-Zr-H glassy alloys

M.Fukuhara, H.Yoshida, N.Fujima, H.Kawarada

J. of Nanoscience and Nanotechnology12(5)p.3848 - 38522012年-

DOI

Controllable oxidization of boron doped nanodiamond covered with different solution via UV/ozone treatment

X.F.Wang, M.Hasegawa, K.Tsugawa, A.R.Ruslinda, and H.Kawarada

Diamond & Related Materials24p.146 - 1522012年-

DOI

Effective Surface Functionalization of Nanocrystalline Diamond Films by Direct Carboxylation for PDGF Detection via Aptasensor

X. Wang, Y. Ishii, A.R. Ruslinda, M. Hasegawa, H. Kawarada

ACS Appl. Mater. Interfaces4(7)p.3526 - 35342012年-

DOI

Fluorescence-signaling aptasensor for ATP and PDGF detection on functionalized diamond surfaces

A.Rahim Ruslinda, Y. Ishiyama, X. Wang, T. Kobayashi and H. Kawarada

J. Electrochem. Soc.159p.J182 - J1872012年-

DOI

Growth and electrical characterisation of δ-doped boron layers on (111) diamond surfaces

R. Edgington, S. Sato, Y. Ishiyama, R. Morris, R. B. Jackman and Hiroshi Kawarada

J. Appl. Phys.111(3)p.033710 - 0337102012年-

DOI

High Frequency Operation of H-terminated Diamond FETs

H.Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys.51(9)p.0901112012年-

DOI

High Priority of Nanocrystalline Diamond as a Biosensing Platform

X.Wang, S.Kurihara, M.Hasegawa, A.Rahim Ruslinda, H.Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys.51(9)p.0901252012年-

DOI

High quality single-walled carbon nanotube synthesis using remote plasma CVD

T.Ohashi, R.Kato, T.Ochiai, T.Tokune, H.i Kawarada

Diamond and Related Materials24p.184 - 1872012年-

DOI

Highly sensitive detection of platelet-derived growth factor on a functionalized diamond surface using aptamer sandwich design

A. Rahim Ruslinda, Varun Penmatsa, Yoko Ishii, Shinya Tajima and Hiroshi Kawarada

Analyst137(7)p.1692 - 16972012年-

DOI

Mesoporous NiO nanomagnets as catalysts and separators of chemical agents

M. Khairy, S.A.El-Safty, M.Ismael, H.Kawarada

Applied Catalysis B: Environmental127(1-10)2012年-

DOI

Multidirectional porous NiO nanoplatelet-like mosaics as catalysts for green chemical transformations

S.A.El-Safty, M.Khairy, M.Ismael, H.Kawarada

Applied Catalysis B: Environmental123-124p.162 - 1732012年-

DOI

Refractory two-dimensional hole gas on hydrogenated diamond surface

A. Hiraiwa, A. Daicho, S. Kurihara, Y. Yokoyama, and H. Kawarada

J. Appl. Phys.112(12)p.1245042012年-

DOI

Vertical SNS Weak-Link Josephson Junction Fabricated from Only Boron-Doped Diamond

M.Watanabe, Kanomata, S.Kurihara, A.Kawano, S.Kitagoh, T.Yamaguchi Y.Takano, H.Kawarada

Phys. Rev. B85(18)p.1845162012年-

DOI

Aptasensor for Oncoprotein Platelet-Derived Growth Factor Detection on Functonalized Diamond Surface by Signal-Off Optical Method

Y.Ishii, S.Tajima,H.Kawarada

Appl.Phys.Express4(2)p.027001 - 0270012011年-

DOI

Diamond electrolyte solution gate FETs for DNA and protein sensors using DNA/RNA aptamers

H. Kawarada and A. R. Ruslinda

Phys. Status. Solidi A208(9)p.2005 - 20162011年-

DOI

Fabrication of Metal-Oxide-Diamond Field-Effect Transistors with Submicron-Sized Gate Length on Boron-Doped(111) H-Terminated Surfaces Using Electron Beam Evaporated SiO2 and Al2O3

T.Saito, K.-H.Park, K.Hirama, H.Umezawa, M.Satoh, H.Kawarada, Z.-Q.Liu, K.Mitsuishi, K.Furuya and H.Okushi

Journal of Electronic Materials40(3)p.247 - 2522011年-

DOI

Higher coverage of carboxylic acid groups on oxidized single crystal diamond (001)

Xianfen Wang, A. Rahim Ruslinda, Yuichiro Ishiyama, Yoko Ishii, Hiroshi Kawarada

Diamond & Related Materials20(10)p.1319 - 13242011年-

DOI

Human immunodeficiency virus trans-activator of transcription peptide detection via ribonucleic acid aptamer on aminated diamond biosensor

A. Rahim Ruslinda, X. Wang, Y. Ishii, Y. Ishiyama, K. Tanabe and H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.99(12)p.1237022011年-

DOI

Photoemission study of electronic structure evolution across the metalinsulator transition of heavily B-doped diamond", Journal of Physics and Chemistry of Solids

H.Okazaki, T.Arakane, K.Sugawara, T.Sato, T.Takahashi, T.Wakita, M.Hirai, Y.Muraoka, Y.Takano, S.Ishii, S.Iriyama, H.Kawarada, T.Yokota

Journal of Physics and Chemistry of Solids72(5)p.582 - 5842011年-

DOI

Aptamer-based biosensor for sensitive PDGF detection using diamond transistor

A. Rahim Ruslinda, S. Tajima, Y. Ishi, Y. Ishiyama, R. Edgington, H. Kawarada

Biosensors and Bioelectronics26(4)p.1599 - 16042010年-

DOI

Critical concentrations of superconductor to insulator transition in (111) and (001) CVD boron-doped diamond

A. Kawano, H. Ishiwata, S. Iriyama, R. Okada, S. Kitagoh, M. Watanabe, Y. Takano, T. Yamaguchi, H. Kawarada

Physica C470(1)p.S604 - S6072010年-

DOI

Cross-sectional TEM study and lm thickness dependence of Tc in heavily 3 boron-doped superconducting diamond

S. Kitagoh, R. Okada, M. Watanabe, A. Kawano, Y. Takano, T. Chikyow, H.Kawarada

Physica C470(SUPP.1)p.S610 - S6122010年-

DOI

Fabrication of calcium ion sensitive diamond field effect transistors (FETs) based on immobilized calmodulin

J.-H. Yang, M. Degawa, K.-S. Song, C.Wang, H. Kawarada

Materials Letters64(21)p.2321 - 23242010年-

DOI

High-Performance P-Channel Diamond Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on H-Terminated(111)Surface

K.Hirama,K.Tsuge,S.Sato,T.Tsuno,Y.Jingu,S.Yamauchi,H.Kawarada

Appl.Phys.Express3(4)p.0440012010年-

DOI

Low drift and small hysteresis characteristics of diamond electrolyte-solution-gate FET

Y. Sasaki, H. Kawarada

Jornal of Physics D43(37)p.3740202010年-

DOI

Low-temperature synthesis of multiwalled carbon nanotubes by graphite antenna CVD in a hydrogen-free atmosphere

D. Yokoyama, T. Iwasaki, K. Ishimaru, S. Sato, M. Nihei, Y. Awano, H. Kawarada

Carbon48(3)p.825 - 8312010年-

DOI

Schottky barrier heights, carrier density, and negative electron affinity of hydrogen-terminated diamond

K.Tsugawa, H. Noda, K. Hirose, and H. Kawarada

Phys. Rev. B81(4)p.0453032010年-

DOI

Stacked SNS Josephson junction of all boron doped diamond

M. Watanabe, A. Kawano, S. Kitagoh, T. Yamaguchi, Y. Takano, H. Kawarada

Physica C470(SUPPL.1)p.S613 - S6152010年-

DOI

Superconductor-to-insulator transition in boron-doped diamond films grown using chemical vapor deposition

Akihiro Kawano, Hitoshi Ishiwata, Shingo Iriyama, Ryosuke Okada, Takahide Yamaguchi, Yoshihiko Takano, and Hiroshi Kawarada

Phys. Rev. B82(8)p.0853182010年-

DOI

Ultrashallow TiC Source/Drain Contacts in Diamond MOSFETs Formed by Hydrogenation-Last Approach

Y.Jingu, K. Hirama, and H. Kawarada

IEEE Transaction on Electron Devices57(5)p.966 - 9722010年-

DOI

Soft X-ray Core-Level Photoemission Study of Boron Sites in Heavily Boron-Doped Diamond Films Source

H. Okazaki, R. Yoshida, T. Muro, H. Kawarada

J. PHYS. SOC. JPN.78(3)p.0347032009年-

ワイドギャップ半導体ダイヤモンドを用いた高周波高出力MOSFETの開発

平間 一行, 川原田 洋

科学と工業83(4)p.149 - 1562009年-

Channel mobility evaluation for diamond MOSFETs using gate-to-channel capacitance measurement

K. Hirama, H. Takayanagi, S. Yamauchi, J. H. Yang, H. Umezawa, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.17(7-10)p.1256 - 12582008年-

Characterization of Hybridization on Diamond Solution-Gate Field-Effect Transistors for Detecting Single Mismatched Oligonucleotides

J. H. Yang, S. Kuga, K. S. Song, H. Kawarada

Appl. Phys. Express1p.118012008年-

Detection of mismatched DNA on partially negatively charged diamond surface by optical and potentiometric methods

S. Kuga, J. H. Yang, H. Takahashi, K. Hirama, T. Iwasaki, H. Kawarada

J. Am. Chem. Soc.130p.13251 - 132632008年-

Electrical Properties of Carbon Nanotubes Grown at a Low Temperature for Use as Interconnects

D. Yokoyama, K. Ishimaru, T. Iwasaki, S. Sato, T. Hyakushima, M. Nihei, Y. Awano, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys.47(4)p.1985 - 19902008年-

Functionalization of ultradispersed diamond for DNA detection

J. H. Yang, Y. Nakano, Y. Murakami, K. S. Song, H. Kawarada

J. Nanoparticle Research10p.69 - 752008年-

Highly Selective Synthesis of Vertically Aligned Double-Walled Carbon Nanotubes by a Controlled Heating Method and Their Electric Double-Layer Capacitor Properties

T. Iwasaki, T. Maki, D. Yokoyama, H. Kumagai, Y. Hashimoto, T. Asari, H. Kawarada

phys. stat. sol. (RRL)2p.53 - 552008年-

Low-temperature STM/STS studies on boron-doped (111) diamond films

T. Nishizaki, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi, H. Kawarada, N. Kobayashi

J. Phy. Chem. Solids69p.3027 - 30302008年-

Mechanism Analysis of Interrupted Growth of Single-Walled Carbon Nanotube Arrays

T. Iwasaki, J. Robertson, H. Kawarada

Nano. Lett.8p.886 - 8902008年-

Spontaneous polarization model for surface orientation dependence of diamond hole accumulation layer and its transistor performance

K. Hirama, H. Takayanagi, S. Yamauchi, J. H. Yang, H. Kawarada, H. Umezawa

Appl. Phys. Lett.92(11)p.1121072008年-

Vertically aligned carbon nanotube growth from Ni nanoparticles prepared by ion implantation

T. Iwasaki, S. Mejima, T. Koide, R. Morikane, H. Nakayama, T. Shinada, I. Ohdomari, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.17p.1443 - 14462008年-

ホール蓄積層チャネルを用いた高周波ダイヤモンドFET

平間 一行, 川原田 洋

ニューダイヤモンド90p.2 - 92008年-

水素終端ダイヤモンド表面近傍に存在するp型表面蓄積層

川原田 洋, 平間 一行, 荻原 大輔

表面科学29(3)p.144 - 1552008年-

電解質溶液ゲートFETを利用したDNAセンサー

川原田 洋

応用物理77(10)p.1229 - 12342008年-

Growth kinetics of 0.5 cm vertically aligned single-walled carbon nanotubes

G. F. Zhong, T. Iwasaki, J. Robertson, H. Kawarada

J. Phys. Chem. B111(8)p.1907 - 19102007年03月-

Miniaturized diamond field-effect transistors for application in biosensors in electrolyte solution

K. S. Song, T. Hiraki, H. Umezawa, H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.90(6)p.639012007年02月-

Microscopic evidence for evolution of superconductivity by effective carrier doping in boron-doped diamond: B-11-NMR study

H. Mukuda, T. Tsuchida, A. Harada, Y. Kitaoka, T. Takenouchi, Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi, T. Oguchi, H. Kawarada

Phys. Rev. B75(3)p.333012007年01月-

Observation of a superconducting gap in boron-doped diamond by laser-excited photoemission spectroscopy

K. Ishizaka, R. Eguchi, S. Tsuda, T. Yokoya, A. Chainani, T. Kiss, T. Shimojima, T. Togashi, S. Watanabe, C. T. Chen, C. Q. Zhang, Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi, T. Takenouchi, H. Kawarada, S. Shin

Phys. Rev. Lett.98(4)p.470032007年01月-

Core-level electronic structure evolution of heavily boron-doped superconducting diamond studied with hard x-ray photoemission spectroscopy

T. Yokoya, E. Ikenaga, M. Kobata, H. Okazaki, K. Kobayashi, A. Takeuchi, A. Awaji, Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi, T. Takenouchi, K. Kobayashi, H. Kawarada, T. Oguchi

Phys. Rev. B75(20)p.2051172007年-

Electronic Devices

H. Kawarada

Wide Bandgap Semiconductorsp.243 - 2482007年-

Low temperature grown carbon nanotube interconnects using inner shells by chemical mechanical polishing

D. Yokoyama, T. Yoshida, T. Iwasaki, S. Sato, T. Hyakushima, M. Nihei, Y. Awano, H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.91(26)p.2631012007年-

Phonon softening in superconducting diamond

M. Hoesch, T. Fukuda, J. Mizuki, T. Takenouchi, H. Kawarada, J. P. Sutter, S. Tsutsui, A. Q. R. Baron, M. Nagao, Y. Takano

Phys. Rev. B75(14)p.1405082007年-

Superconducting properties of homoepitaxial CVD diamond

Y. Takano, T. Takenouchi, S. Ishii, S. Ueda, T. Okutsu, I. Sakaguchi, H. Umezawa, H. Kawarada, M. Tachiki

Diam. Relat. Mat.16(4-7)p.911 - 9142007年-

Characterization of DNA hybridization on partially aminated diamond by aromatic compounds

J. H. Yang, K. S. Song, G. J. Zhang, M. Degawa, Y. Sasaki, I. Ohdomari, H. Kawarada

Langmuir22(26)p.11245 - 112502006年12月-

Characterization of Direct Immobilized Probe DNA on Partially Functionalized Diamond Solution-gate Field-effect Transistors

J. H. Yang, K. S. Song, S. Kuga, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys. (Express Letter)45(42)p.L1114 - L11172006年11月-

Trapping mechanism on oxygen-terminated diamond surfaces

Y. Itoh, Y. Sumikawa, H. Umezawa, H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.89(20)p.2035032006年11月-

Label-free DNA sensors using ultrasensitive diamond field-effect transistors in solution

K. S. Song, G. J. Zhang, Y. Nakamura, K. Furukawa, T. Hiraki, J. H. Yang, T. Funatsu, I. Ohdomari, H. Kawarada

Phys. Rev. E74(4)p.419192006年10月-

Low-energy electrodynamics of superconducting diamond

M. Ortolani, S. Lupi, L. Baldassarre, U. Schade, P. Calvani, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi, H. Kawarada

Phys. Rev. Lett.97(9)p.970022006年09月-

Semi-quantitative study on the fabrication of densely packed and vertically aligned single-walled carbon nanotubes

G. F. Zhong, T. Iwasaki, H. Kawarada

Carbon44(10)p.2009 - 20142006年08月-

Fabrication of T-shaped gate diamond Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors

K. Hirama, S. Miyamoto, H. Matsudaira, H. Umezawa, H. Kawarada

Jpn.J.Appl.Phys.45(7)p.5681 - 56842006年07月-

pH-sensitive diamond field-effect transistors (FETs) with directly aminated channel surface

K. S. Song, Y. Nakamura, Y. Sasaki, M. Degawa, J. H. Yang, H. Kawarada

Analytica Chimica Acta573(Sp. Iss)p.3 - 82006年07月-

DNA Micropatterning on Polycrystalline Diamond via One?Step Direct Amination

G. J. Zhang, K. S. Song, Y. Nakamura, T. Funatsu, I. Ohdomari, H. Kawarada

Langmuir22p.3728 - 37342006年04月-

Characterization of diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with aluminum oxide gate insulator

K. Hirama, S. Miyamoto, H. Matsudaira, K. Yamada, H. Kawarada, T. Chikyo, H. Koinuma, K. Hasegawa, H. Umezawa

Appl. Phys. Lett.88(11)p.1121172006年03月-

Enhancement of field emission characteristics of tungsten emitters by single-walled carbon nanotube modification

D. Ferrer, T. Tanii, I. Matsuya, G. Zhong, S. Okamoto, H. Kawarada, T. Shinada, I. Ohdomari

Appl. Phys. Lett.88(3)p.331162006年01月-

Low-Temperature Growth of Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Radical CVD

T. Iwasaki, G. Zhong, H. Kawarada

New Diam Front C Tec16(3)p.177 - 1842006年-

pH-sensitive diamond field-effect transistors (FETs) with directly aminated channel surface

K. S. Song, Y. Nakamura, Y. Sasaki, M. Degawa, J. H. Yang, H. Kawarada

Analytica Chimica Acta573-574p.3 - 82006年-

Acoustic and optical phonons in metallic diamond Source

M. Hoesch, T. Fukuda, T. Takenouchi, JP. Sutter, S. Tsutsui, AQR. Baron, M. Nagao, Y. Takano, H. Kawarada, J. Mizuki

Science and Technology of Advanced Materials7p.S31 - S362006年-

B-11-NMR study in boron-doped diamond films

H. Mukuda, T. Tsuchida, A. Harada, Y. Kitaoka, T. Takenouchi, Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi , H. Kawarada

Science and Technology of Advanced Materials7p.S37 - S402006年-

Laser-excited photoemission spectroscopy study of superconducting boron-doped diamond

K. Ishizaka, R. Eguchi, S. Tsuda, T. Kiss, T. Shimojima, T. Yokoya, S. Shin, T. Togashi, S. Watanabe, CT. Chen, CQ. Zhang, Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi, T. Takenouchi, H. Kawarada

Science and Technology of Advanced Materials7p.S17 - S212006年-

Scanning tunneling microscopy and spectroscopy studies of superconducting boron-doped diamond films

T. Nishizaki, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi, H. Kawarada, N. Kobayashi

Science and Technology of Advanced Materials7p.S22 - S262006年-

Soft X-ray angle-resolved photoemission spectroscopy of heavily boron-doped superconducting diamond films

T. Yokoya, T. Nakamura, T. Matushita, T. Muro, H. Okazaki, M. Arita, K. Shimada, H. Namatame, M. Taniguchi, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi, H. Kawarada, T. Oguchi

Science and Technology of Advanced Materials7p.S12 - S162006年-

Characteristics of Diamond Electrolyte Solution-Gate FETs (SGFETs) and Applications to Biosensors

K. S. Song, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.15p.325 - 3352005年-

Characteristics of Diamond Electrolyte Solution-Gate FETs (SGFETs) and Applications to Biosensors

K. S. Song, H. Kawarada

New Diamond and Frontier Carbon Technology15p.325 - 3352005年-

Characterization of the Locally Modified Diamond Surface using a Kelvin Probe Force Microscope

M. Tachiki, Y. Kaibara, Y. Sumikawa, M. Shigeno, H. Kanazawa, T. Banno, K. S. Song, H. Umezawa, H. Kawarada

Surf. Sci.581(2月3日)p.207 - 2122005年-

Evaluations of electrical properties for ZnTe thin films electrodeposited from a citric acid bath with a Hall effect measurement

T. Ohtomo, T. Ishizaki, D. Ogiwara, H. Kawarada, A. Fuwa

J. Jpn. Institute of Metals69(3)p.298 - 3022005年-

Low Tempereture Synthesis of Extremely Dense and Vertically Alined Single-Walled Carbon Nanotubes

G. Zhong, T. Iwasaki, K. Honda, Y. Furukawa, I. Ohdomari, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys.44p.1558 - 15612005年-

Micropatterning Oligonucleotides on Single Crystal Diamond Surface by Photolithography

G. J. Zhang, H. Umezawa, H. Hata, T. Zako, T. Funatsu, I. Ohdomari, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys.44p.L2952005年-

Origin of the metallic properties of heavily boron-doped superconducting diamond

T. Yokoya, T. Nakamura, T. Matsushita, T. Muro, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi, H. Kawarada, T. Oguchi

Nature438(7068)p.647 - 6502005年-

Very high yield growth of vertically aligned single-walled carbon nanotubes by point-arc microwave plasma CVD

G. Zhong, T. Iwasaki, K. Honda, Y. Furukawa, I. Ohdomari, H. Kawarada

Chem. Vapor. Depos.11(3)p.127 - 1302005年-

多結晶ダイヤモンドを用いた電解質溶液FETsのバイオセンサへの応用

宋 光燮, 中村 雄介, 出川 宗里, 佐々木 順紀, 梅沢 仁, 川原田 洋

日本結晶成長学会誌31p.42005年-

表面修飾ダイヤモンドトランジスタによるDNA及びバイオセンシング応用

川原田 洋, 宋 光燮

化学と工業58(4)p.473 - 4762005年-

Surface modified Diamond Field-Effect Transistors for Enzyme Immobilized Biosensor

K. S. Song, H. Kawarada et al.

Jpn. J. Appl. Phys. (Express Letter)432004年06月-

Diamond field effect transistors using H-terminated surfaces

H. Kawarada

Thin-Film Diamond II Semiconductors and Semimetals77p.311 - 3382004年-

Large-Area Synthesis of Carbon Nanofibers by Low-power Microwave Plasma Assistant CVD

G. Zhong, M. Tachiki, H. Umezawa, T. Fujisaki, H. Kawarada, I. Ohdomari

Chem. Vapor Depos.(10 (3))p.1252004年-

Memory effect of diamond in-plane-gated field-effect transistors

Y. Sumikawa, K. Kobayashi, Y. Itoh, H. Umezawa, H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.(85 (1))p.139 - 1412004年-

Over 20 GHz Cut-Off Frequency Deep Sub-micron Gate Diamond MISFET

H. Matsudaira, S. Miyamoto, H. Ishizaka, H. Umezawa, H. Kawarada

IEEE Elect. Dev. Lett.(25 (7))p.480 - 4822004年-

Superconductivity in diamond thin films well above liquid helium temperature

M. Nagao, I. Sakaguchi, M. Tachiki, T. Hatano, K. Kobayashi, H. Umezawa, H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.(85 (14))p.2851 - 28532004年-

Synthesis of highly oriented and dense conical carbon nanofibers by a DC bias-enhanced microwave plasma CVD method

T. Iwasaki, H. Kawarada, I. Ohdomari

Thin Solid Films Films464(65)p.315 - 3182004年-

ダイヤモンドにおけるキャリア輸送特性とFETへの応用

川原田 洋, 梅沢 仁

応用物理73(3)p.339 - 3452004年-

多結晶ダイヤモンド表面を用いた電解質溶液FETsのバイオセンサへの応用

宋 光燮, 中村 雄介, 出川 宗則, 佐々木 順紀, 梅沢 仁, 川原田 洋

日本結晶成長学会論文誌31(4)p.335 - 3402004年-

Cl-Sensitive Biosensor used Electrolyte-Gate Diamond FETs

K. S. Song, T. Sakai, H. Kanazawa, Y. Araki, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Biosens. Bioelectron192003年11月-

Cryogenic Operation of Diamond Field-Effect Transistors

H. Ishizaka, M. Tachiki, K. S. Song, H. Umezawa, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.122003年10月-

Deep Sub-micron Gate Diamond MISFETs

H. Matsudaira, T. Arima, H. Ishizaka, H. Umezawa, M. Tachiki, S. Miyamoto, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.122003年10月-

Nonlinear Increase of Excitonic Emission in Synthetic Type IIa Diamond

K. Nakazawa, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.122003年10月-

Ozone-Treated Channel Diamond Field-Effect Transistors

T. Sakai, K. S.. Song, H. Kanazawa, Y. Nakamura, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.122003年10月-

RF Performance of Diamond Surface-Channel Field-Effect Transistors

H. Umezawa, S. Miyamoto, H. Matsudaira, H. Ishizaka, K.S. Song, M. Tachiki and H. Kawarada

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Diamond Nanofabrication and Characterization for Biosensing Application

M. Tachiki, Y. Kaibara, Y. Sumikawa, M. Shigeno, T. Banno, K. S. Song, H. Umezawa, H. Kawarada

Phys. Stat. Sol. (a)1992003年09月-

Electron-spectroscopy and-diffraction study of the conductivity of CVD diamond(001)2×1 surface

S. Kono, T. Takano, M. Shimomura, T. Goto, K. Sato, T. Abukawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Surface Science529p.180 - 1882003年04月-

水素終端表面伝導層を用いた高周波ダイヤモンドFET

梅沢 仁、石坂 博明、宮本 真吾、宋 光燮、立木 実、川原田 洋

電子情報通信学会論文誌CJ86-C2003年04月-

Cathodoluminescence and Hall-effect measurements in sulfur-dopedchemical-vapor-deposited diamond

K. Nakazawa, M. Tachiki, H. Kawarada, A. Kawamura, K. Horiuchi, T. Ishikura

Appl. Phys. Lett.82p.2074 - 20762003年03月-

Control wettability of the hydrogen-terminated diamond surface and the oxidized diamond surface using an atomic force microscope

Y. Kaibara, K. Sugata, M. Tachiki, H. Umezawa, H. Kawarada

Diamond and Related Materials12p.560 - 5642003年03月-

Effect of iodide ions on the hydrogen-terminated and partially oxygen-terminated diamond surface

H. Kanazawa, K. S. Song, T. Sakai, Y. Nakamura, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Diamond and Related Materials12p.618 - 6222003年03月-

Fabrication of diamond in-plane-gated field effect transistors using oxygen plasma etching

T. Banno, M. Tachiki, K. Nakazawa, Y. Sumikawa, H. Umezawa, H. Kawarada

Diamond and Related Materials12p.408 - 4122003年03月-

High Performance Diamond MISFETs using CaF2 Gate Insulator

S. Miyamoto, H. Matsudaira, H. Ishizaka, K. Nakazawa, H. Taniuchi, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.12p.399 - 4022003年03月-

Initial growth of heteroepitaxial diamond on Ir(001)/MgO(001) substrates using antenna-edge-type microwave plasma assisted chemical vapor deposition

T. Fujisaki, M. Tachiki, N. Taniyama, M. Kudo, H. Kawarada

Diamond and Related Materials12p.246 - 2502003年03月-

Electron-Spectroscopy and -Diffraction Study of the Conductivity of CVD Diamond (001) 2x1 Surface

S. Kono, T. Takano, M. Shimomura, T. Goto, K. Sato, T. Abukawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Surf. Sci.529p.180 - 1882003年-

水素終端表面伝導層を用いた高周波ダイヤモンドFET

梅沢 仁、石坂 博明、宮本 真吾、宋 光燮、立木 実、川原田 洋

電子情報通信学会論文誌CJ86-Cp.419 - 4252003年-

Fabrication of single-hole transistors on hydrogenated diamond surface using atomic force microscope

M. Tachiki, H. Seo, T. Banno, Y. Sumikawa, H. Umezawa, H. Kawarada

Appl.Phys.Lett.81p.2854 - 28562002年10月-

Effect of Cl-Ionic Solutions on Electrolyte-Solution-Gate Diamond Field-Effect Transistors

T. Sakai, Y. Araki, H. Kanazawa, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Jpn.J.Appl.Phys.41p.2595 - 25972002年04月-

High frequency performance of diamond field-effect transistor

Jpn.J.Appl.Phys.41p.2591 - 25942002年04月-

RF performance of high transconductance and hifh channel mobility surface-channel polycrystalline diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors

H. Umezawa, T. Arima, N. Fujihara, H. Taniuchi, H. Ishizaka, M. Tachiki, C. Wild, P. Koidl, H. Kawarada

Jpn.J.Appl.Phys41p.2611 - 26142002年04月-

DC and RF characterisitics of 0.7-μm-gate length diamond metal-insulater-semiconductor field-effect transistor

H. Ishizaka, H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, N. Fujihara, M. Tachiki H. Kawarada

Diamond Relat.Mater.11p.378 - 3812002年03月-

Fabrication of diamond single hole transistor using AFM anodization process

T. Banno, M. Tachiki, H. Seo, H. Umezawa, H. Kawarada

Diamond Relat.Mater.11p.387 - 3912002年03月-

Fabrication of heteroeoitaxial diamond thin films on Ir(001)/MgO(001) substrates using antenna-edge type microwave plasma assisted chemical vapor deposition

T. Fujisaki, M. Tachiki, N. Taniyama, M. Kudo, H. Kawarada

Diamond Relat. Mater.11p.478 - 4812002年03月-

RF performance of diamond MISFETs

H. Umezawa, H. Taniuchi, H. Ishizaka, T. Arima, N. Fujihara, M. Tachiki, H. Kawarada

IEEE Elect.Dev.Lett.EDL-23p.121 - 1232002年03月-

Electron spectroscopy and diffraction study of the origin of CVD diamond surface conductivity

S. Kono, T. Takano, M. Shimomura, T. Goto, K. Sato, T. Abukawa, M. Tachiki, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.13(5)p.247 - 2552002年-

HIgh Performance Diamond Field-Effect Transistors on Hydrogen-Terminated Surface-Channel

H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, H. Ishizaka, N. Fujihara, Y. Ohba, M. Tachiki, H. Kawarada

IEEJC-122p.10 - 162002年-

Heteroepitaxial diamond thin film growth on Ir(001)/MgO(001) substrate by antenna-edge plasma assisted chemical vapor deposition (St. Elmo CVD)

M. Tachiki, T. Fujisaki, N. Taniyama, M. Kudo, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.12(6)p.333 - 3412002年-

Heteroepitaxial diamond thin film growth on Ir(001)/MgO(001) substrate by antenna-edge plasma assisted chemical vapor deposition(St.Elmo CVD)

M. Tachiki, T. Fujisaki, N. Taniyama, M. Kudo, H. Kawarada

New Diamond and Frontier Carbon Technology(accepted)12(6)p.333 - 3412002年-

Heteroepitaxial diamond thin film growth on Ir(001)/MgO(001) substrate by antenna-edge plasma zssisted chemical vapor deposition

M. Tachiki, T. Fujisaki, N. Taniyama, M. Kudo, H. Kawarada

J.Crystal Growth237p.1277 - 12802002年-

Investigation of Current-Voltage Characteristics of Oxide Region induced by Atomic Force Microscope on Hydrogen-Terminated Diamond Surface

H. Seo, M. Tachiki, T. Banno, Y. Sumikawa, H. Umezawa, H. Kawarada

Jpn.J.Appl.Phys.41p.4980 - 49822002年-

Low-temperature operation of diamond surface-channel field-effect transistors

Mat.Res.Soc.Symp.Proc719p.139 - 1432002年-

Microwave performance of diamond field-effect transistors

H. Taniuchi, H. Umezawa, H. Ishizaka, H. Kawarada

J.J.A.P., PART 141(4B)p.2591 - 25942002年-

Nano Scale Insulation on the Hydrogen-Terminated Diamond Surface using Atomic Force Microscope

K. Sugata, M. Tachiki, T. Fukuda, H. Seo, H. Kawarada

Jpn.J.Appl.Phys.41p.4983 - 49862002年-

ダイヤモンド表面のエレクトロニクス・バイオ応用

表面科学23(-7)p.411 - 4162002年-

Fabrication of Sub-0.1 µm Channel Diamond MISFET

H. Umezawa, H. Kawarada

Mat.Res.Soc.Sympo.Proc/Materials Research Society2001年09月-

Nanodevice Fabrication on Hydrogenated Diamond Surface using Atomic Force Microscope

Mat.Res.Soc.Sympo.Proc/Materials Research Society2001年09月-

Cathodoluminescence of Phosphorus Doped (111) Homoepitaxial Diamond Thin Films

K. Tanabe, K. Nakazawa, J. Susantyo, H. Kawarada, S. Koizumi

Diamond Relat. Mater./Elsevier102001年08月-

High-Frequency Applications of diamond MESFETs

H. Taniuchi, H. Umezawa, T. Arima, M. Tachiki, H. Kawarada

IEEE Electron Device Lett./IEEEEDL-22(8)2001年08月-

Potential Applications of Surface Channel Diamond Field Effect Transistors

H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, M. Tachiki, H. Kawarada

Diamond Relat. Mater/Elsevier 102001年08月-

Diamond Deposition on a Large-Area Substrate by Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition Using an Antenna-Type Coaxial Microwave Plasma Generator

N. Taniyama, M Kudo, O. Matsumoto, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys./The Institute of Pure and Applied Physics40(7A)p.L698 - 7002001年07月-

Characterization of Diamond Surface-Channel Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with Device Simulation

K. Tsugawa, H. Umezawa, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys./The Institute of Pure and Applied Physcis40p.3101 - 31072001年05月-

Electrolyte-Solution-Gate FETs Using Diamond Surface for Biocompatible Ion Sensors

H. Kawarada, Y. Araki, T. Sakai, T. Ogawa, H. Umezawa

Phys.Stat.Sol.(a)/Wiley185(1)p.79 - 832001年05月-

High-Performance Surface-Channel Diamond Field-Effect Transistors”,

Proc.SiC & Relat.Mater.(ECSCRM2000),Mater.Sci.Forum/Trans Tech353-356p.815 - 8182001年05月-

表面伝導層を用いたダイヤモンド電子デバイス

川原田 洋, 立木 実, 梅沢 仁

応用物理/応用物理学会70(5)p.536 - 5412001年05月-

ダイヤモンド・ナノテクノロジー

川原田洋

NTTサイエンスフォーラム第12回2001年04月-

Excitonic recombination radiation in phosphorus-doped CVD diamonds

K. Nakazawa, K. Tanabe, M. Tachiki, H. Kawarada, S. Koizumi

Phys.Rev.B64p.2352032001年-

High FreQuency Application of High Transconductance Surface-Channel Diamond Field-Effect Transistors

Proc.2001 ISPSDp.195 - 1982001年-

High-Frequency Performance of Diamond Field-Effect Transistors

H. Taniuchi, H. Umezawa, T. Arima, M. Tachiki, H. Kawarada

IEEE Elect.Dev.Lett.22p.390 - 3922001年-

ダイヤモンドナノ加工技術

マテリアルインテグレーション 1447-512001年-

Cu/CaF2/Diamond Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor Utilizing Self-Aligned Gate Fabrication Process

H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, M. Tachiki, K. Tsugawa, S. Yamanaka, D. Takeuchi, H. Okushi, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys./The Institute of Pure and Applied Physics39(9)p.L908 - L9102000年09月-

Nanofabrication on Hydrogen-terminated Diamond Surface by AFM-probe-induced Oxidation

M. Tachiki, T. Fukuda, K. Sugata, H. Seo, H. Umezawa, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys./The Institute of Pure and Applied Physics39(7)p.4631 - 46322000年07月-

Surface Order Evaluation of the Heteroepitaxial Diamond Film Growth on an Inclined β-SiC(001)39

S. Kono, T. Goto, T. Abukawa, C. Wild, P. Koidl, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys./The Institute of Pure and Applied Physics39(7)p.4372 - 46732000年07月-

Control of Adsorbates and Conduction on CVD-grown Diamond Surface Using Scanning Probe Microscope

M. Tachiki, T. Fukuda, K. Sugata, H. Seo, H. Umezawa, H. Kawarada

Appl. Surf. Sci./Elsevier159-160p.578 - 5822000年06月-

Surface Channel Diamond Field Effect Transistors and Their Applications(invited paper)

Proc 1st Int. Workshop on Ultra-Low-Loss Pow. Dev. Tech.p.112 - 1152000年05月-

Cluster calculations of diamond-SiC and -Si interface structures

Morita, K. Hine, K. Tsugawa, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.31 - 312000年-

Control of diamond surface properties by AFM

H. Seo, M. Tachiki, T. Fukuda, K. Sugata, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.43 - 432000年-

Cu/CaF2/diamond MISFET utilizing self-aligned gate process

H. Taniuchi, T. Arima, H. Umezawa, M. Tachiki, K. Tugawa, S. Yamanaka, D. Takeuchi, H. Okushi, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.55 - 552000年-

Device simulations of diamond surface-channel FETs with quantum transport model

Y. Ohba, S. Sen, K. Tsugawa, H. Taniuchi, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.57 - 572000年-

Diamond ISFET in alkaline solution

T. Ogawa, Y. Araki, M. Tachiki, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.58 - 582000年-

High-Performance Surface-Channel Diamond Field-Effect Transistors

Proc.Silicon Carbide and Related Materials,ECSCRM2000 Mater.Sci.Forum353-356p.815 - 8182000年-

High-performance surface-channel diamond field-effect transistors

H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, M. Tachiki, H. Okushi, H. Kawarada

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, ECSCRM2000 MATERIALS SCIENCE FORUM353(3)p.815 - 8182000年-

Nanofabrication on the surface of the hydrogen-terminated diamond with the scanning probe microscope and I-V characteristics of the surface conductive layer

Sugata, M. Tachiki, H. Umezawa, T. Fukuda, H. Seo, T. Arima, H. Taniuchi, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.44 - 442000年-

Oxygen plasma etching of polycrystalline diamond

K. Tanabe, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.54 - 542000年-

The reduction of parasitic resistance by improving the diamond FET fabrication process

T. Arima, H. Taniuchi, H. Umezawa, M. Tachiki, K. Tsugawa, S. Yamanaka, D. Takeuchi, H. Okushi, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.56 - 562000年-

High-Performance Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with 1 μm Gate Length

H. Umezawa, K. Tsugawa, S. Yamanaka, D. Takeuchi, H. Okushi, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys /応用物理学会38(11A)p.L1222 - 12221999年11月-

High Performance Diamond Field Effect Transistors Using Hydrogen-Terminated Surfaces for Electron Device and Sensor Applications

Proc ADC/FCT'99/NEDO,JFCCp.134 - 1371999年09月-

High-Performance Diamond Surface-Channel Field-Effect Transistors and Their Operation Mechanism

K. Tsugawa, K. Kitatani, H. Noda, A. Hokazono, K. Hirose, M. Tajima, H. Kawarada

Diamond and Related Materials/Elsevie8p.927 - 9331999年07月-

MOSFETs on Polished Surfaces of Polycrystalline Diamond

K. Kitatani, H. Umezawa, K. Tsugawa, K. Ueyama, T. Ishikura, S. Yamashita, H. Kawarada

Diamond and Related Materials/Elsevier8p.1831 - 18331999年07月-

Surface p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors Fabricated on Hydrogen-Terminated (001) Surfaces of Diamond

A. Hokazono, K.Tsugawa, H.Umezawa, K.Kitatani, H.Kawarada

Solid State Electronics /Pergamon43p.1465 - 14711999年04月-

Cathodoluminescence of phosphorus-doped {111} homoepitaxial diamond thin films

Sato, K. Tanabe, S. Egawa, T. Tsubota, S. Morooka, J. Hojyo, H. Maeda, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.9(2)p.123 - 1251999年-

Cluster calculations of diamond-SiC interface structures

K. Morita, K. Tsugawa, Y. Yamamoto, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.9(2)p.157 - 1571999年-

Device simulations of diamond surface-channel MESFETs

K. Tsugawa, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.9(2)p.154 - 1551999年-

Fabrication of 1 mu m gate diamond FET using self-aligned gate process

H. Umezawa, K. Kitatani, K. Kinumura, N. Seto, K. Tsugawa, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.9(2)p.151 - 1531999年-

Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors on Hydorgen-Terminated Diamond Surfaces

Diamond Films and Technolog./MYU8(4)p.289 - 2971998年10月-

Application and Device Modeling of Diamond FET Using Surface Semiconductive Layers

K. Tsugawa, H. Noda, A. Hokazono, K. Kitatani, K. Morita, H. Kawarada

Electronics and Communication in Japan, PartII: Electronics/電子情報通信学会81(7)p.19 - 271998年07月-

Surface Morphology and Surface p-Channel Field Effect Transistor on the Heteroepitaxial Diamond Deposited on Inclined b-SiC(001) Surfaces

H. Kawarada, C. Wild, N. Herres, P. Koidll, Y. Mizuochi, A. Hokazono H .Nagasawa

Appl. Phys. Lett./米国物理学会72(15)p.1878 - 18801998年04月-

p型半導体ダイヤモンドとその応用

ニューセラミックス&エレクトロニクセラミクス/ティー・アイ・シー11(3)1998年03月-

ダイヤモンド電界効果トランジスタの現状と将来

川原田洋

応用物理(総合報告)/応用物理学会67(2)p.128 - 1381998年02月-

MESFETs and MOSFETs on Hydrogen-Terminated Diamond Surfaces

K. Tsugawa, A. Hokazono, H. Noda, K. Kitatani, K. Morita, H. Kawarada

Materials Science Forum/Trans Tech Publications264-268p.977 - 9801998年01月-

ダイヤモンド表面チャネル型FET −その動作機構と応用−

電子情報通信学会論文誌/電子情報通信学会J81(C-II)p.172 - 1791998年01月-

Application and device modeling of diamond FET using surface semiconductive layers

K. Tsugawa, H. Noda, A. Hokazono, K. Kitatani, K. Morita, H. Kawarada

Elect. Comm. Jpn.PART II81(7)p.19 - 271998年-

Metal-semiconductor field-effect transistors on hydrogen-terminated diamond surfaces

K. Tsugawa, K. Kitatani, H. Kawarada

Diam. Films Tech.8(4)p.289 - 2971998年-

Enhancement/Depletion Surface-Channel Field Effect Transistorsof Diamond and Their Logic Circuits

A. Hokazono, H. Kawarada

J. Appl. Phys./応用物理学会36(12A)p.7133 - 71391997年12月-

Surface Properties of Hydrogen-terminated Diamonds and Their Applications to Electron Devices

Proc. Int. School of Physics <<ENRICO Fermi>> /イタリア物理学会p.505 - 5351997年07月-

Comparative Study of Excitonic Recombination Radiation From Diamonds Grown by CVD and HP/HT Methods

T. Murakami, K. Nakamura, S. Yamashita, S. Takeuchi, M. Murakawa, H.Kawarada

Diam. Rel. Mat./Elsevier6p.1668 - 16731997年05月-

Heteroepitaxial Growth of Highly Oriented Diamond on Cubic Silicon Carbide

H. Kawarada, C. Wild, N. Herres, R. Locher, P. Koidl, H. Nagasawa

J. Appl. Phys. /米国物理学会81(8)p.3490 - 34931997年04月-

Device modeling of high oerformance diamond MESFETs using p-type surface semiconductive layers

H. Noda, A. Hokazono, H. Kawarada

Diam.Relat.Mater.6(865)1997年-

Enchancement/depletion MESFETs of diamond and their logic circuits

A. Hokazono, T. Ishikura, K. Nakamura, S. Yamashita, H. Kawarada

Diam.Relat.Mater.6(339)1997年-

Heteroepitaxial growth of highly oriented diamond on cubic silicon carbide

H. Kawarada, C. Wild, N. Herres, R. Locher, P. Koidl, H. Nagasawa

J.Appl.Phys.81(3490)1997年-

Surface characterization of smooth heteroepitaxial diamond layers on beta-SiC(001)

Y. Mizuochi, H. Nagasawa, H. Kawarada

Diam.Relat.Mater.6(277)1997年-

Hydrogen-terminated Diamond Surfaces and Interfaces

H. Kawarada

Surf.Sci.Rep/ELSEVIER26(7)1996年12月-

Electron Affinity and Surface Re-ordering of Homoepitaxial Diamond (100)

Jpn.J.Appl.Phys./応用物理学会35(10)1996年10月-

ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長の現状

フロンティア・カーボン・テクノロジー・シンポジウム/NEDO1996年10月-

Electrically Isolated Metal-Semiconductor Field Effect Transisitors and Logic Circuits on Homoepitaxial Diamonds

H. Kawarada, M.Itoh, A. Hokazono

Jpn.J.Appl.Phys./応用物理学会35(9B)p.L1165 - L11681996年09月-

ダイヤモンドMESFETを用いた集積回路作製のための基礎技術とフリップフロップICメモリーの作製

SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会/応用物理学会1995年12月-

β-SiC(001)基板上のダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長

SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会/応用物理学会1995年12月-

素子分離されたデプレッションモードダイヤモンドMESFETの作製と評価II

第9回ダイヤモンドシンポジウム1995年11月-

表面伝導層ダイヤモンドMESFETを用いたフリップフロップICメモリーの作製

第9回ダイヤモンドシンポジウム1995年11月-

Scanning-tunneling-microscope observation of the homoepitaxial diamond (001)2x1 reconstruction observed under atmosheric pressure

H. Kawarada, H. Sasaki, A. Satoh

Phys. Rev. B/American Institute of Physics 52(15)1995年10月-

β-SiCをバッファ層としたSi(001)基板上でのダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長

日本結晶成長学会誌/アグネ22(4)1995年10月-

Device modeling of enhancement-mode diamond MESFET utilizing p-type surface semiconductive layers

Silicon Carbide and Related Materials 1995, Institute of Physics Conference Series/Institute of Physics Publishing1421995年09月-

Fabrication and characterization of metal-semiconductor field-effect transistor utilizing diamond surface-conductive layer

H. Itoh, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys. /応用物理学会34(9)1995年09月-

Fabrication of logic circuit using diamond metal-semiconductor field-effect transistor

Silicon Carbide and Related Materials 1995, Institute of Physics Conference Series/Institute of Physics Publishing1421995年09月-

Observation of dominant free exciton recombination from synthesized diamond by cathodoluminescence measurement

Silicon Carbide and Related Materials 1995, Institute of Physics Conference Series/Institute of Physics Publishing1421995年09月-

Scanning tunneling microscopy and spectroscopy for studying hydrogen-terminated homoepitaxial diamond surfaces

Silicon Carbide and Related Materials 1995, Institute of Physics Conference Series/Institute of Physics Publishing1421995年09月-

initial growth of heteroepitaxial diamond on Si(001) Substrates via β-SiC buffer

Jpn. J. Appl. Phys. /応用物理学会34(9)1995年09月-

Heteroepitaxial growth of tungsten carbide films on W(110) by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Jpn. J. Appl. Phys. /応用物理学会34(7)1995年07月-

Si基板上でのダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の作製

NEW DIAMOND/Japan New Diamond Forum1995年04月-

Multidirectional porous NiO nanoplatelet-like mosaics as catalysts for green chemical transformations

S.A.El-Safty, M.Khairy, M.Ismael, H.Kawarada

Applied Catalysis B: Environmental123p.162 - 173

DOI

Characterization of DNA Hybridization on Partially Aminated Diamond by Aromatic Compounds

. H. Yang, K. S. Song, G. J. Zhang, M. Degawa, Y. Sasaki, I. Ohdomari, H. Kawarada

Langmuir22p.11245 - 11250

Characterization of hybridization kinetics on functionalized diamond SGFETs for detecting single-mismatch oligonucleotides

J. H. Yang, K. S. Song, Y. Sasaki, M. Degawa, K. Furukawa, T. Hiraki, H. Kawarada

advanced functional materialssubmitted

Characterization of immobilized DNA on functionalized ultradispersed diamond

J. H. Yang, Y. Nakano, Y. Murakami, K. S. Song, H. Kawarada

Chem. Phys.Lett.submitted

Growth of Dense Single-walled Carbon Nanotubes in Nano-sized Silicon Dioxide Holes for Future Microelectronics

T. Iwasaki, R. Morikane, T. Edura, M. Tokuda, K. Tsutsui, Y. Wada, H. Kawarada

Carbonsubmitted

Label-free DNA sensors using diamond FETs

K. S. Song, G. J. Zhang, Y. Nakamura, K. Furukawa, T. Hiraki, J. H. Yang, I.Ohdomari, H. Kawarada

Phys. Rev. E74(4)p.41919

書籍等出版物

ポストシリコン半導体 −ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果−

財満 鎭明、川原田 洋 ほか

株式会社 エヌ・ティー・エス2013年 06月-

詳細

ISBN:978-4-86469-059-1

マイクロアレイ・バイオチップの最新技術

川原田 洋

シーエムシー出版2008年-

詳細

ISBN:978-4-88231-986-3

ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線

久我 翔馬, 梁 正勲, 川原田 洋

シーエムシー出版2008年-

詳細

ISBN:978-4-7813-0049-8

Low-Pressure Synthetic Diamond

Bernhard Dischler, Christoph Wild(共著)

Springer-Verlag1998年 08月-

Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors

Satoshi Koizumi, Hitoshi Umezawa, Julien Pernot and Mariko Suzuki(共著)

Woodhead Publishing2018年 06月-2018年 06月

詳細

単行本(学術書)総ページ数:452担当ページ数:347-358ISBN:978-0-08-102183-5

講演・口頭発表等

Exploring the potential of heteroepitaxial diamond as field effect transistor

M. Syamsul and H. Kawarada

2018 E-MRS Fall Meeting & Exhibit招待有り2018年09月17日

詳細

国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Warsaw, Poland

Vertical-Type 2DHG Diamond MOSFETs with a Few Micro Meter Length Trench Structure

M. Iwataki, N. Oi, K. Horikawa, S. Amano, T. Kageura, M. Inaba, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Tokyo, Japan

Normally-Off 2DHG Diamond Al2O3/SiO2 MOSFETs without deteriorating Drain Current Density

T. Yabe, N. Oi, J. J. Buendia, S. Okubo, K. Horikawa, T. Kageura, S. Kono, A. Hiraiwa , H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Tokyo, Japan

High-bias-instability Al2O3 films formed by high-temperature annealing after atomic layer deposition

K. Horikawa, A. Hiraiwa, S. Okubo,T. Kageura and H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

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国際会議ポスター発表開催地:Tokyo, Japan

New Glass-less pH Sensing System Using Diamond Electrolyte Solution Gate FETs (SGFETs) and Vessel Gate

Y. Iyama, S. Falina, Y. Shintani, H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Tokyo, Japan

Properties of Shallow Nitrogen Vacancy Centers in Nitrogen Terminated Diamond and Detection of Nuclear Magnetic Resonance

T. Sonoda, S. Kawai, H. Yamano, K. Kato, J. J. Buendia, T. Kageura,Y. Ishii, K. Nagaoka, R. Fukuda, T. Okada, M. Haruyama, T. Tanii, K. Yamada, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Stacey, T. Teraji, S. Kono, J. Isoya, H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Tokyo, Japan

Superconducting Boron-doped Diamond Josephson Junction Operating above Liquid He Temperature, 4.2K

S. Amano, T. Kageura, I. Tsuyuzaki, M. Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa, H. Osato, D. Tsuya, Y. Takano, H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Tokyo, Japan

RF Performance of ALD-Al2O3 2DHG Diamond MOSFETs at High Voltage Operation for High Output Power

S. Imanishi, N. Oi, S. Okubo, K. Horikawa, T. Kageura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Tokyo, Japan

Superconductivity in high quality single crystal boron-doped diamond films with Tc above 10K

T. Kageura, I. Tsuyuzaki, T.Yamaguchi, Y. Takano and H.Kawarada

29th International Conference on Diamond and Carbon Materials2018年09月02日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Dubrovnik, Croatia

相補型パワーインバータに向けたダイヤモンド2次元正孔ガス高耐圧電界効果トランジスタ

川原田 洋

第46回 薄膜・表面物理セミナー(応用物理学会薄膜・表面物理分科会)招待有り2018年07月18日

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国内会議口頭発表(招待・特別)開催地:東京

ダイヤモンドパワー電界トランジスタの進展

川原田 洋, 大井信敬, 畢 特, 今西祥一朗, 岩瀧雅幸, 矢部太一, 平岩 篤

電子情報通信学会エレクトロニクスソサイティ シリコン材料・デバイス(SDM)研究会招待有り2018年06月25日

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国内会議口頭発表(招待・特別)開催地:名古屋大学、愛知

Recent Progress of Diamond 2DHG p-FETs for Complementary High Voltage Inverter Application

H. Kawarada

International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics(SCDE 2018),招待有り2018年06月09日

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国際会議口頭発表(基調)開催地:Xi'an, China

Superconductivity in Thin- and Micro-Structured Boron-Doped Diamond

T. Kageura, M. Hideko, I. Tsuyuzaki, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi and H.Kawarada

The 12th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2018)2018年05月20日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Arizona, USA

Solution Giant Gate Graphene FET (G3FET) pH Sensor

Syamsul Mohd, Shaili Falina, M. Hasegawa, Y. Koga, H. Kawarada

The 12th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2018)2018年05月20日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Arizona, USA

ダイヤモンド2次元正孔ガスFETを利用した相補型パワーインバータへの応用

川原田 洋

東北大学電気通信研究所-早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構 共同プロジェクト研究(H29/S2, ナノエレクトロニクスに関する連携研究) 平成29年度研究会2017年12月27日

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国内会議口頭発表(一般)開催地:仙台市、宮城県

Device Simulation of Several C-H MOSFETs Diamond Substrates via Two-Dimensional Negatively Charged Sheet Model

J.J. Buendia, M. Shibata, M. Syamsul, H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting & Exhibit2017年11月26日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Charge Stability and Coherence Property of Shallow Nitrogen Vacancy Center in Nitrogen Terminated Diamond for DNA Detection

S. Kawai, H. Yamano, T. Sonoda, K.Kato, J. J. Buendia, E. Suaebah, T. Kageura, M. Inaba, R. Fukuda, T. Okada, M. Haruyama, T. Tanii, K. Yamada, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Stacey, T. Teraji, S. Kono, J. Isoya, H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting & Exhibit2017年11月26日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Single Crystalline Boron-Doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices

I. Tsuyuzaki, T. Kageura, M. Hideko, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M.Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa, H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting Exhibit2017年11月26日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Vertical-Type 2DHG Diamond MOSFETs

N. Oi, T. Kudo, T. Muta, S. Okubo, I. Tsuyuzaki, T. Kageura, M. Inaba, S. Onoda, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting & Exhibit2017年11月26日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Leakage-Current Reduction in Atomic-Layer-Deposition Al2O3 Films by Al gate/Al2O3 Interface Engineering Using O3 Treatment

S. Okubo, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting& Exhibit2017年11月26日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Boston, USA

Effective Boron-Doping Method Using Custom-Built MPCVD System for High Tc Superconducting Diamond

T. Kageura, M. Hideko, I. Tsuyuzaki, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, H.Kawarada

2017 MRS Fall Meeting & Exhibit2017年11月26日

詳細

国内会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Time-Dependent Dielectric Breakdown of Atomic-Layer-Deposition Al2O3 Films Formed on GaN

A. Hiraiwa, T. Sasaki, S. Okubo, H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting & Exhibit2017年11月26日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Diamond Power p-FETs Using Two-Dimensional Hole Gas for Complementary High Voltage Inverter

H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting& Exhibit招待有り2017年11月26日

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国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Boston, USA

高耐圧ダイヤモンドFETの縦型,ノーマリオフ,低オン抵抗への検討

川原田洋

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第4回講演会招待有り2017年11月02日

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国内会議口頭発表(招待・特別)開催地:名古屋国際会議場(名古屋)

Heavily boron-doping for power electronics and superconductivity

T. Kageura, Y. Takano, H. Kawarada

OIST Diamond Workshop 20172017年10月29日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Okinawa, Japan

Vertical Diamond MOSFETs, present characteristics and future perfomance

H. Kawarada

OIST Diamond Workshop 20172017年10月29日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Okinawa, Japan

Normally-off Diamond p-FET Application in Cascode with Breakdown Voltage over 1.7 KV

Te Bi, Junxiong Niu, Nobutaka Oi, Masafumi Inaba, Toshio Sasaki, Hiroshi Kawarada

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 20172017年09月30日

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国際会議ポスター発表開催地:Nagoya, Japan

Growth of Diamond Nanocylinder Forest Using Template-Assisted Antenna-Edge Type Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

W. Fei, M.Inaba, Y.Hirano, H.Masuda , H.Kawarada

International conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)/iLIM-22017年09月29日

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国際会議ポスター発表開催地:Nagoya, Japan

Single Crystalline Boron-doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices

T.Kageura, I.Tyuyuzaki, M.Hideko, Y.Sasama, T.Yamaguchi, Y.Takano, M.Tachiki, S.Ooi, K.HIrata, S.Arisawa, H.Kawarada

International conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)/iLIM-22017年09月29日

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国際会議ポスター発表開催地:Nagoya, Japan

Current Conduction in Al2O3 Films Formed by Atomic Layer Deposition Using Water and Ozone as Oxidant

A. Hiraiwa , S. Okubo, D. Matsumura, and H. Kawarada

International conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)/iLIM-22017年09月29日

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国際会議ポスター発表開催地:Nagoya, Japan

Diamond Transistors for Power Electronics and Biosensing

H. Kawarada

International conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)/iLIM-2招待有り2017年09月29日

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国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Nagoya, Japan

Common Gate Boron Doped Diamond (BDD) Solution Gate FET for pH sensor

M.Shaili, Y.Shintani, H.Kawarada

The 2017 international conference on Soild State Devices and Materials2017年09月19日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Sendai, Japan

Normally-off Diamond p-FET Application in Cascode with Breakdown Voltage over 1.7KV

Te Bi, Junxiong Niu, Nobutaka Oi, Masafumi Inaba, Toshio Sasaki, Hiroshi Kawarada

The 2017 international conference on Soild State Devices and Materials2017年09月19日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Sendai, Japan

Current conduction in H2O-grown ALD-Al2O3 films on Si substrate

S.Okubo, D.Matsumura, K.Horikawa, A.Hiraiwa, H.Kawarada

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials2017年09月19日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Sendai, Japan

Boron-doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices with Two Step-Edge Josephson Junctions

I. Tsuyuzaki, T. Kageura, M. Hideko, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M. Tachiki, K. Hirata, S. Ooi, S. Arisawa, H. Kawarada

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials2017年09月19日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Sendai, Japan

Charge Stability of Shallow Nitrogen Vacancy Center in Diamond with Radical Exposure Nitridation Surface for DNA Detection

S. Kawai, H. Yamano, T. Sonoda, M. Kajiya, K.Kato, J. J. Buendia, T. Kageura, M. Inaba, R. Fukuda, T. Okada, I. Higashimata, M. Haruyama, T. Tanii, K. Yamada, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Stacey, T. Teraji, S. Kono, J. Isoya, H. Kawarada

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials2017年09月19日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Sendai, Japan

Vertical-type 2DHG Diamond MOSFETs

N. Oi, T. Kudo, T. Muta, S. Okubo, I. Tsuyuzaki, T. Kageura, M. Inaba, S. Onoda, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials2017年09月19日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Sendai, Japan

Normally-off and vertical diamond power FETs using 2 dimensional hole gas

H. Kawarada

2017 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE2017)招待有り2017年06月10日

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国際会議口頭発表(基調)開催地:Xi’an, China

Normally-off Diamond p-FET Application in Cascode with 1735 V Breakdown Voltage

Te Bi, J. Niu, N. Oi, M. Inaba, T. Sasaki, H. Kawarada

The 11th New Diamond and Nano Carbons 20172017年05月28日

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国際会議ポスター発表開催地:Cairns, Australia

Precise Control of Voltage Threshold by Electrochemical Oxygen Termination Boron-doped Diamond Solution- Gate Field Effect transistor (SGFET) for PH sensor

M.S Shaili, T. Naramura, M.Inaba, Y.Shintani, H.Kawarada

The 11th New Diamond and Nano Carbons 20172017年05月28日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Cairns, Australia

Heteroepitaxial diamond FET for power electronics application

M.Syamsul, J.J. Buendia, N. Oi, S. Okubo, H.Kawarada

The 11th New Diamond and Nano Carbons 20172017年05月28日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Cairns, Australia

Superconducting Single Crystal Diamond SQUID

T.Kageura, M.Hideko, I.Tsuyuzaki, Y.Sasama, T.Yamaguchi, Y.Takano, M.Tachiki, S.Ooi, K.Hirata, S.Arisawa, H.Kawarada

The 11th New Diamond and Nano Carbons 20172017年05月28日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Cairns, Australia

N-V中心NMRのためのダイヤモンド表面の電荷安定性

川原田 洋, 山野 颯, 河合 空, 梶家 美貴, 加藤かなみ, 蔭浦 泰資, 稲葉 優文, 岡田 拓真, 東又格, 春山 盛善, 谷井 孝至, 山田 圭介, 小野田 忍, 寺地 徳之, 加田 渉, 花泉 修, 磯谷 順一

第64回応用物理学会春季学術講演会2017年03月14日

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国内会議口頭発表(一般)開催地:横浜市、神奈川

Normally-off Diamond MOSFETs in Cascode Configuration with Breakdown Voltage over 1.7kV

J. Niu, T. Bi, D. Matsumura, T. Kudo, M. Inaba, T. Sasaki and H.Kawarada

Hasselt Diamond Workshop 2017 - SBDD XXII2017年03月08日

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国際会議ポスター発表開催地:Hasselt, Belgium

Amine termination of Nanocrystalline Diamond surface by Nitrogen Radical Beam (NRB) for Biosensing Application

E. Suaebah Y. Seshimo,T. Naramura, M. Hasegawa, H. Kawarada

7th Annual Basic Science International Conference2017年03月07日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Malang, Indonesia

2次元正孔ガス層による耐圧>1600VダイヤモンドpチャネルMOSFET

川原田 洋, 北林 祐哉, 柴田 将暢, 松村 大輔, 工藤 拓也, 牟田 翼, 大井 信敬, 稲葉 優文, 平岩 篤

「電子デバイス界面テクノロジー研究会—材料・プロセス・デバイス特性の物理—」(第22回研究会)2017年01月19日

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国内会議口頭発表(一般)開催地:三島市、静岡県

Boron-doped diamond SQUID with regrowth-induced step edge structure Josephson junction

M. Hideko, T. Kageura, I. Tuyuzaki, M. Shibata, Y. Kitabayashi, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa, H. Kawarada

IWSRFM 2016(International Workshop on Superconductivity and Related Functional Materials)2016年12月20日

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国際会議ポスター発表開催地:Tukuba, Japan

Lattice strain in superconducting boron-doped diamond

T. Kageura, M. Shibata, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, H. Kawarada

IWSRFM 2016 (International Workshop on Superconductivity and Related Functional Materials)2016年12月20日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Tsukuba, Japan

Stacking Faults and Twins Induced by Lattice Relaxation in Superconducting Boron-Doped Diamond Synthesized by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

T. Kageura, M. Hideko, M. Shibata, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, H.Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Boston, USA

Diamond Nanocylinder Forest Formed by Porous Alumina Template

W. Fei, M. Inaba, Y. Hirano, H. Masuda, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Boston, USA

Vertical MOSFETs-Using C-H Diamond with Trench-Channel

T. Muta, N. Oi, M. Inaba, T. Saito, D. Matsumura, T. Kudo, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

The Electron States of Shallow NV Centers after DNA Immobilization on Partially NH 2 Terminated Diamond

K. Kato, H. Yamano, T. Kageura, M. Inaba, M. Haruyama, Evi Suaebah, O.Hanaizumi, W. Kada, S. Onoda, T. Teraji, J. Isoya, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Common-Gate Measurement System of Solution-Gate Field-Effect Transistor for pH Sensing

K. Igarashi, T. Naramura, S. Falina, S. Abe, M. Inaba, Y. Shintani, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Charge State Stabilization of Shallow Nitrogen Vacancy Centers in Diamond by Oxygen Ambient Surface Modification

H. Yamano, K. Kato, T. Kageura, M. Inaba, T. Okada, I. Higashimata, M. Haruyama, T. Tanii, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, T. Teraji, J. Isoya, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Boston, USA

Superconducting Boron-doped Diamond Josephson Junction with Regrowth-induced Step Edge Structure

M. Hideko, T. Kageura, I. Tuyuzaki, M. Shibata, Y. Kitabayashi, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Over 2000 V Breakdown Voltage of Normally-off C-H Diamond MOSFETs with high threshold voltage

T. Kudo, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, Y. Hayashi, M. Inaba, A. Hiraiwa H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Vertically Oriented Graphite Layer Formed on (001) Diamond by Hot Implantation and High Temperature Annealing

M. Inaba, H. Yamano, T. Kageura, and H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting& Exhibit2016年11月27日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Boston, USA

Atomic-Layer-Deposition Temperature Effect on Current Conduction in Al2O3 Films as Investigated Using Space-Charge-Controlled Field Emission Model

A. Hiraiwa, D. Matsumura, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Current Conduction in Atomic-Layer-Deposition Al2O3 as Investigated Based on Space-Charge-Controlled Field Emission Model

A. Hiraiwa, D. Matsumura, S. Okubo, H. Kawarada

The 1st International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-1)2016年10月17日

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国際会議ポスター発表開催地:Osaka, Japan

Complementary Study for Effects of Annealing on Density and Pore Structures in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors

K. Ide, M. Ota , K. Takenaka, Y. Setsuhara , A. Hiraiwa, H. Kawarada , H. Hiramatsu, H. Hosono, T. Kamiya

The 1st International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-1)2016年10月17日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Osaka, Japan

Development of New Amorphous Oxide Semiconductor by Controlling Defects

T. Kamiya, K. Ide, H. Hiramatsu, Y. Setsuhara, A. Hiraiwa, H. Kawarada, H. Hosono

The 1st International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-1)2016年10月17日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Osaka, Japan

Gate Threshold Voltage Control of C-H Diamond MOSFETs

T. Kudo, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, Y. Hayashi, M. Inaba, A. Hiraiwa H. Kawarada

International Conference on Solid State Devices and Materials2016年09月26日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Tsukuba, Japan

Planer Diamond P-channel MOSFETs with Breakdown Voltage VB > 1.8kV and High Drain Current Density by 2DHG

H.Kawarada, Y.Kitabayashi, M.Syamsul N.S.B., M.Shibata, D.Matsumura, T.Kudo, A.Hiraiwa

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials招待有り2016年09月26日

詳細

国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Tsukuba, Japan

Coherence Properties and Charge Stability of Shallow Implanted Nitrogen Vacancy Centers in 12C enriched Diamond

H. Yamano, K. Kato, T. Kageura, M. Inaba, T. Okada, I. Higashimata, M. Haruyama, T. Tanii, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, T. Teraji, J. Isoya, H. Kawarada

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials2016年09月26日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Tsukuba, Japan

Vertical MOSFET using C-H Diamond with Trench-channel

T. Muta, T. Saito, M. Inaba, D. Matsumura, T. Kudo, Y. Kitabayashi, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials2016年09月26日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Tukuba, Japan

Superconducting (111) Boron-doped Diamond Josephson Junction with Regrowth-induced (001) Step Edge Structure

M. Hideko, T. Kageura, I. Tuyuzaki, M. Shibata, Y. Kitabayashi, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa and H. Kawarada

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials2016年09月26日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Tukuba, Japan

High endurance white polycrystalline diamond FET for power device application

M.Syamsul, Y.Kitabayashi, D.Matsumura, H.Kawarada

2016. International Conference on Diamond and Carbon Materials2016年09月04日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Montpellier, France

Cost effective white polycrystalline diamond FET using 2D hole gas

M.Syamsul, Y.Kitabayashi, D.Matsumura, H.Kawarada

2016. NANO KOREA 2016 Symposium2016年07月13日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Ilsan, Korea

Diamond Power MOSFETs using 2 Dimensional Hole Gas

H. Kawarada

2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016)招待有り2016年07月04日

詳細

国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Hakodate, Japan

Amine termination of nanocrystalline diamond surface by nitrogen radical beam (NRB) for biosensing application

E. Suaebah , Y. Seshimo, T. Naramura, M. Hasegawa , H. Kawarada

10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC20162016年06月23日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Xi’an, China

Diamond MOSFETs Using 2D Hole Gas with 1700V Breakdown Voltage

H. Kawarada, T. Yamada, D. Xu, Y. Kitabayashi, M. Shibata, D. Matsumura, M. Kobayashi, T. Saito, T. Kudo, M. Inaba, A. Hiraiwa

28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs2016年06月12日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Prague, Czech Republic

Electric properties of Au ohmic-contact on hydrogen-terminated surface-conductive diamond (001)

S. Kono, M. Inaba, A. Hiraiwa, and H. Kawarada

10th Intern. Conf. New Diamond Nano Carbonds2016年05月22日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Xi'an China

Growth of diamond nanorods using antenna-edge-type microwave plasma-assisted chemical vapor deposition

W. Fei, M.Inaba, Y.Hirano, H.Masuda , H.Kawarada

10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC2016)2016年05月22日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Xi’an, China

Electric properties of Au ohmic-contact on hydrogen-terminated surface-conductive diamond (001)

S. Kono, M. Inaba, A. Hiraiwa, and H. Kawarada

10th Intern. Conf. New Diamond Nano Carbonds2016年05月22日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Xi'an China

Growth of diamond nanorods using antenna-edge-type microwave plasma-assisted chemical vapor deposition

W. Fei, M.Inaba, Y.Hirano, H.Masuda , H.Kawarada

10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC2016)2016年05月22日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Xi’an, China

Diamond as Power Electronics Platform

H. Kawarada, Y. Kitabayashi , M. Shibata , D. Matsumura , T. Saito , T. Kudo , T. Muta, M. Inaba , A. Hiraiwa

10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC2016)招待有り2016年05月22日

詳細

国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Xi’an, China

Normally-Off C-H Diamond MOSFET with the Breakdown Voltage of Above 2000V

H.Kawarada, Y.Kitabayashi, M.Shibata, Y.Hayashi, A.Hiraiwa

2016 MRS Spring Meeting & Exhibit2016年03月28日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Phoenix, USA

Physical Properties of Superconducting Boron-Doped Diamonds

T.Kageura, M.Shibata, M.Hideko, Y.Sasama, T.Yamaguchi, Y.Takano, H.Kawarada

2016 MRS Spring Meeting & Exhibit2016年03月28日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Phoenix, USA

Normally-Off C-H Diamond MOSFET with the Breakdown Voltage of Above 2000V

H.Kawarada, Y.Kitabayashi, M.Shibata, Y.Hayashi, A.Hiraiwa

2016 MRS Spring Meeting & Exhibit2016年03月28日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Phoenix, USA

Physical Properties of Superconducting Boron-Doped Diamonds

T.Kageura, M.Shibata, M.Hideko, Y.Sasama, T.Yamaguchi, Y.Takano, H.Kawarada

2016 MRS Spring Meeting & Exhibit2016年03月28日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Phoenix, USA

Direct partial CH3 termination into carboxyl terminated diamond surface for biosensor

E. Suaebah, T. Naramura,H. Kawarada

2016.The 6th Basic Science International Meeting2016年03月02日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Malang, Indonesia

Diamond functionalization for Biosensing Application

E. Suaebah, T. Naramura, M. Hasegawa, H. Kawarada

2016. The 6th Basic Science International Meeting2016年03月02日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Malang, Indonesia

Direct partial CH3 termination into carboxyl terminated diamond surface for biosensor

E. Suaebah, T. Naramura,H. Kawarada

2016.The 6th Basic Science International Meeting2016年03月02日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Malang, Indonesia

Diamond functionalization for Biosensing Application

E. Suaebah, T. Naramura, M. Hasegawa, H. Kawarada

2016. The 6th Basic Science International Meeting2016年03月02日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Malang, Indonesia

Metal-Catalyst Free Carbon Nanotube Growth from Templete Carbon Nanotube Forest Formed by SiC Surface Decomposition

Y. Hirano, M. Inaba, K. Suzuki, W. Fei, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

High-Reliability SiO2 Films Formed on Diamond by Thermal Oxidation of Si

T. Hara, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

C-H Diamond MOSFETs with 1.7 kV Breakdown Voltage and >190mA/mm Current Density

Y. Kitabayashi, T. Yamada, Dechen Xu, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Device Simulation of C-H Diamond MOSFETs based on 2DHG formed by 2D Fixed Negative Charge

M.Shibata, Y.Kitabayashi, A.Hiraiwa, H. Kawarada

2015年11月29日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Structural and Electrical Properties of Double-Domain Heteroepitaxial AlN on (001) Diamond Substrate

Y. Hayashi, W. Ono, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

High-Temperature Electric-Insulation Characteristics of High-Temperature-ALD-Grown Al2O3 Films

D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Trench-Channel Vertical MOSFET Using C-H Diamond Surface

T. Saito、M. Kobayashi, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, M. Inaba, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Diamond based Biosensor on Direct Carboxyl Termination for Biomolecule Activation

E. Suaebah, T. Naramura, M. Myodo, M. Hasegawa, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

High Voltage Breakdown 1.8 kV Hydrogenated Black Diamond Field Effect Transistor

M.Syamsul.N.B.S.B, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, T. Saito, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

New High-Temperature Instability of ALD-Al2O3 MIS Capacitors

D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

IWDTF (International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY)2015年11月02日

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国際会議ポスター発表開催地:Tokyo, Japan

Direct Partial CH3 Termination into Carboxyl

Evi Suaebah, T. Naramura, H. Kawarada

IEEE SENSORS 20152015年11月01日

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国際会議ポスター発表開催地:Busan, South Korea

All-solid-State pH Sensor utilizing Termination-controlled Boron-doped Diamond Surface as pH-sensitive/pH-less-sensitive Interface

Y. Shintani, K. Ogawa, H. Kawarada

The 66th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry2015年10月04日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Taiwan

Characterization of Polycrystalline Doped-diamond Electrolyte-solution-gate Field-effect Transistor pH Sensor with/without termination control

Y. Shintani, K. Ogawa, H. Kawarada

The 66th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry2015年10月04日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Taiwan

Schottky barrier height lowering at silicon carbide by carbon nanotubes

14.M. Inaba, K. Suzuki, Y. Hirano, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2015)2015年10月04日

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国際会議ポスター発表開催地:Giardini Naxos, Italy

1.7 KV Breakdown C-H Diamond MOSFETs with High Drain Current Density

Y. Kitabayashi, T. Yamada, D. Xu, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa and H.Kawarada

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials2015年09月27日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Sapporo, Japan

Effect of Stacking Faults on Magnetic Flux Pinning in BoronDoped Superconducting Diamond Films

M. Shibata, T. Kageura, T. Yamaguchi, Y. Takano, and H. Kawarada

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials2015年09月27日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Sapporo, Japan

Trench-channel MOSFET using C-H Diamond Surface

T. Saito, M. Kobayashi, T. Yamada, D. Xu, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, M. Inaba, A. Hiraiwa,and H. Kawarada

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials2015年09月27日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Sapporo, Japan

High Voltage H-terminated Diamond MOSFETs using 2D Hole Gas with >1600V Breakdown and High Current Density

H. Kawarada T. Yamada, D. Xu, H. Tsuboi, Y. Kitabayashi, A. Hiraiwa

International Conference on Diamond and Carbon Materials招待有り2015年09月06日

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国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Bad Homburg, Germany

Diamond transistors and superconducting devices for N-V center research

H. Kawarada

Diamond Quantum Sensing Workshop 20152015年08月05日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Takamatsu, Japan

Diamond surface fluorescence for device sensing

M. Inaba, H. Yamano, K. Kato, T. Kageura, M. Shibata, S. Onoda, T. Teraji, J. Isoya, T. Tanii, H. Kawarada

Diamond Quantum Sensing Workshop 20152015年08月05日

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国際会議ポスター発表開催地:Takamatsu, Japan

Physical properties of superconducting diamond for quantum devices

T.Kageura, M.Shibata, T.Yamaguchi, Y.Takano, H.Kawarada

Diamond Quantum Sensing Workshop 20152015年08月05日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Takamatsu, Japan

In-plane conductivity of carbon nanotube forest formed on silicon carbide

M. Inaba , C.-Y. Lee , K. Suzuki , H. Kawarada

The 6th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium2015年07月29日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Tokyo, Japan

Lattice strain analysis of superconducting boron doped diamond

T. Kageura , M. Shibata , T. Yamaguchi , Y. Takano , H. Kawarada

The 6th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium2015年07月29日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Tokyo, Japan

Low Schottky barrier height at carbon nanotube and silicon carbide interface for power electronic devices

M. Inaba, K. Suzuki, M. Shibuya, C.-Y. Lee, Y. Masuda, N. Tomatsu, A.Hiraiwa, M. Kusunoki, H. Kawarada

NT15: The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes2015年06月29日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Nagoya, Japan

Carbon nanotubes growth by thermal CVD from the ends of CNT forest on SiC

Y. Hirano, M. Inaba, M Shibuya, K Suzuki, W Norimatsu, M Kusunoki, H Kawarada

NT15: The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes2015年06月29日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Nagoya, Japan

High-reliability Passivation of Diamond Surface Conduction Layer Using High-temperature H2O-oxidant ALD Growth of Al2O3

A. Hiraiwa, T. Saito, D. Matsumuara, and H. Kawarada

AVS 15th International Conference on Atomic Layer Deposition2015年06月28日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Portland, USA

Diamond Power MOSFETs with >1600V Breakdown Voltages and High Current Density

H. Kawarada

2015 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE 2015)招待有り2015年06月12日

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国際会議口頭発表(基調)開催地:Xi'an, China

In plane conductivity of dense carbon nanotube forest Formed on silicon carbide for CNT contact evaluation

M. Inaba, K. Suzuki, Y. Hirano, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

AMDI-6:The 6th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structural Metallic and Inorganic Materials2015年06月09日

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国際会議ポスター発表開催地:Tokyo, Japan

Lattice strain dependence of superconducting boron-doped diamond thin film critical thickness

T. Kageura, M. Shibata, T. Sasagawa, H.Kawarada

AMDI-6:The 6th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structural Metallic and Inorganic Materials2015年06月09日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Tokyo, Japan

Diamond Surface Functionalization Via Carboxyl Termination for ATP 16 Detection

E. Suaebah, T. Naramura, M. Myodo, M. Inaba, X. Wang, R. A. Rahim, H. Kawarada

9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons2015年05月24日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Shizuoka, Japan

High power diamond MOSFETs with >1600V breakdown and >100mA/mm current density

H. Kawarada, T. Yamada, D. Xu, H. Tsuboi, T. Saito, Y. Kitabayashi, A. Hiraiwa

9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons2015年05月24日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Shizuoka, Japan

Isotope analysis of diamond-surface passivation effect of Al2O3 formed using a high-temperature H2O-oxidant ALD method

A. Hiraiwa, T. Saito, D. Matsumuara, H. Kawarada

9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons2015年05月24日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Shizuoka, Japan

Lattice Strain Analysis of Superconducting Boron-Doped Diamond Film by X-ray Diffraction

T. Kageura , M. Shibata , T. Yamaguchi , Y.Takano , H.Kawarada

9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons2015年05月24日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Shizuoka, Japan

In-plane conductivity of dense CNT forest formed on Silicon carbide and contact resistivity estimation of parallel adjacent CNT

M. Inaba , C. Lee , K. Suzuki , Y. Hirano , M. Shibuya , M. Myodo , W. Norimatsu , M. Kusunoki , H. Kawarada

9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons2015年05月24日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Shizuoka, Japan

Carbon nanotube synthesis by non-catalytic CVC from dense carbon nanotube forest

M. Inaba, Y. Hirano, M. Shibata, K. Suzuki, C. Lee, M. Myodo, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons2015年05月24日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Shizuoka, Japan

Wide Temperature (10K- 700K) and High Voltage (~1000V) Operation of C-H Diamond MOSFETs for Power Electronics Application

H. Kawarada, H. Tsuboi, T. Yamada, D. Xu, T. Saito, A. Hiraiwa

IEDM 2014: IEEE International Electron Devices Meeting2014年12月15日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:San Francisco, CA, USA

Electric Property of SiO2/Diamond Structure

Y. Seshimo, T. Hara, Y. Hayashi, T. Hakamata, W. Ono, A.Hiraiwa, H. Kawarada

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit2014年11月30日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Boston, USA

Stable Performance of C-H Bonds Diamond MOSFETs at 10K-673K

D. Xu, H. Tsuboi, T. Yamada, Y. Kitabayashi, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit2014年11月30日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Nearly 1000V Breakdown Characteristic of C-H Diamond Lateral MOSFETs with Al2O3 Gate Insulator

T. Yamada, H. Tsuboi, D. Xu, Y. Kitabayashi, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston2014年11月30日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Schottky Barrier Height of Carbon Nanotubes to n-Type 4H-SiC for High Power Device Electrodes

K. Suzuki, M. Inaba, M. Shibuya, C.-Y. Lee, M. Myodo, Y. Hirano, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit2014年11月30日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Boston, USA

Analysis of Superconducting Boron-Doped Diamond Thin Film Using X-Ray Diffraction

T. Kageura1, M. Shibata, T. Yamaguchi, Y. Takano, H. Kawarada

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit2014年11月30日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Boston, USA

Fabrication of Diamond Rods for Power Device Application

M. Kobayashi, M. Inaba, M.Syamsul.N.S.B., A. Hiraiwa, H. Kawarada

2014 MRS Fall Meeting & Exhibi2014年11月30日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Boston, USA

Stability and Formation of Surface Hole Accumulation at C-H Diamond Surface

H. Kawarada, A. Hiraiwa

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit招待有り2014年11月30日

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国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Boston, USA

Carbon nanotube forest for ohmic and heat dissipative electrode of silicon carbide power devices

M. Inaba, K. Suzuki, M. Shibuya, C.-Y. Lee, M. Myodo, Y. Hirano, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

The 5th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials (AMDI-5)2014年11月19日

詳細

国際会議

Effect of Lattice Strain for Diamond superconductivit

T. Kageura, M. Shibata, T. Sasagawa, H.Kawarada

The 5th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials (AMDI-5)2014年11月19日

詳細

国際会議開催地:Tokyo, Japan

C-H surface diamond FETs for high voltage (>500V) and wide temperature(-263℃-+400℃) operation

H. Kawarada

Japan-France Joint Diamond Workshop 20142014年10月09日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Oita Japan

Characterization of Termination-controlled Boron-doped Polycrystalline Diamond Electrolyte-solution-gate Field-effect Transistor pH Sensor

Y. Shintani, T. Saruya, H. Kawarada

65th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry2014年08月31日

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国際会議開催地:Lausanne, Swiss

Evaluation of the contact resistivity and Schottky barrier height at CNT/SiC interface by top contact electrode

K. Suzuki, M. Inaba, M. Shibuya, C.-Yu Lee, M. Myodo, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H.Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA)2014年08月24日

詳細

国際会議開催地:Fukuoka,Japan

In-plane conductivity of dense carbon nanotube forest formed by silicon carbide surface decomposition method

M. Inaba, C.-Yu Lee, K. Suzuki, M. Shibuya, M.Myodo, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H.Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA )2014年08月24日

詳細

国際会議開催地:Fukuoka,Japan

Surface structure of (111) diamond with recovered surface conduction after heat

Y. Seshimo, T. Hakamata, W. Ono, Y. Yokoyama, D. Utsunomiya, A. Hiraiwa, H.Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA )2014年08月24日

詳細

国際会議開催地:Fukuoka,Japan

600 V Breakdown voltage of C-H diamond MOSFETs with thick Al2O3 gate insulator

T.Yamada, T.Naruo, H.Tsuboi, D.Xu, A.Daicho, T.Saito, K.Kuruma, A.Hiraiwa, H.Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA)2014年08月24日

詳細

国際会議開催地:Fukuoka,Japan

Wide Temperature (10-673 K) Operation of C-H Diamond MOSFETs

D. Xu, H. Tsuboi, T. Naruo, T. Yamada, A. Daicho, T. Saito, K. Kuruma, A. Hiraiwa, H. Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA )2014年08月24日

詳細

国際会議開催地:Fukuoka,Japan

Fluorine-terminated thin boron-doped diamond Solution Gate FET

M. Kobayashi,Y. Shintani, M. Myodo, H. Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA)2014年08月24日

詳細

国際会議開催地:Fukuoka,Japan

Superconductivity of Heavily Boron-doped Diamond (111) by Spherical-resonator-Micro-wave-Plasma CVD

T. Kageura, M. Koga, T. Yamaguchi, Y. Takano, H. Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA)2014年08月24日

詳細

国際会議開催地:Fukuoka,Japan

Diamond Field Effect Transistors for Power Electronics

H. Kawarada

2014 International Symposium on Single Crystal Diamond Electronics and the Fourth Chinese Vacuum Forum(SCDE 2014)招待有り2014年06月13日

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国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Xian, China

In-plane Conduction of Dense Carbon Nanotube Forest Formed on Silicon Carbide

M. Inaba, C.-Y. Lee, K. Suzuki, M. Shibuya, M. Myodo, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

NT14: The Fifteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes2014年06月02日

詳細

国際会議開催地:Los Angeles, CA, USA

CNT/SiC Interface for Power Device Applications

M. Inaba, K. Suzuki, M. Shibuya, C.-Y. Lee, M. Myodo, A. Hiraiwa, Y. Masuda, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

The 5th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium2014年03月24日

詳細

国際会議開催地:Tsukuba, Japan

ダイヤモンド表面固定アプタマーによるトランジスタ型バイオセンサ

川原田 洋

第61回応用物理学会春季学術講演会招待有り2014年03月17日

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国内会議口頭発表(招待・特別)開催地:相模原、神奈川

Lateral Conductivity of CNT Film on High Resistance Sic Substrate

C.Y. Lee, M. Inaba, K Suzuki, M. Shibuya, A. Hiraiwa, M. Kusunoki, H. Kawarada

2013 MRS(Materials Research Society) Fall Meeting & Exhibit2013年12月01日

詳細

国際会議開催地:Boston, MA, USA

400°C operation and high breakdown characteristic of hydrogen-terminated diamond MOSFETs with Al2O3 passivation

H.Tsuboi, T.Naruo, A.Daicho, T.Saito, D.Xu, T.Yamada, K.Kuruma, A.Hiraiwa, H.Kawarada

2013 MRS(Materials Research Society) Fall Meeting & Exhibit2013年12月01日

詳細

国際会議開催地:Boston, MA, USA

The dependence of contact resistivity at CNT/SiC interface on SiC doping concentration: CNT new application for SiC power devices

M. Shibuya, M. Inaba, K. Suzuki, Y. Masuda, A. Hiraiwa, M. Kusunoki, H. Kawarada

2013 MRS(Materials Research Society) Fall Meeting & Exhibit2013年12月01日

詳細

国際会議開催地:Boston, MA, USA

Anomalous Electric Conduction at Al-first AlN/Diamond Interface Formed by Molecular Beam Epitaxy

W. Ono, Y. Yokoyama, D. Utsunomiya, T. Hakamata, A. Hiraiwa, H.Kawarada

2013 MRS(Materials Research Society) Fall Meeting & Exhibit2013年12月01日

詳細

国際会議開催地:Boston, MA, USA

Electrolyte surrounding-gate FET by mm-long and dense carbon nanotube forest sheet

M. Myodo, M. Inaba, M. Kobayashi, Y. Shintani, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2013 MRS(Materials Research Society) Fall Meeting & Exhibit2013年12月01日

詳細

国際会議開催地:Boston, MA, USA

The optimization of P-type transparent electrode using boron-doped nanodiamond

M. Koga, T. Kageura, K. Ishak, Y. Shintani, M. Hasegawa, A. Hiraiwa and H. Kawarada

2013 MRS(Materials Research Society) Fall Meeting & Exhibit2013年12月01日

詳細

国際会議開催地:Boston, MA, USA

Revolutionarily enhanced dielectric strength of an ALD-Al2O3 film annealed at a high temperature

T. Saito, K. Kuruma, A. Daicho, A. Hiraiwa, and H. Kawarada

2013 MRS(Materials Research Society) Fall Meeting & Exhibit2013年12月01日

詳細

国際会議開催地:Boston, MA, USA

AlN Heteroepitaxial Growth on Diamond (111) 2x1 Reconstructed Surface by Molecular Beam Epitaxy (MBE)

T. Hakamata, W. Ono, Y. Yokoyama, D. Utsunomiya, Y. Seshimo, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2013 MRS(Materials Research Society) Fall Meeting & Exhibit2013年12月01日

詳細

国際会議開催地:Boston, MA, USA

Thermal Stability of Diamond Surface C-H Bonds

T. Hakamata, Y. Seshimo, W. Ono, Y. Yokoyama, D. Utsunomiya, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2013 MRS(Materials Research Society) Fall Meeting & Exhibit2013年12月01日

詳細

国際会議開催地:Boston, MA, USA

The I-V characteristics of a termination-controlled polycrystalline diamond field effect transistor pH sensor for using at harsh environment

Y. Shintani, M. Myodo, M. Kobayashi, S. Ibori, H. Kawarada

ECS 224th meeting2013年10月

詳細

国際会議開催地:San Francisco, USA

AlN heteroepitaxial growth on diamond (111) 2x1 reconstructed surface by molecular beam epitaxy (MBE)

T. Hakamata, Y. Yokoyama, W. Ono, D. Utsunomiya, A. Hiraiwa and H. Kawarada

2013 JSAP(Japan Society of Applied Physics )-MRS(Materials Research Society) Joint Symposia2013年09月16日

詳細

国際会議開催地:Kyoto, Japan

Electric Property of Al-first AlN/Diamond Interface Formed by Molecular Beam Epitaxy

W. Ono, Y. Yokoyama, R. Kanomota, D. Utsunomiya, T. Hakamata, A. Hiraiwa and H. Kawarada

2013 JSAP(Japan Society of Applied Physics )-MRS(Materials Research Society) Joint Symposia2013年09月16日

詳細

国際会議開催地:Kyoto, Japan

Electrolyte solutiongate FET by mm-long carbon nanotube forest sheet

M. Myodo, K. Oohara, M. Inaba, M. Kobayashi, Y. Shintani, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2013 JSAP(Japan Society of Applied Physics )-MRS(Materials Research Society) Joint Symposia2013年09月16日

詳細

国際会議開催地:Kyoto, Japan

High-electrical-insulation ALD-Al2O3 for creation and passivation of two-dimensional hole gas on H-terminated diamond surface

T. Saito, A. Daicho, A. Hiraiwa, and H. Kawarada

2013 JSAP(Japan Society of Applied Physics )-MRS(Materials Research Society) Joint Symposia2013年09月16日

詳細

国際会議開催地:Kyoto, Japan

Fabrication of P-type transparent conducting films using by heavily boron-doped nano crystalline diamond

M. Koga, T. Kageura, Khairul. Ishak, Y. Shintani, M . Hasegawa, A.Hiraiwa, H. Kawarada

2013 JSAP(Japan Society of Applied Physics )-MRS(Materials Research Society) Joint Symposia2013年09月16日

詳細

国際会議開催地:Kyoto, Japan

Evaluation of conduction at CNT/SiC interface of vertically aligned and high density CNT on SiC

M. Shibuya, M. Inaba, K. Suzuki, Y. Masuda, A. Hiraiwa, M. Kusunoki, H. Kawarada

2013 JSAP(Japan Society of Applied Physics )-MRS(Materials Research Society) Joint Symposia2013年09月16日

詳細

国際会議開催地:Kyoto, Japan

H-terminated Diamond Field Effect Transistors Operated at 400C

Hiroshi Kawarada

2013 JSAP(Japan Society of Applied Physics )-MRS(Materials Research Society) Joint Symposia招待有り2013年09月16日

詳細

国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Kyoto, Japan

Evaluation of CNT forest/metal contact resistivity for LSI metallization application

M. Inaba, M. Shibuya, Y. Masuda, A. Hiraiwa, M. Kusunoki, H.Kawarada

International Conference on Diamond and Carbon Materials2013年09月02日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Riva del Garda, Italy

400°C operation of hydrogen-terminated diamond MOSFETs with high temperature ALD Al2O3 for gate insulator and passivation

H.Tsuboi, T.Naruo, A.Daicho, T.Saito, A.Hiraiwa, H.Kawarada

International Conference on Diamond and Carbon Materials2013年09月02日

詳細

国際会議口頭発表(一般)開催地:Riva del Garda, Italy

Surface conduction after molecular beam epitaxy of AlN on a 2x1 4clean (111) diamond surface

A. Hiraiwa, W. Ono, T. Hakamata, Y. Yokoyama, D. Utsunomiya, and H. Kawarada

International Conference on Diamond and Carbon Materials2013年09月02日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Riva del Garda, Ital

High-voltage environment-resistive gate insulator for diamond field-effect transistors with two-dimensional hole gas

A. Hiraiwa, T. Saito, A. Daicho, H. Tsuboi, T. Naruo, Y. Nozaki, and H. Kawarada

International Conference on Diamond and Carbon Materials2013年09月02日

詳細

国際会議ポスター発表開催地:Riva del Garda, Italy

Diamond Solution-Gate Transistors for Protein Detection by DNA/RNA Aptamers

H. Kawarada

The 6th International Conference on Sensors (AsiaSense 2013)招待有り2013年08月27日

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国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Melaka, Malaysia

High-reliability ALD-Al2O3 gate insulator for diamond 2DHG-FETs

A. Hiraiwa

1st French-Japanese Workshop on Diamond power devices2013年06月19日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Chamonix, France

C-H bonded diamond MOS Field Effect Transistor for High Temperature and High Power Application

H. Kawarada

1st French-Japanese Workshop on Diamond power devices招待有り2013年06月19日

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国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Chamonix, France

Estimation of conduction at CNT/SiC interface of vertically aligned and high density CNT on SiC

M. Inaba, M. Shibuya, Y. Masuda, A. Hiraiwa, M. Kusunoki, H. Kawarada

NT13: The Fourteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes2013年06月

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国際会議開催地:Espoo, Finland

Study of differential FET sensing utilizing termination-controlled diamond surfaces as pH-sensitive/pH-insensitive interfaces

Y. Shintani, M. Myodo , S. Ibori , H. Kawarada

New Diamond and Nanocarbon conference (NDNC2013)2013年05月

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国際会議開催地:Singapore

Atomic layer deposition of Al2O3 for passivating hydrogen-terminated diamond

A. Daicho, T. Saito, S. Sato, T. Kobayashi, R. Nomura, A. Hiraiwa, and H.Kawarada

2012 IUMRS-International Conference on Electronic Materials2012年09月

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口頭発表(一般)

CNT contact resistivity evaluation from nano size LSI via to power SiC device using conductive AFM

2012 IUMRS-International Conference on Electronic Materials2012年09月

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口頭発表(一般)

Electrical characteristic evaluation of SNS junction by heavlily and lightly Boron-doped diamonds

2012 Materials & Mechanisms of Superconductivity Conference2012年07月

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ポスター発表

Evaluation for properties of superconducting diamond (111) thin film with Tc(offset) above 10K and its anisotropic effect due to the uniaxial strain

2012 Materials & Mechanisms of Superconductivity Conference2012年07月

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ポスター発表

Heavily Boron-doped DianlOnd and Its Application to Electron Device in Harsh Environment

NDNC20122012年05月

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口頭発表(一般)

The Effects of Diamond FET-based RNA aptamer sensing for Real Sample HIV-1 Tat Protein detection

Biosensors 20122012年05月

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口頭発表(一般)

Electric characterization of carbon nanotubes grown at low temperature by remote plasma chemical vapor deposition for LSI interconnects

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials2009年10月

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口頭発表(一般)

High hole current density in diamond MOSFETs fabricated on H-terminated IIa-type (111) diamond substrate

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials2009年10月

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口頭発表(一般)

Formation of highly B-doped Source & Drain layer with TiC ohmic contact for H-terminated diamond MOSFETs

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials2009年10月

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口頭発表(一般)

Stacked SNS Josephson Junction with heavily B-doped CVD Diamond Superconducting thin film

9th International Conference on Material and Mechanisms of Superconductivity2009年09月

詳細

口頭発表(一般)

Critical concentrations of superconductor to insulator transition in (111), (001) and (110) CVD boron-doped diamond

9th International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductivity2009年09月

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口頭発表(一般)

Cross-Sectional TEM Study and Film Thickness Dependence of Tc in Heavily Boron-Doped Superconducting Diamond

9th International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductivity2009年09月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープダイヤモンド単結晶薄膜の結晶構造とTcの膜厚依存性

日本物理学会2009年秋季大会2009年09月

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口頭発表(一般)

カルボキシル基修飾したダイヤモンド表面におけるSNPs検出

2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会2009年09月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面におけるアプタマーを介した血小板由来成長因子(PDGF)検出

2009年秋季第70回応用物理学関係連合講演会2009年09月

詳細

口頭発表(一般)

高密度カーボンナノチューブの合成と電気二重層キャパシタ電極への応用

秋季第70回応用物理学会学術講演会2009年09月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端Ⅱa(111)基板に作成したダイヤモンドMOSFETの高周波特性

2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会2009年09月

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口頭発表(一般)

ソース・ドレインにボロンドープ層を選択成長させた(111)水素終端ダイヤモンドMOSFETsの電気特性評価

2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会2009年09月

詳細

口頭発表(一般)

フッ素終端化ダイヤモンドDNAセンサの表面解析

2009年春季第56回応用物理学会学術講演会2009年03月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導薄膜のTcの膜厚依存性と断面TEM観察

2009年春季第56回応用物理学会学術講演会2009年03月

詳細

口頭発表(一般)

モリブデン/ダイヤモンド界面のモリブデンカーバイド薄層の超伝導特

2009年春季第56回応用物理学会学術講演会2009年03月

詳細

口頭発表(一般)

ボロンドープ層を利用したボトムコンタクト型水素終端ダイヤモンドMOSFETs

2009年春季第56回応用物理学会学術講演会2009年03月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端IIa(111)基板に作製したダイヤモンドMOSFETの特性評価

2009年春季第56回応用物理学会学術講演会2009年03月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面のカルボキシル基修飾による生体分子検出

2009年春季日本物理学会第64回年次大会2009年03月

詳細

口頭発表(一般)

表面修飾による水素終端ダイヤモンド表面のイオン感応性制御

2009年春季日本物理学会第64回年次大会2009年03月

詳細

口頭発表(一般)

先端放電型リモートプラズマ低温 CVD 成長によるサブミクロンサイズ CNT ビアの電気特性評価

2009年春季日本物理学会第64回年次大会2009年03月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導:TCと結晶性の深さ方向分布との相関

2009年春季日本物理学会第64回年次大会2009年03月

詳細

口頭発表(一般)

グラファイトアンテナを用いた先端放電型リモートプラズマCVD法による垂直配向カーボンナノチューブの合成

第22回ダイヤモンドシンポジウム2008年10月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面修飾のDNAセンシングへの影響評価

第22回ダイヤモンドシンポジウム2008年10月

詳細

口頭発表(一般)

水素ラジカル照射による酸素終端ダイヤモンドFETsの伝導性発現

第22回ダイヤモンドシンポジウム2008年10月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端(001),(110),(111)ダイヤモンド表面におけるホール蓄積層の伝導性評価

第22回ダイヤモンドシンポジウム2008年10月

詳細

口頭発表(一般)

フッ素終端化ダイヤモンド表面を用いた1塩基変異DNA検出

第22回ダイヤモンドシンポジウム2008年10月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面の負電荷制御によるRNA/DNA二本鎖の1塩基変異検出

第22回ダイヤモンドシンポジウム2008年10月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜における超伝導絶縁体転移の臨界濃度と面方位依存性

第22回ダイヤモンドシンポジウム2008年10月

詳細

口頭発表(一般)

先端放電型リモートプラズマCVDによる多層CNT低温成長

第22回ダイヤモンドシンポジウム2008年10月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導薄膜の選択エピタキシャル成長による微細構造作製

第22回ダイヤモンドシンポジウム2008年10月

詳細

口頭発表(一般)

Controlled growth of single and double walled carbon nanotubes for densely packed electrodes and super capacitors

4th Vacuum and Surface Science conference of Asia and Australia2008年10月

詳細

口頭発表(一般)

(111),(001),(110)高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜の超伝導絶縁体転移の臨界濃度

日本物理学会2008年秋季大会2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

ボロンドープダイヤモンド超薄膜の超伝導特性評価

日本物理学会2008年秋季大会2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

接触抵抗低減による極低温でのダイヤモンドFETの特性改善

2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面のCOO−制御によるRNA probeを用いた生体分子検出

2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端(110)面を利用したダイヤモンドp-MOSFETの特性評価

2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

フッ素終端化ダイヤモンド表面のDNA Hybridizationへの影響

2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜における超伝導絶縁体転移の臨界濃度の評価

2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

サブミクロンサイズビアからの多層CNT低温成長

2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

DNAセンシングに適したダイヤモンド表面のイオン感応性評価

2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜の選択エピタキシャル成長

秋季第69回応用物理学会学術講演会2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

Growth of well-aligned highly dense CNTs by highly dense catalyst particles

The 19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

Selective homoepitaxial growth of heavily boron-doped thin film diamond for FET application

The 19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

Electrical characterization of carbon nanotubes formed at low temperatures for LSI interconnects

The 19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

Surface orientation dependence of hole accumulation layer on H-terminated diamond

The 19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

Superconductivity in (111), (001) and (110) boron-doped CVD diamond films

The 19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

Detection of hybridization affinity between RNA/DNA duplex on functionalized diamond surface

The 19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2008年09月

詳細

口頭発表(一般)

キャリアガスによるカーボンナノチューブの層数制御

第35回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム2008年08月

詳細

口頭発表(一般)

Low temperature growth of carbon nanotubes by remote plasma CVD for future ULSI interconnects

9th International Conference on the Science and Application of Nanotubes2008年07月

詳細

口頭発表(一般)

Mechanism Analysis of Interrupted Growth of Single-Walled Carbon Nanotube Arrays

9th International Conference on the Science and Application of Nanotubes2008年07月

詳細

口頭発表(一般)

The relationship between Hall coefficient factor and superconductivity of heavily boron doped diamond(Invited)

IWSDRM2008(International Workshop on Superconductivity in Diamond and Related Materials)2008年07月

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口頭発表(一般)

Lattice expansion and superconductivity in heavily boron-doped diamond thin film

IWSDRM2008(International Workshop on Superconductivity in Diamond and Related Materials)2008年07月

詳細

口頭発表(一般)

配線応用のための垂直配向カーボンナノチューブの合成温度の低温化

2008年春季第55回応用物理学会学術講演会2008年05月

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口頭発表(一般)

On the Mechanism of DNA and RNA Precise Sensing using Diamond Devices(Invited)

2nd conference on New Diamond & Nano Carbons2008年05月

詳細

口頭発表(一般)

Low temperature grown carbon nanotube interconnects for LSI application

2nd International Conference on New Diamond and Nano Carbons2008年05月

詳細

口頭発表(一般)

Low temperature growth and LSI application of carbon nanotubes (Invited)

The 4th International Nanotechnology Conference on Communications and Cooperation, Nanotech in Japan2008年04月

ボロンドープダイヤモンドの薄膜成長とその電気特性評価

2008年春季第55回応用物理学会学術講演会2008年03月

詳細

口頭発表(一般)

高密度触媒微粒子によって成長した垂直長尺カーボンナノチューブ

2008年春季第55回応用物理学会学術講演会2008年03月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面上における1塩基ミスマッチを持ったRNAの検出

2008年春季第55回応用物理学会学術講演会2008年03月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVDダイヤモンドの結晶格子伸張

2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会2008年03月

詳細

口頭発表(一般)

Growth of super-long straight CNTs by highly dense catalyst particles

第33回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム2008年03月

詳細

口頭発表(一般)

化学機械研磨により内層を利用した低温成長CNTビアの抵抗値の低減

第33回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム2008年03月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導体における結晶格子の伸張

2008年春季日本物理学会第63回年次大会2008年03月

詳細

口頭発表(一般)

Detection of Single-mismatched Oligonucleotides on Partially Functionalized Diamond

2008 MRS Spring Meeting2008年03月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVDダイヤモンド超伝導体における結晶格子の伸張

2007年応用物理学会結晶工学分科会年末講演会2007年12月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面を用いた1塩基ミスマッチの検出

第30会日本分子生物学会年会第80回日本生化学会大会合同大会2007年12月

詳細

口頭発表(一般)

High-Performance p-channel Diamond MOSFETs with Alumina Gate Insulator

2007 IEEE International Electron Devices Meeting2007年12月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度Bドープダイヤモンドの選択エピタキシャル成長とその電気特性評価

第21回ダイヤモンドシンポジウム,2007年11月

詳細

口頭発表(一般)

集束イオンビームにより打ち込まれたNi触媒からのCNT成長

第21回ダイヤモンドシンポジウム2007年11月

詳細

口頭発表(一般)

LNAを用いたSGFETによるDNA検出

第21回ダイヤモンドシンポジウム2007年11月

詳細

口頭発表(一般)

超伝導転移を示す高濃度ボロンドープCVDダイヤモンドの異方的な結晶格子伸張

第21回ダイヤモンドシンポジウム2007年11月

詳細

口頭発表(一般)

配線応用に向けた低温成長CNTビアの電気特性評価

第21回ダイヤモンドシンポジウム2007年11月

詳細

口頭発表(一般)

長寿命触媒微粒子による長尺カーボンナノチューブ成長

第21回ダイヤモンドシンポジウム2007年11月

詳細

口頭発表(一般)

表面修飾されたダイヤモンド表面上におけるRNAの検出

第21回ダイヤモンドシンポジウム2007年11月

詳細

口頭発表(一般)

ボロンドープ超薄膜の超伝導特性評価

第21回ダイヤモンドシンポジウム2007年11月

詳細

口頭発表(一般)

Surface, Interface and Doping Science of Diamond and FET Applications

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces2007年11月

詳細

口頭発表(一般)

Bias Dependence of RF Performance and Small-signal Equivalent Circuit in Diamond MISFETs

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces2007年11月

詳細

口頭発表(一般)

Growth of Half-Centimeter Long Single- and Double-Walled Carbon Nanotubes by Radical CVD

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces2007年11月

詳細

口頭発表(一般)

Conductivity Characteristic and BCS pairing in Superconductive Diamond Films

2007 MRS Fall Meeting2007年11月

詳細

口頭発表(一般)

Cutting of Layered Single-Walled Carbon Nanotubes: Investigation of Interface Structure and Fabrication of Short Single-walled Carbon Nanotube Arrays

2007 MRS Fall Meeting2007年11月

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口頭発表(一般)

Diamond for high frequency devices, DNA sensors and superconductor

早稲田大学創立125周年シンポジウム・早稲田大学理工学部創設100周年記念シンポジウム2007年10月

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口頭発表(一般)

DC and RF Performance of Diamond MISFETs with Alumina Gate Insulator

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials2007年10月

詳細

口頭発表(一般)

Diamond MISFETs Fabricated on Polycrystalline CVD Diamond

The 34th International Symposium on Compound Semiconductors2007年10月

詳細

口頭発表(一般)

(100)、(111)高濃度ボロンドープCVDダイヤモンドにおける異方的な結晶格子伸張

2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドの表面電荷の調節による1塩基多型DNAの検出

2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドFETソース・ドレイン領域のための高濃度B-doped 選択エピタキシャル成長とその電気特性評価

2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

化学機械研磨により平坦化したCNTビアの電気特性評価

2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

表面修飾されたダイヤモンド表面上におけるRNAの検出

2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

集束イオンビームによる打ち込みNi触媒からのCNT成長(Ⅱ)

2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

Electrical properties of carbon nanotubes grown at a low temperature by radical chemical vapor deposition for future LSI interconnects

2007 International Conference on Solid State Devices and Materials2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

Vertically aligned carbon nanotubes from Ni catalysts implanted by focused-ion-beam

18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

Effect of Interface on the Superconductivity of Boron Doped Diamond Thin film

18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

Fabrication of H-terminated diamond MISFETs utilizing TiC ohmic layer

18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

Detection of mismatched DNA on functionalized diamond surface by controlling surface charge

18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

Evaluation of channel mobility for diamond MISFETs from gate-to-channel capacitance measurement

18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

Electrical properties of vertically-aligned carbon nanotubes grown in via-holes at low temperatures for future interconnects

18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

Expansion of crystalline lattice in heavily B-doped CVD diamond superconductivity

18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2007年09月

詳細

口頭発表(一般)

The effect of Al layer on Fe catalyst for Carbon Nanotube Synthesis

18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides2007年09月

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ポスター発表

Detection of single-mismatch oligonucleotides on functionalized diamond surface by optical and electrochemical methods

5th Joint Meeting on Medical Chemistry2007年06月

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口頭発表(一般)

Transistor Type DNA Sensor for SNPs Detection Using Diamond Surface

Nanoscience and Nanotechnology for Biological/Biomedical/Chemical Sensing2007年06月

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口頭発表(一般)

A new type DNA immobilization using modified diamond surface and its application for SNPs detection

NDNC 20072007年05月

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口頭発表(一般)

DC and RF characterization of 0.1µm gate length Diamond MISFETs fabricated on polycrystalline diamond

New Diamond and Nano Carbons 20072007年05月

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口頭発表(一般)

Low plasma damage hydrogen-termination process by antenna-edge-plasma

New Diamond and Nano Carbons 20072007年05月

詳細

口頭発表(一般)

Synthesis of Carbon Nanotubes from Focused Ion Beam Implanted Ni Catalysts

1st International Conference on New Diamond and Nano Carbons2007年05月

詳細

口頭発表(一般)

Diamond MISFETs fabricated on high quality polycrystalline CVD diamond

19th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs2007年05月

詳細

口頭発表(一般)

Diamond MISFETs fabricated on high quality polycrystalline CVD diamond(K. Hirama, H. Takayanagi, S. Yamauchi, Y. Jingu, H. Umezawa, H. Kawarada)

International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs(19th)2007年05月

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口頭発表(一般)

Low Temperature Radical Chemical Vapor Deposition of Vertically Aligned CNTs using Size-classified Co Particles for LSI Multi-layer Interconnects

1st International Conference on New Diamond and Nano Carbons2007年04月

詳細

口頭発表(一般)

配線応用へ向けたビア構造からのカーボンナノチューブの低温ラジカルCVD 成長(横山 大輔, 岩崎 孝之, 吉田 剛, 佐藤 信太郎, 二瓶 瑞久, 粟野 祐二, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(春季第54回)2007年03月

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口頭発表(一般)

ボロンドープダイヤモンド超伝導への表面終端及び界面の影響(岡田 竜介, 石綿 整, 竹之内 智大, 入山 慎吾, 立木 実, 高野 義彦, 石井 聡, 奥津 貴史, 上田 真也, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(春季第54回)2007年03月

詳細

口頭発表(一般)

集束イオンビームによる打ち込みNi触媒からのCNT成長(岩崎 孝之, 小出 敬, 森金 亮太, 目島 壮一, 中山 英樹, 品田 賢宏, 大泊 巌, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(春季第54回)2007年03月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドの表面電荷の調節によるDNA 塩基ミスマッチの検出(久我 翔馬, 梁 正勲, 高橋 宏徳, 宋 光燮, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(春季第54回)2007年03月

詳細

口頭発表(一般)

CO<SUB>2</SUB>を用いた先端放電型ラジカルCVDによるカーボンナノチューブ合成(Ⅱ)(真木 翼, 岩崎 孝之, 吉田 剛, 相川 拓海, 野末 竜弘, 近藤 大雄, 川端 章夫, 佐藤 信太郎, 二瓶 端久, 粟野 祐二, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(春季第54回)2007年03月

詳細

口頭発表(一般)

Ti/Pt/Au ohmic電極形成と水素ラジカル照射法を利用した水素終端ダイヤモンドMISFETの作製・評価(神宮 宜克, 小柴 亨, 平間 一行, 岩崎 孝之, 梅沢 仁, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(春季第54回)2007年03月

詳細

口頭発表(一般)

超伝導転移を示す高濃度ボロンドープCVDダイヤモンドにおける結晶格子の伸張(入山 慎吾, 竹之内 智大, 石綿 整, 岡田 竜介, 立木 実, 高野 義彦, 石井 明, 石井 聡, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(春季第54回)2007年03月

詳細

口頭発表(一般)

フッ素系高分子膜による水素終端ダイヤモンドの伝導性の上昇(福本 亘, 田中 雅也, 與原 圭一朗, 山内 真太郎,平間 一行, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(春季第54回)2007年03月

詳細

口頭発表(一般)

低抵抗多結晶ダイヤモンド基板上に作製したダイヤモンドMISFETの特性評価(平間 一行, 高柳 英典, 山内 真太郎, 神宮 宜克, 梅沢 仁, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(春季第54回)2007年03月

詳細

口頭発表(一般)

Co触媒微粒子を用いた先端放電型ラジカルCVDによるCNT低温合成-LSI配線応用に向けて(横山 大輔, 岩崎 孝之, 吉田 剛, 佐藤 信太郎, 二瓶 瑞久, 粟野 祐二, 川原田 洋)

フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム(第32回)2007年02月

詳細

口頭発表(一般)

長尺カーボンナノチューブ合成のための先端放電型ラジカルCVD条件最適化とCO2の効果(岩崎 孝之, 真木 翼, 吉田 剛, 相川 拓海, 野末 竜弘, 近藤 大雄, 川端 章夫, 佐藤 信太郎, 二瓶 瑞久, 粟野 祐二, 川原田 洋)

フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム(第32回)2007年02月

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口頭発表(一般)

Detection of DNA Hybridization by Diamond Solution Gate Field Effect Transistors - A New Type of DNA Sensor Based on Charge Detection(H. Kawarada, K. S. Song, J. H. Yang)

2006 MRS Fall Meeting2006年11月

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口頭発表(一般)

Characterization of direct immobilization on functionalized diamond Solution-Gate Field-Effect Transistors for detecting single-mismatch oligonucleotides(J. H. Yang, K. S. Song, S. Kuga, H. Kawarada)

2006 MRS Fall Meeting2006年11月

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口頭発表(一般)

Synthesis of Very Dense and Vertically Aligned Single-walled Carbon Nanotubes by Radical CVD(T. Yoshida, T. Iwasaki, H. Kawarada)

2006 MRS Fall Meeting2006年11月

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口頭発表(一般)

Co触媒微粒子を用いた先端放電型ラジカルCVDによるCNTの低温合成(横山 大輔, 岩崎 孝之, 吉田 剛, 佐藤 信太郎, 二瓶 瑞久, 粟野 祐二, 川原田 洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第20回)2006年11月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンド超伝導への表面・界面の影響(岡田 竜介, 石綿 整, 竹之内 智大, 入山 慎吾, 立木 実, 高野 義彦, 石井 聡, 興津 貴史,上田 真也, 川原田 洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第20回)2006年11月

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口頭発表(一般)

部分的酸素終端表面を用いたSGFET-DNAセンサによる塩基ミスマッチ検出(久我 翔馬, 梁 正勲, 宋 光燮, 川原田 洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第20回)2006年11月

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口頭発表(一般)

長尺カーボンナノチューブ合成のための先端放電型ラジカルCVD条件最適化(真木 翼, 岩崎 孝之, 相川 拓海, 川原田 洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第20回)2006年11月

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口頭発表(一般)

Ti/Pt/Auオーミック電極を用いた水素終端ダイヤモンドMISFETの作製と評価(神宮 宜克, 小柴 亨, 高柳 英典, 山内 真太郎, 興原 圭一郎, 平間 一行, 岩崎 孝之, 川原田 洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第20回)2006年11月

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口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVDダイヤモンド超伝導体における合成条件とTcの関係(入山 慎吾, 竹之内 智大, 石綿 整, 岡田 竜介, 立木 実, 高野 義彦, 石井 聡, 石坂 香子,馬場 輝久, 川原田 洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第20回)2006年11月

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口頭発表(一般)

負電荷保持薄膜のパッシベーションによるダイヤモンドFET特性の改善(福本 亘, 田中 雅也, 平間 一行, 山内 真太郎, 川原田 洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第20回)2006年11月

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口頭発表(一般)

Superconductivity from highly boron-doped diamonds(H. Kawarada, Y. Takano, Y. Yokoya)

International Symposium on Super conductivity(19th)2006年10月

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口頭発表(一般)

Change of conductivity characteristic in heavily boron-doped diamond films(H. Ishiwata, S. Koizumi, T. Takenouchi, Y. Takano, M. Nagao, T. Hatano, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides(17th)2006年09月

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口頭発表(一般)

The detection of base pair mismatched DNA using diamond field-effect transistors (FETs)(H. Takahashi, K. Furukawa , K. S. Song, G.. J. Zhang, J. H. Yang, I. Ohdomari, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides(17th)2006年09月

詳細

口頭発表(一般)

Microwave analysis of 30GHz cut-off frequency diamond MISFETs(K. Hirama, T. Koshiba, H. Takayanagi, K.Yohara, S.Yamauchi, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides(17th)2006年09月

詳細

口頭発表(一般)

Control of two-dimensional hole gas layer through charged membranes on the hydrogen-terminated diamond surface(M. Tanaka, D.Ogiwara, Y. Sasaki, K.Hirama, K. S. Song, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides(17th)2006年09月

詳細

口頭発表(一般)

Growth of single-walled carbon nanotubes in nano-sized via holes for interconnects(R. Morikane, T. Iwasaki, G. Zhong, T. Edura, K. Tsutsui, Y. Wada, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides(17th)2006年09月

詳細

口頭発表(一般)

Evaluation of effective carrier mobility of two-dimensional accumulation layer on Diamond FET(S. Yamauchi, K. Hirama, T. Koshiba, K. Yohara, H. Takayanagi, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides(17th)2006年09月

詳細

口頭発表(一般)

Fabrication and Application of low resistive layer by ion irradiation into diamond(T. Koide, T. Arai, S. Mejima, K. Hirama, K. S. Song, D. Ferrer, T. Shinada, I. Ohdomari, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides(17th)2006年09月

詳細

口頭発表(一般)

Immobilization of streptavidin using biotin-avidin interaction on the diamond surface(T. Ohki, K. S. Song, G.. J. Zhang, J. H. Yang, I. Ohdomari, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides(17th)2006年09月

詳細

口頭発表(一般)

LSI多層配線応用のための先端放電型ラジカルCVDによる垂直配向CNTの低温合成(横山 大輔, 岩崎 孝之, 吉田 剛, 佐藤 信太郎, 二瓶 瑞久, 粟野 祐二, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第67回)2006年08月

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口頭発表(一般)

MISFET構造を用いたダイヤモンド2次元正孔ガスの低温特性評価(岡田 竜介, 石綿 整, 竹之内 智大, 入山 慎吾, 立木 実, 高野 義彦, 石井 聡, 奥津 貴史, 上田 真也, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第67回)2006年08月

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口頭発表(一般)

表面修飾を用いたSGFET-DNAセンサの特性(久我 翔馬, 梁 正勲, 高橋 宏徳, 宋 光燮, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第67回)2006年08月

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口頭発表(一般)

収束イオンビームによるBイオンダイヤモンドの半導体特性(小出 敬, 目島 壮一, 平間 一行, 坪内 信輝,小倉 政彦,茶谷原 昭義,鹿田 真一, 品田 賢宏, 大泊 巌, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第67回)2006年08月

詳細

口頭発表(一般)

CO2を用いた先端放電型マイクロ波プラズマCVDによるカーボンナノチューブ合成(真木 翼, 岩崎 孝之, 相川 拓海, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第67回)2006年08月

詳細

口頭発表(一般)

先端放電型プラズマによるダイヤモンド正孔蓄積層の低温回復(神宮 宜克, 小柴 亨, 高柳 英典, 山内 真太郎, 與原 圭一郎, 平間 一行, 岩崎 孝之, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第67回)2006年08月

詳細

口頭発表(一般)

カルモジュリンを用いたダイヤモンド電解質ゲートFET によるCa2+の検出(大木 貴史, 出川 宗里, 本橋 秀樹, 宋 光燮, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第67回)2006年08月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンドP型表面蓄積層におけるO2-イオンの影響(田中 雅也, 大木 貴史, 平間 一行, 宋 光燮, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第67回)2006年08月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVDダイヤモンド超伝導体における合成条件とTcの関係(入山 慎吾, 竹之内 智大, 石綿 整, 岡田 竜介, 立木 実, 高野 義彦, 石井 聡, 奥津 貴史, 上田 真也, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第67回)2006年08月

詳細

口頭発表(一般)

負電荷保持薄膜のパッシベーションによるダイヤモンドFET特性の改善(福本 亘, 與原 圭一朗, 田中 雅也,平間 一行, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第67回)2006年08月

詳細

口頭発表(一般)

RF power evaluation of diamond MISFETs using load pull measurement(K. Hirama, S. Yamauchi, H. Takayanagi, K. Yohara, T. Koshiba, M. Satoh and H. Kawarada)

電子材料シンポジウム(第25回)2006年07月

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口頭発表(一般)

RF diamond MISFETs using surface accumulation layer(K. Hirama, T. Koshiba, K. Yohara, H. Takayanagi, M. Satoh, H. Kawarada)

International Symposium on Power Semiconductor Devices And ICs(18th)2006年06月

詳細

口頭発表(一般)

Enhanced Growth of Millimeter Long Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Edge Growth(T. Iwasaki, G. Zhong, H. Kawarada)

Nanotube 20062006年06月

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口頭発表(一般)

Characterization of controlled hybridization kinetics on diamond field effect transistor for detecting label-free oligonucleotides(J. H. Yang, K. S. Song, Y. Sasaki. H. Kawarada)

BIOSENSORS 20062006年05月

詳細

口頭発表(一般)

Electric-field assisted DNA sensors using diamond FETs(K. S. Song, T. Hiraki, K. Furukawa, J. H. Yang, H. Kawarada)

BIOSENSORS 20062006年05月

詳細

口頭発表(一般)

Millimeter Long Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by an ultra long lifetime of catalysts(T. Iwasaki, G. Zhong, T. Yoshida, T. Aikawa, R. Morikane, H. Kawarada)

NSTI Nanotech 20062006年05月

詳細

口頭発表(一般)

Dense hole accumulation induced by O2- ions on hydrogen-terminated diamond surface: A new model for subsurface conductivity(H. Kawarada, D. Ogiwara, M. Tanaka, Y. Sasaki, K. Hirama and K. S. Song)

The joint International Conference on New Diamond Science and Technology and the Applied Diamond Conference2006年05月

詳細

口頭発表(一般)

Detection of the label-free target oligonucleotides on diamond SGFETs by using direct amination and CAC(J. H. Yang, K. S. Song, G. J. Zhang, S. Yoshinori, I. Ohdomari, H. Kawarada)

The joint International Conference on New Diamond Science and Technology and the Applied Diamond Conference2006年05月

詳細

口頭発表(一般)

Highly sensitive label-free DNA diamond FET biosensor based on the negative charge of DNA(K. S. Song, T. Hiraki, K. Furukawa, J. H. Yang, H. Kawarada)

The joint International Conference on New Diamond Science and Technology and the Applied Diamond Conference2006年05月

詳細

口頭発表(一般)

RF power characteristics of diamond MISFETs utilizing hole accumulation layer(K.Hirama, S.Yamauchi, M.Satoh, H. Kawarada)

joint International Conference on New Diamond Science and Technology and the Applied Diamond Conference2006年05月

詳細

口頭発表(一般)

Detection of the label-free DNA on diamond SGFETs by direct amination and CAC(J. H. Yang, K. S. Song, G. J. Zhang, I. Ohdomari, H. Kawarada)

ACS National Meeting(231st)2006年03月

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口頭発表(一般)

SGFET-DNAセンサにおける電圧印加によるSNPs検出(高橋 宏徳, 古川 慧, 宋 光燮, 張 国軍, 梁 正勲, 大泊 巌, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第53回)2006年03月

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口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVDダイヤモンド超伝導体におけるJc評価②(手塚 真一郎, 石綿 整, 竹之内 智大, 高野 義彦, 長尾 雅則, 坂口 勲, 立木 実, 羽多野 毅, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第53回)2006年03月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドへのイオン照射による 局所低抵抗層の形成とその応用(小出 敬, 新井 達也, 目島 壮一, 平間 一行, 宋 光燮, ドミンゴ フェレール, 品田 賢宏, 大泊 巌, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第53回)2006年03月

詳細

口頭発表(一般)

配線応用へ向けたナノサイズビア構造からの単層カーボンナノチューブ成長(森金 亮太, 岩崎 孝之, 鍾 国倣, 江面 知彦, 筒井 謙, 和田 恭雄, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第53回)2006年03月

詳細

口頭発表(一般)

濃度10%のボロンドープダイヤモンドの電気特性(石綿 整, 小泉 聡, 手塚 真一郎, 竹之内 智大, 高野 義彦, 長尾 雅則, 坂口 勲, 羽多野 毅, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第53回)2006年03月

詳細

口頭発表(一般)

ホール蓄積層を用いたダイヤモンドMISFETのパワー特性(平間 一行, 山内 真太郎, 佐藤 允也, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第53回)2006年03月

詳細

口頭発表(一般)

ハイブリダイゼーション速度調節によるSGFET−DNAセンサの特性(梁 正勲, 宋 光燮, 佐々木 順紀, 古川 慧, 平木 貴博, 高橋 宏徳, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第53回)2006年03月

詳細

口頭発表(一般)

Diamond FET biosensor to actualize the detection of SNP based its charge detection(K. S. Song, G. J. Zhang, K. Furukawa, T. Hiraki, Y. Sasaki, J. H. Yang, I. Ohdomari, H. Kawarada)

2005 MRS Fall Meeting2005年11月

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口頭発表(一般)

Detection of Ions and DNA Hybridization using Diamond Solution Gate FETs(H. Kawarada, K. Furukawa, Y. Sasaki, J. H. Yang, K. S. Song)

2005 Symposium on Nanoscale Materials, Processes and Devices2005年11月

詳細

口頭発表(一般)

Diamond RF Transistors on H-Terminated Diamond Surface Channel(H. Umezawa, H. Hirama, T. Arai, H. Takayanagi, T. Koshiba, K. Yohara, S. Mejima, M. Satoh, H. Kawarada)

2005 Symposium on Nanoscale Materials, Processes and Devices2005年11月

詳細

口頭発表(一般)

A novel method of DNA immobilization on diamond by aromatic carboxylic compound(J. H. Yang, K. S. Song, G. J. Zhang, M. Degawa, Y. Sasaki, I. Ohdomari, H. Kawarada)

2005 Symposium on Nanoscale Materials, Processes and Devices2005年11月

詳細

口頭発表(一般)

DNA detection and biosensing application of diamond transistors(K. S. Song, M. Degawa, Y. Sasaki, K. Furukawa, T. Ohki, T. Hiraki, J. H. Yang, H.Kawarada)

2005 Symposium on Nanoscale Materials, Processes and Devices2005年11月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドSGFET-DNAセンサにおけるハイブリダイゼーション制御(高橋 宏徳, 古川 慧, 宋 光燮, 張 国軍, 梁 正勲, 大泊 巌, 川原田 洋)

ニューダイヤモンドシンポジウム(第19回)2005年11月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドSGFETのpH感応性と時間応答(坂本 琢磨, 佐々木 順紀, 大木 貴史, 出川 宗里, 平木 貴博, 梁 正勲, 宋 光燮, 川原田 洋)

ニューダイヤモンドシンポジウム(第19回)2005年11月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVDダイヤモンド超伝導体におけるJc評価(手塚 真一郎, 石綿 整, 竹之内 智大, 高野 義彦, 長尾 雅則, 坂口 勲, 立木 実, 羽多野 毅, 川原田 洋)

ニューダイヤモンドシンポジウム(第19回)2005年11月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面への重金属イオン照射による局所低抵抗層の形成とその応用(小出 敬, 新井 達也, 目島 壮一, 平間 一行, ドミンゴ フェレール, 宋 光燮, 品田 賢宏, 大泊 巌, 川原田 洋)

ニューダイヤモンドシンポジウム(第19回)2005年11月

詳細

口頭発表(一般)

放電型マイクロ波プラズマCVD法による単層カーボンナノチューブの成長制御(森金 亮太, 岩崎 孝之, 鍾 国倣, 相川 拓海, 吉田 剛, 川原田 洋)

ニューダイヤモンドシンポジウム(第19回)2005年11月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVDダイヤモンドにおけるキャリア密度の評価(石綿 整, 手塚 真一郎, 竹之内 智大, 高野 義彦, 長尾 雅則, 坂口 勳, 立木 実, 川原田 洋)

ニューダイヤモンドシンポジウム(第19回)2005年11月

詳細

口頭発表(一般)

Influence of Negative Adsorption on Hydrogen Terminated P-Type Diamond Surface(D. Ogiwara, M. Tanaka, Y. Sasaki, K. Hirama, K. S. Song, H. Umezawa, H. Kawarada)

2005 AIChE Annual Meeting2005年10月

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口頭発表(一般)

Detection of Ions and DNA Hybridization Using Diamond Solution Gate Fets(H. Kawarada, K. S. Song)

2005 AIChE Annual Meeting2005年10月

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口頭発表(一般)

Synthesis of Millimeter Long Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Point-Arc Microwave Plasma Cvd(T. Iwasaki, T. Yoshida, T. Aikawa, G. F. Zhong, I. Ohdomari, H. Kawarada)

2005 AIChE Annual Meeting2005年10月

詳細

口頭発表(一般)

Diamond field-effect transistors (FETs) applying for the charge detection biosensors(K. S. Song, G. J. Zhang, K. Furukawa, T. Hiraki, Y. Sasaki, J.H. Yang, I. Ohdomari, H. Kawarada)

2005 Instrumental Methods of Analysis Modern Trends and Applications Crete2005年10月

詳細

口頭発表(一般)

Influence of negatively charged adsorbates on Hydrogen-terminated p-type diamond surface(D. Ogiwara, M. Tanaka, Y. Sasaki, K. Hirama, K..S. Song, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(16th)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

Controlled growth of single-walled carbon nanotubes by point-arc microwave plasma CVD(G. F. Zhong, T. Iwasaki, T. Yoshida, T. Aikawa, H, Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(16th)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

Ultra sensitive label-free diamond DNA biosensor to detect its molecular negative charge(K. Furukawa, K. S. Song, G. J. Zhang, J. H. Yang, I. Ohdomari, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(16th)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

Development of diamond MISFETs with oxide gate insulator(K. Yohara, K. Hirama, M. Satoh, H. Umezawa, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(16th)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

How to achieve millimeter long vertically aligned single-walled carbon nanotubes by plasma assistant CVD?(T. Aikawa, T. Yoshida, T. Iwasaki, G. F. Zhong, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(16th)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

The miniaturized diamond electrolyte solution- gate FET (SGFET) to realize in vivo diagnostics of disease(T. Hiraki, K. S. Song, G. J. Zhang, J. H. Yang, I..Ohdomari, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(16th)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

Dispersibility evaluation of ultra-dispersed diamonds(UDDs) immobilized biological molecules(Y. Murakami, Y. Nakano, G. J. Zhang, K. S. Song, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(16th)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

Drift and hysteresis characteristics on the pH sensitive diamond SGFET(Y. Sasaki, T. Ohki, K. S. Song, M. Degawa, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(16th)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

The Improvement of RF Performance for Diamond MISFETs with Miniaturization of Gate Length(H. Takayanagi, K. Hirama、 M. Satoh、 H. Kawarada)

INT'L CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 20052005年09月

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口頭発表(一般)

Influences of B-Doped Layer under the Channel of H-Terminated DiamondFETs(T. Koshiba; K. Hirama; T. Saito; M. Ogura, M. Sato; H. Umezawa; K. H. Park; H. Kawarada)

INT'L CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 20052005年09月

詳細

口頭発表(一般)

Fabrication of Low Resistive Layer in Diamond Surface by Ni Ion Irradiation at Low Doses using FIB(S. Mejima; T. Arai; K. Hirama; H. Umezawa; F. Domingo; T. Shinada; I. Ohdimari; H. Kawarada)

NT'L CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 20052005年09月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンドSGFET-DNAセンサにおけるハイブリダイゼーション検出の温度依存特性(高橋 宏徳, 古川 慧, 宋 光燮, 張 国軍, 梁 正勲, 大泊 巌,川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第66回)2005年09月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンドSGFETのpH感応性と時間応答(佐々木 順紀, 大木 貴史, 出川 宗里, 平木 貴博, 梁 正勲, 宋 光燮, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第66回)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

高周波ダイヤモンドMISFETにおけるホールキャリア速度の向上(山内 真太郎, 平間 一行, 小柴 亨, 与原 圭一朗, 高柳 英典, 佐藤 允也, 宋 光燮, 小倉 政彦, 齊藤 丈靖, 朴 慶浩, 藤森 直治, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第66回)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVDダイヤモンド超伝導体におけるJc評価構造の検討(手塚 真一郎, 石綿 整, 竹之内 智大, 高野 義彦, 長尾 雅則, 坂口 勲, 立木 実, 羽多野 毅, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第66回)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

昇温ダイヤモンド表面へのNiイオン照射による局所低抵抗領域の電気特性(小出 敬, 新井 達也, 目島 壮一, 宋 光燮, ドミンゴ フェレール, 品田 賢宏, 大泊 巌, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第66回)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

高密度・垂直配向単層カーボンナノチューブの成長機構解明(森金 亮太, 岩崎 孝之, 鐘 国倣, 相川 拓海, 吉田 剛, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第66回)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVD ダイヤモンドにおけるキャリア密度の評価(石綿 整, 手塚 真一郎, 竹之内 智大, 高野 義彦, 長尾 雅則, 坂口 勲, 立木 実, 羽多野 毅, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第66回)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドの気相合成-半導体から超電導まで(川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第66回)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

表面修飾した超分散性ダイヤモンド(UDDs)の分散性評価(村上 泰規, 中野 善和, 梁 正勲, 宋 光燮, 張 国軍, 梅沢 仁, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第66回)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVD ホモエピタキシャルダイヤモンドの超伝導特性II(竹之内 智大, 手塚 真一郎, 石綿 整, 高野 義彦, 長尾 雅則, 坂口 勲, 立木 実, 羽多野 毅, Hoesch Moritz, 福田 竜生, 水木 純一郎, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第66回)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

微細ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETを用いた高感度DNAセンサ(平木 貴博, 宋 光燮, 張 国軍, 梁 正勲, 大泊 巌, 川原田 洋)

応用物理学会学術講演会(第66回)2005年09月

詳細

口頭発表(一般)

高密度・垂直配向単層カーボンナノチューブの成長機構解明(岩崎 孝之, 鍾 国倣, 相川 拓海, 吉田 剛, 川原田 洋)

フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム(第29回)2005年07月

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口頭発表(一般)

High Yield Selective Growth of Millimeter Long, Vertically Aligned Single-walled Carbon Nanotubes at Low Temperatures(G. Zhong, T. Iwasaki, I. Ohdomari, H. Kawarada)

International Conference on the Science and Application of Nanotubes(6th)2005年06月

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口頭発表(一般)

High-Performance MISFET Using High-Mobility Substrate and Alminum Oxide Gate Insulator(K. Hirama, T. Koshiba, K. Yohara, H. Takayanagi, M. Satoh, H. Umezawa, H. Kawarada, T. Saitoh, K. Park, N. Fujimori)

ADC/Nanocarbon(2005)2005年05月

詳細

口頭発表(一般)

Development of diamond MISFETs with low-temperature oxided alumina gate insulator(K. Yohara, K. Hirama, T. Saitoh, K. Park, M. Satoh, H. Umezawa, H. Kawarada)

International Conference on New Diamond Science and Technology(10th)2005年05月

詳細

口頭発表(一般)

Control of p-type surface conductivity through charged membranes on the hydrogen-terminated diamond surface(M. Tanaka, D. Ogiwara, Y. Sasaki, K. S. Song, H. Umezawa, H. Kawarada)

International Conference on New Diamond Science and Technology(10th)2005年05月

詳細

口頭発表(一般)

Fablication of low resistive layer in diamond surface by Ni ion irradiation with controlling substrate temperature(S. Mejima, H. Hata, T. Arai, H. Umezawa, J. Kurosawa, D. Ferrer, T. Shinada, I. Ohdomari, H. Kawarada)

International Conference on New Diamond Science and Technology(10th)2005年05月

詳細

口頭発表(一般)

Super long catalyst life time over 20 hours for the growth of single-walled and multiwalled carbon Nanotubes(T. Aikawa, T. Yoshida, T. Iwasaki, R. Hosaka, G. Zhong, H. Kawarada)

International Conference on New Diamond Science and Technology(10th)2005年05月

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口頭発表(一般)

Hysteresis characteristic on the pH sensitive diamond SGFET(T. Ohki, Y. Sasaki, J. Yang, K. S. Song, H. Umezawa, H. Kawarada)

International Conference on New Diamond Science and Technology(10th)2005年05月

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口頭発表(一般)

配線応用に向けた先端放電型マイクロ波プラズマCVDによるカーボンナノチューブの低温合成(吉田 剛, 相川 拓海, 岩崎 孝之, 鍾 国倣, 大泊 巌, 川原田 洋)

応用物理学関係連合講演会(春季第52回)2005年03月

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口頭発表(一般)

検出に向けたSGFET-DNAセンサの応用(古川 慧, 中村 雄介, 宋 光燮, 張 国軍, 梁 正勲, 梅沢 仁, 大泊 巌, 川原田 洋)

応用物理学関係連合講演会(春季第52回)2005年03月

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口頭発表(一般)

ゲート長の微細化によるダイヤモンドMISFETの高周波特性の改善(高柳 英典, 平間 一行, 小柴 亨, 与原 圭一郎, 齊藤 丈靖, 朴 慶浩, 佐藤 允也, 梅沢 仁, 川原田 洋)

応用物理学関係連合講演会(春季第52回)2005年03月

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口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンドFETチャネル下のBドープ層の影響(小柴 亨, 平間 一行, 高柳 英典, 与原 圭一朗, 齊藤 丈靖, 小倉 政彦, 佐藤 允也, 梅沢 仁, 朴 慶浩, 川原田 洋)

応用物理学関係連合講演会(春季第52回)2005年03月

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口頭発表(一般)

端放電型マイクロ波プラズマCVDによる長時間成長及び触媒の膜厚と直径の関係(相川 拓海, 吉田 剛, 岩崎 孝之, 保坂 亮太, 鍾 国倣, 川原田 洋)

応用物理学関係連合講演会(春季第52回)2005年03月

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口頭発表(一般)

生体分子固定による超分散性ダイヤモンド(UDDs)の分散性評価(村上 泰規, 中野 善和, 宋 光燮, 張 国軍, 梅沢 仁, 川原田 洋)

応用物理学関係連合講演会(春季第52回)2005年03月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンドSGFETのpH感応性に対するヒステリシス特性(大木 貴史, 佐々木 順紀, 宋 光燮, 梅沢 仁, 川原田 洋)

応用物理学関係連合講演会(春季第52回)2005年03月

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口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVDホモエピタキシャルダイヤモンドの超伝導特性(竹之内 智大, 小林 健作, 高野 義彦, 長尾 雅則, 坂口 勲, 立木 実, 羽多野 毅, 鍾 国倣, 梅沢 仁, 川原田 洋)

応用物理学関係連合講演会(春季第52回)2005年03月

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口頭発表(一般)

負電荷保持薄膜の表面形成による水素終端ダイヤモンドp型表面伝導の向上(田中 雅也, 荻原 大輔, 平間 一行, 佐々木 順紀, 宋 光燮, 梅沢 仁, 川原田 洋)

応用物理学関係連合講演会(春季第52回)2005年03月

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口頭発表(一般)

微細電解質溶液ゲートFETを用いた高感度バイオセンサ(平木 貴博, 川村 正太, 宋 光燮, 中村 雄介, 佐々木 順紀, 出川 宗里, 梅沢 仁, 川原田 洋)

応用物理学関係連合講演会(春季第52回)2005年03月

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口頭発表(一般)

目島 壮一, 畑 英夫, 新井 達也, 梅沢 仁, 黒沢 淳, ドミンゴ フェレール, 品田 賢宏, 大泊 巌, 川原田 洋(目島 壮一, 畑 英夫, 新井 達也, 梅沢 仁, 黒沢 淳, ドミンゴ フェレール, 品田 賢宏, 大泊 巌, 川原田 洋)

応用物理学関係連合講演会(春季第52回)2005年03月

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口頭発表(一般)

低温酸化絶縁膜を用いたダイヤモンドMISFETの特性評価(与原 圭一朗, 平間 一行, 齊藤 丈靖, 朴 慶浩, 佐藤 允也, 梅沢 仁, 川原田 洋)

応用物理学関係連合講演会(春季第52回)2005年03月

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口頭発表(一般)

Mass production of very long and vertically aligned single-walled carbon Nanotubes(G. Zhong, H. Kawarada)

フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム(第28回)2005年01月

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口頭発表(一般)

配線応用に向けた先端放電型マイクロ波プラズマCVDによるカーボンナノチューブの低温合成(吉田 剛, 川原田 洋)

フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム(第28回)2005年01月

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口頭発表(一般)

High power RF Diamond FETs with Low Resistive Source/Drain Carbide Ohmic Layer using Focused Ni Ion Irradiation(H. Hata, T. Arai, S. Mejima, H. Umezawa, D. Ferrer, T. Shinada, I. Ohdomari, H. Kawarada)

2004 MRS Fall Meeting2004年11月

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口頭発表(一般)

Super conductivity in heavily B-doped CVD Diamond thin Film(K. Kobayashi, T. Tekenouchi, Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi, M. Tachiki, T. Hatano, G. Zhong, H. Umezawa, H. Kawarada)

2004 MRS Fall Meeting2004年11月

詳細

口頭発表(一般)

Low Temperature Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Carbon Nanotubes and Nanofibers(T. Iwasaki, Y. Yoshida, T. Aikawa, R. Hosaka, K. Honda, G. Zhong, Y. Furukawa, I. Ohdomari, H. Kawarada)

2004 MRS Fall Meeting2004年11月

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口頭発表(一般)

The label-free DNA detection using diamond FET based on its molecular charge(Y. Nakamura, K. S. Song, G. Zhang, J. H. Yang, K. Furukawa, S. Kawamura, Y. Sasaki, M. Degawa, H. Umezawa, I. Ohdomari, H. Kawarada)

2004 MRS Fall Meeting2004年11月

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口頭発表(一般)

SGFETを利用した電荷検出型ラベルフリーDNAセンサ(古川慧,中村雄介,張国軍,宋光燮,梅沢仁, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第18回)2004年11月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面オゾン処理によるトランジスタ特性制御(小柴 亨, 平間 一行,梅沢 仁, 川原田 洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第18回)2004年11月

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口頭発表(一般)

生体分子を固定した超分散ダイヤモンドの評価(村上泰規,中野善和,張国軍,梅沢仁,宋光燮, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第18回)2004年11月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVDダイヤモンドの超伝導特性(竹之内智大, 小林健作, 高野義彦, 立木実, 羽多野毅, 鍾国倣, 梅沢仁, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第18回)2004年11月

詳細

口頭発表(一般)

微細ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETのバイオセンサへの 利用(平木貴博,川村正太,宋光燮,梅沢仁,川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第18回)2004年11月

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口頭発表(一般)

Niイオン照射によるダイヤモンドFETの低抵抗ソース・ドレイン領域の形成(目島 壮一, 新井 達也, 梅沢 仁, 川原田 洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第18回)2004年11月

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口頭発表(一般)

Bドープ(100)ダイヤモンド水素終端表面を利用したFETの作成(齋藤丈靖,小倉政彦,朴慶浩,大串秀世,平間一行,梅沢仁,川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第18回)2004年11月

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口頭発表(一般)

DIAMOND FIELD EFFECT TRANSISTORS FOR RF, NANO, AND BIO APPLICATIONS(H. Kawarada, H. Umezawa, K. S. Song)

Int. Semionar on Advances in Carbon Electronics(3rd)2004年10月

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口頭発表(一般)

Biosensing mechanism of solution gate diamond FET(H, Kawarada, K. S. Song, H. Umezawa, Y. Nakamura, Y. Sasaki, M. Degawa)

SE-Heraeus-Seminar. Biofunctional Interfaces: Basic Science and Applications(334th)2004年10月

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口頭発表(一般)

Biosensing mechanism of solution gate diamond FETs(H. Kawarada, H. Umezawa, K. S. Song)

SE-Heraeus-Seminar. Biofunctional Interfaces: Basic Science and Applications(334th)2004年10月

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口頭発表(一般)

A novel method of DNA immobilization on diamond by aromatic carboxylic compound; hybridization to compare fluorescence intensities(J. H. Yang, K. S. Song, H. Umezawa, H. Kawarada)

SE-Heraeus-Seminar. Biofunctional Interfaces: Basic Science and Applications(334th)2004年10月

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口頭発表(一般)

The pH sensitivity on the hydrogenated diamond surface and its application to biosensors(K. S. Song, Y. Nakamura, M. Degawa, Y. Sasaki, H. Umezawa, H. Kawarada)

SE-Heraeus-Seminar. Biofunctional Interfaces: Basic Science and Applications(334th)2004年10月

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口頭発表(一般)

Diamond MISFETs for High Frequency Applications(H. Umezawa, H. Kawarada)

2004 International Conference on Solid State Devices and Materials2004年09月

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口頭発表(一般)

Miniaturized electrolyte solution gate FET on polycrystalline diamond(S. Kawamura, K. S. Song, H. Umezawa, Y. Nakamura, Y. Sasaki, M. Degawa, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carb(15th)2004年09月

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口頭発表(一般)

Low temperature synthesis of highly oriented and very dense single-walled carbon nanotubes by remote microwave plasma chemical vapour deposition(G. F. Zhong, H. Kawarada, I. Ohdomari)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(15th)2004年09月

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口頭発表(一般)

Biosensors Based on Diamond Transistors(H. Kawarada, H. Umezawa, H. Kanazawa, Y. Nakamura, Y. Kaibara, M. Degawa, Y. Sasaki, K. S. Song)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(15th)2004年09月

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口頭発表(一般)

The bio-application of electrolyte-solution-gate diamond FETs(M. Degawa, K. S. Song, Y. Nakamura, Y. Sasaki, S. Kawamura, H. Umezawa, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(15th)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

The antenna-edge-type microwave plasma-assisted chemical vapor deposition for carbon nanotube growth(R. Hosaka, G. Zhong, T. Iwasaki, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(15th)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

Modification of diamond thin films utilizing electron beam and focused-ion beam(T. Arai, H. Hata, H. Umezawa, D. Ferrer, T. Shinada, I. Ohdomari, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(15th)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

Mechanism on the nonvolatile memory effect on diamond in-plane-gated field-effect transistors(Y. Itoh, Y. Sumikawa, K. Kobayashi, H. Umezawa, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(15th)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

Immobilization of biological molecule using ultra-dispersed diamond and its application(Y. Nakano, H. Umezawa, G-J. Zhang, Y. Kaibara, K. S. Song, T. Zako, T. Funatsu, K. Honda, Y. Furukawa, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide(15th)2004年09月

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口頭発表(一般)

端放出型マイクロ波プラズマCVDによる垂直配向・高密度単層カーボンナノチューブの低温合成(吉田剛, 岩崎孝之, 保坂亮太, 本多光太郎, 鍾国倣, 古川行夫, 大泊巌, 川原田洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

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口頭発表(一般)

電解質ゲートダイヤモンドFETを利用したDNAセンサ(古川慧, 中村雄介, 宋光燮, 張国軍, 梁正勲, 川村正太, 梅沢仁, 大泊巌, 川原田洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

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口頭発表(一般)

De-embedding手法を用いたダイヤモンドRFトランジスタの真性特性評価(高柳英典, 平間一行, 小柴亨, 目島壮一, 与原圭一朗, 佐藤允也, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面オゾン処理によるトランジスタ特性制御(小柴亨, 平間一行, 高柳英典, 竹之内智大, 目島壮一, 与原圭一朗, 齊藤丈靖, 佐藤允也, 梅沢仁, 朴慶治, 藤森直治, 川原田洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

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口頭発表(一般)

カーボンナノチューブ低電力大面積合成のための先端放電型マイクロ波プラズマCVD装置(相川拓海, 吉田剛, 岩崎孝之, 保坂亮太, 鍾国倣, 川原田洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

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口頭発表(一般)

超分散ダイヤモンド(UDD)を用いた生体分子固定とその評価(村上泰規, 中野善和, 宋光燮, 梅沢仁, 座古保, 船津高志, 本多光太郎, 古川行夫, 川原田洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面のpH感応性(大木貴史, 佐々木順紀, 宋光燮, 中村雄介, 川村正太, 出川宗里, 田中雅也, 平木貴博, 梅沢仁, 川原田洋, 本橋秀樹)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

高濃度ボロンドープCVDダイヤモンドの超伝導特性(竹之内智大, 小林健作, 高野義彦, 長尾雅則, 坂口勲, 立木実, 羽田野毅, 鍾国倣, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンドP型表面伝導における負イオンの影響(II)(田中雅也, 荻原大輔, 平間一行, 佐々木順紀, 宋光燮, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

微細ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETのバイオセンサ応用(平木貴博, 川村正太, 宋光燮, 中村雄介, 佐々木順紀, 出川宗里, 梅沢仁, 川原田洋, 古川慧, 大木貴史, 田中雅也, 本橋秀樹)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

タンパク質を固定した電解質ゲートダイヤモンドFET(本橋秀樹, 出川宗里, 宋光燮, 中村雄介, 川村正太, 佐々木順紀, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

金属イオン照射による低抵抗ソース・ドレインオーミック層の形成(目島壮一, 畑英夫, 新井達也, 梅沢仁, ドミンゴフェルール, 品田賢宏, 大泊巌, 川原田洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

高品質ゲート絶縁膜を用いたダイヤモンドMISFETと界面評価(与原圭一朗, 平間一行, 宮本真吾, 松平弘樹, 高柳英典, 小柴亨, 目島壮一, 齊藤丈靖, 知京豊裕, 鯉沼秀臣, 長谷川顕, 藤森直治, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面に芳香族化合物を利用したDNAの固定化(梁正勲, 宋光燮, 張国軍, 川村正太, 中村雄介, 佐々木順紀, 出川宗里, 梅沢仁, 大泊巌, 川原田洋)

応用物理学会学術講演会(秋季第65回)2004年09月

詳細

口頭発表(一般)

Diamond Field Effect Transistors for Microwave Devices and Biosensing Applicaton(H. Kawarada, H. Umezawa, S. MIyamoto, H. Matsudaira, K. S. Song)

ADC2004年08月

詳細

口頭発表(一般)

Functionalized diamond surface by DNA covalent immobilization for bio-sensing applications(Functionalized diamond surface by DNA covalent immobilization for bio-sensing applications)

International Conference on New Diamond Science and Technology(The 9th )2004年03月

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口頭発表(一般)

Systematic study of parameters on the synthesis of conical carbon nanofibers(G. Zhong, T. Iwasaki, H. Kawarada, I. Ohdomari)

International Conference on New Diamond Science and Technology(The 9th )2004年03月

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口頭発表(一般)

“Diamond MIS transistors for high frequency applications(H. Kawarada, K. Hirama, H. Matsudaira, S. Miyamoto, M. Satoh, H. Umezawa)

International Conference on New Diamond Science and Technology(The 9th)2004年03月

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口頭発表(一般)

RF characteristic of diamond transistor with low resistance(K. Hirama, S. Miyamoto, H. Matsudaira, K. Song, H. Umezawa, H. Kawarada)

International Conference on New Diamond Science and Technology(The 9th )2004年03月

詳細

口頭発表(一般)

Enzyme immobilized biosensor based on surface modified diamond field effect transistors(K. S. Song, H. Kanazawa, Y. Nakamura, S. Kawamura, M. Degawa, Y. Sasaki, H. Umezawa, H. Kawarada)

International Conference on New Diamond Science and Technology(The 9th )2004年03月

詳細

口頭発表(一般)

Glucose biosensors using electrolyte-solution-gate diamondFETs(M. Degawa, K. Song, H. Kanazawa, Y. Nakamura, Y. Sasaki, S. Kawamura, Y. Kurihara, H. Umezawa, H. Kawarada)

International Conference on New Diamond Science and Technology(The 9th )2004年03月

詳細

口頭発表(一般)

Nano-scale surface modification of diamond utilizing gas-introdeced electron beam(T. Arai, H. Hata, H. Umezawa, Y. Kaibara, K. Song, H. Kawarada)

International Conference on New Diamond Science and Technology(The 9th )2004年03月

詳細

口頭発表(一般)

Structural investigation of conical carbon nanofibers(T. Iwasaki, G. Zhong, I. Ohdomari, H. Kawarada)

International Conference on New Diamond Science and Technology(The 9th )2004年03月

詳細

口頭発表(一般)

Hysteresis characteristics of diamond in-plane-gated FETs for nonvolatile memory device(Y. Itoh, Y. Sumikawa, K. Kobayashi, H. Umezawa, H. Kawarada)

International Conference on New Diamond Science and Technology(The 9th)2004年03月

詳細

口頭発表(一般)

pH-sensitivity of aminated diamond surface(Y. Sasaki, K. Song, H. Kanazawa, Y. Nakamura, S. Kawamura, M. Degawa, Y. Kurihara, H. Umezawa, H. Kawarada)

International Conference on New Diamond Science and Technology(The 9th)2004年03月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドin-plane-gated FETにおけるヒステリシス特性の光エネルギー(伊藤裕、川原田洋)

応用物理学会学術連合講演会(第51回)2004年03月

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口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンドP型表面伝導における負イオンの影響(荻原大輔、川原田洋)

応用物理学会学術連合講演会(第51回)2004年03月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドin-plane-gated FETのヒステリシス特性(伊藤裕, 澄川雄, 小林健作, 立木実, 梅沢仁, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第17回)2003年11月

詳細

口頭発表(一般)

超分散性ダイヤモンドを用いたナノバイオアプリケーション(中野善和, 梅沢仁, 張国軍, 宋光燮, 貝原雄, 座古保, 船津高志, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第17回)2003年11月

詳細

口頭発表(一般)

Nano-scale surface modification of diamond utilizing Gas-Introduced Electron Beam Lithography (GIEBL)(H. Hata, H. Umezawa, Y. Kaibara, K. S. Song, M. Tachiki, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide(the 14th )2003年09月

詳細

口頭発表(一般)

Cathodoluminescence of excitons and electron hole liquid of type Ⅱa diamond(H. Kawai, K. Nakazawa, M. Tachiki, H. Umezawa, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide(the 14th )2003年09月

詳細

口頭発表(一般)

Sub-micron gate Diamond MISFETs characteristics(H. Matsudaira, S. Miyamoto, K. Hirama, H. Umezawa, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide(the 14th)2003年09月

詳細

口頭発表(一般)

RF-Diamond-MISFETs on High-Mobility Diamond Substrates(S. Miyamoto, H. Matsudaira, M. Kohno, K. Hirama, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide(the 14th )2003年09月

詳細

口頭発表(一般)

Surface potential measurements for DNA-immobilized diamond(Y. Kaibara, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Hata, K. S. Song, G.. J. Zhang, I. Ohdomari, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide(the 14th)2003年09月

詳細

口頭発表(一般)

pH-dependence of electrolyte-solution-gate field-effect-transistors using aminated diamond surface(Y. Nakamura, K. S. Song, H. Kanazawa, T. Sakai, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide(the 14th )2003年09月

詳細

口頭発表(一般)

Current-voltage hysteresis behaviour of Diamond in-plane-gated field effect transistors(Y. Sumikawa, M. Tachiki, K. Kobayashi, H. Umezawa, H. Kawarada)

European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide(the 14th )2003年09月

詳細

口頭発表(一般)

Biosensors based on diamond transistors

European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide (the 14th )2003年09月

詳細

口頭発表(一般)

電解質ゲートダイヤモンドFETのpH感応性とバイオセンサ応用(金澤啓史、川原田洋)

電気化学秋季大会2003年09月

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口頭発表(一般)

多結晶ダイヤモンド基板を用いた微細電解質溶液ゲートFET(川村正太、川原田洋)

電気化学秋季大会2003年09月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端表面伝導層を用いたサブミクロンダイヤモンドFETのDC・RF特性(梅沢仁、川原田洋)

電子情報通信学会2003年09月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンドin-plane-gated FETのヒステリシス特性(伊藤裕, 澄川雄, 小林健作, 立木実, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会(第64回)2003年08月

詳細

口頭発表(一般)

高密度励起子下におけるⅡa型ダイヤモンドの電子正孔液滴と束縛励起子(荻原大輔, 河井啓朗, 松平弘樹, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会(第64回)2003年08月

詳細

口頭発表(一般)

電解質ゲートダイヤモンドFETを用いたダイヤモンド表面のpH感応性評価(佐々木順紀, 宋光燮, 金澤啓史, 中村雄介, 川村正太, 出川宗里, 栗原裕介, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会(第64回)2003年08月

詳細

口頭発表(一般)

電解質ゲートダイヤモンドFETを利用したグルコースセンサ(出川宗里, 宋光燮, 金澤啓史, 中村雄介, 川村正太, 佐々木順紀, 栗原裕介, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会(第64回)2003年08月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド微細in-plane-gated FETにおける特性解析(小林健作, 立木実, 澄川雄, 伊藤裕, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会(第64回)2003年08月

詳細

口頭発表(一般)

ガス導入電子線描画装置による微細領域へのマスクレスダイヤモンド表面修飾(新井達也, 畑英夫, 梅沢仁, 貝原雄, 宋光燮, 川原田洋)

応用物理学会(第64回)2003年08月

詳細

口頭発表(一般)

ゲート抵抗低減によるダイヤモンドMISFETの高周波特性の改善(平間一行, 宮本真吾, 松平弘樹, 小林健作, 河野真宏, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会(第64回)2003年08月

詳細

口頭発表(一般)

Chemically Modified Diamond Surfaces for Chemical Sensor Applications(H. Umezawa, H. Kawarada)

2003 MRS(Spring Meeting)2003年04月

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口頭発表(一般)

Potential-Sensitive Detection of Charged Biomolecules on Functional Diamond Surface(H. Umezawa, M. Tachiki, Y. Kaibara, T. Sakai, K. S. Song, H. Ishizaka, H. Kawarada)

Electrochemical Society 2003 2003年04月

詳細

口頭発表(一般)

Urea sensor used hydrogen-terminated polycrystalline diamond FETs(K. S. Song, T. Sakai, H. Kanazawa, N. Fujihara, Y. Nakamura, S. Kawamura, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada)

Electrochemical Society 2003 2003年04月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面へのDNAの固定化及びハイブリダイゼーション

応用物理学会(第50回)2003年03月

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口頭発表(一般)

高密度励起下におけるⅡa型ダイヤモンドの励起子と電子正孔液滴のCL評価(河井啓朗, 中澤一志, 梅沢仁, 立木実, 川原田洋)

応用物理学会(第50回)2003年03月

詳細

口頭発表(一般)

ハイパワートランジスタの最適化構造(河野真宏, 宮本真吾, 松平弘樹, 石坂博明, 中澤一志, 宋光燮, 梅沢仁, 立木実, 川原田洋)

応用物理学会(第50回)2003年03月

詳細

口頭発表(一般)

DNA修飾ダイヤモンドにおける表面電位測定(貝原雄, 梅沢仁, 畑英夫, 金澤啓史, 宋光燮, 張国軍, 立木実, 川原田洋)

応用物理学会(第50回)2003年03月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンド in-plane-gated FETの相互コンダクタンス向上とヒステリシス効果(小林健作, 立木実, 坂野時習, 澄川雄, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会(第50回)2003年03月

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口頭発表(一般)

微細電解質溶液ゲートFETの作製[Ⅱ](川村正太, 藤原直樹, 宋光燮, 金澤啓史, 堺俊克, 梅沢仁, 川原田洋)

応用物理学会(第50回)2003年03月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端多結晶ダイヤモンドFETを利用した尿素センサ(宋光燮, 堺俊克, 金澤啓史, 藤原直樹, 中村雄介, 川村正太, 梅沢仁, 立木実, 川原田洋)

応用物理学会(第50回)2003年03月

詳細

口頭発表(一般)

アミノ修飾されたダイヤモンド電解質溶液ゲートFETのpH依存性(中村雄介, 宋光燮, 金澤啓史, 堺俊克, 梅沢仁, 立木実, 川原田洋)

応用物理学会(第50回)2003年03月

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口頭発表(一般)

Diamond nanofabrication and electronics for biosensing application(M. Tachiki , H. Kawarada)

Surface and Bulk Defects in CVD Diamond Films Ⅷ2003年02月

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口頭発表(一般)

RF Characteristics of Diamond Surface Channel FETs(H. Umezawa, S. Miyamoto, H. Matsudaira, H. Ishizaka, M. Tachiki, H. Kawarada)

TWHM 20032003年01月

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口頭発表(一般)

Diamond Power Transistors(H. Umezawa, H. Kawarada)

2002 MRS(Fall Meeting)2002年12月

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口頭発表(一般)

Nanoscale Characterization of the Modified Functional Diamond Surface by Kelvin Force Microscope(M. Tachiki , H. Kawarada)

Internatioal Colloquium on Scanning Probe Microscopy(10th)2002年11月

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口頭発表(一般)

表面チャネル型ダイヤモンドFETの特性評価(河野真宏, 宮本真吾, 松平弘樹, 石坂博明, 中澤一志, 宋光燮, 梅沢仁, 立木実, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第16回)2002年11月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンドin-plane-gated FETのゲートリーク電流の低減(小林健作, 立木実, 梅沢仁, 坂野時習, 澄川雄)

ダイヤモンドシンポジウム(第16回)2002年11月

詳細

口頭発表(一般)

多結晶ダイヤモンド基板を用いた微細電解質溶液ゲートFETの作製(川村正太, 藤原直樹, 宋光燮, 金澤啓史, 堺俊克, 梅沢仁, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第16回)2002年11月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンドISFETへのオゾン処理の影響(中村雄介, 金澤啓史, 堺俊克, 宋光燮, 梅沢仁, 立木実, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第16回)2002年11月

詳細

口頭発表(一般)

フッ素・酸素・アミノ基によるダイヤモンドの微細領域表面化学修飾(畑英夫, 梅沢仁, 石坂博明, 貝原雄, 金澤啓史, 藤原直樹, 堺俊克, 宋光燮, 張国軍, 立木実, 座古保, 船津和夫, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第16回)2002年11月

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口頭発表(一般)

Ion sensitivity of hydrogen-terminated diamond(H. Kanazawa, H. Kawarada)

13th European Conference on Diamond,Diamond-like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides & Silicon Carbide(Diamond 2002) 2002年09月

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口頭発表(一般)

High sensitive electrolyte solution gate FET on polished polycrystalline diamond(N. Fujihara, H. Kawarada)

13th European Conference on Diamond,Diamond-like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides & Silicon Carbide(Diamond 2002) 2002年09月

詳細

口頭発表(一般)

High Performance diamond MISFETs using CaF2 gate insulator(S. Miyamoto, H. Kawarada)

13th European Conference on Diamond,Diamond-like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides & Silicon Carbide(Diamond 2002) 2002年09月

詳細

口頭発表(一般)

Field-effect control of the nano-scale channel conductance on hydrogen-terminated diamond surface(T. Banno, H. Kawarada)

13th European Conference on Diamond,Diamond-like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides & Silicon Carbide(Diamond 2002) 2002年09月

詳細

口頭発表(一般)

Initial growth of heteroepitaxial diamond on Ir(001)/MgO(001) substrates using antenna-edge microwave plasma assisted chemical vapor deposition(T. Fujisaki, H. Kawarada)

13th European Conference on Diamond,Diamond-like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides & Silicon Carbide(Diamond 2002) 2002年09月

詳細

口頭発表(一般)

Adhension force measurement for the hydrogen-terminated diamond surface and the oxidized area using atomic force microscope(Y. Kaibara, H. Kawarada)

13th European Conference on Diamond,Diamond-like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides & Silicon Carbide(Diamond 2002) 2002年09月

詳細

口頭発表(一般)

Control of tunnel barrier in slit structure by side gate potential for diamond single gate hole transistors(Y. Sumikawa, H. Kawarada)

13th European Conference on Diamond,Diamond-like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides & Silicon Carbide(Diamond 2002) 2002年09月

詳細

口頭発表(一般)

Cryogenic operation of diamond surface-channel electronic devices(H. Ishizaka, H. Kawarada)

SSDM 20022002年09月

詳細

口頭発表(一般)

表面パッシベートされた微細ダイヤモンドFETの高周波諸特性(宮本真吾、川原田洋)

応用物理学会(第63回)2002年09月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドin-plane-gated FETのゲートリーク電流の低減(小林健作、川原田洋)

応用物理学会(第63回)2002年09月

詳細

口頭発表(一般)

微細電解質溶液ゲートFETの作製(川村正太、川村正太)

応用物理学会(第63回)2002年09月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンドを用いたイオン感応性FETへのオゾン処理の影響(中村雄介、川原田洋)

応用物理学会(第63回)2002年09月

詳細

口頭発表(一般)

高温高圧合成Ⅱaダイヤモンドにおける励起子発光の非線形増加(中澤一志、川原田洋)

応用物理学会(第63回)2002年09月

詳細

口頭発表(一般)

KFMによる水素終端ダイヤモンド表面微細構造の評価(立木実、川原田洋)

応用物理学会(第63回)2002年09月

詳細

口頭発表(一般)

Cryogenic operation of surface channel diamond field-effect transistors(M. Tachiki, H. Kawarada)

International Cnference New Diamond Science and Technology (8th)2002年07月

詳細

口頭発表(一般)

Nanoelectronics based on diamond surfaces(H. Kawarada, M. Tachiki, H. Umezawa)

International Conference New Diamond Science and Technology (8th)2002年07月

詳細

口頭発表(一般)

Deep sub-micron gate diamond MISFETs(H. Matsudaira, H. Kawarada)

International Conference New Diamond Science and Technology (8th)2002年07月

詳細

口頭発表(一般)

Ozone Treated Channel Diamond FETs(T. Sakai, H. Kawarada)

International Conference New Diamond Science and Technology (8th)2002年07月

詳細

口頭発表(一般)

Nanoelectronics based on diamond surfaces(H. Kawarada, M. Tachiki, H. Umezawa)

International Conference on New Diamond Science and Technology(8th)2002年07月

詳細

口頭発表(一般)

Nonlinear increase of excitonic emision in synthetic type IIa diamond(K. Nakazawa, H. Kawarada)

International conference New Diamond Science and Technology(8th)2002年07月

詳細

口頭発表(一般)

Characteristic of electrolyte-solution-gate diamond FETs for biosensor(K. S. Song, H. Kawarada)

World Congress on Biosensors 2002(7th)2002年05月

詳細

口頭発表(一般)

Cl-ion sensing using electrolyte-solution-gate diamond FETs(K. S. Song, H. Kawarada)

2002 MRS(spring meeting)2002年04月

詳細

口頭発表(一般)

Low-temperatures operation of diamond surface -channel field-effect-transistors(M. Tachiki, H. Kawarada)

2002 MRS(spring meeting)2002年04月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド水素終端表面におけるハロゲンイオンの影響(堺俊克, 川原田洋)

電気化学会(第69回)2002年04月

詳細

口頭発表(一般)

表面チャネル型ダイヤモンドトランジスタの高周波・高出力特性(石坂博明, 川原田洋)

2002年電子情報通信学会総合大会2002年03月

詳細

口頭発表(一般)

Cathodoluminescence of n-type diamond(. Ishizaka, H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, N. Fujihara, M. Tachiki H. Kawarada)

ISAM20022002年03月

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口頭発表(一般)

Nanotransistors on diamond surfaces(H. Kawarada)

International Symposium on Advance Materials (ISAM2002)(9th)2002年03月

詳細

口頭発表(一般)

アドヒージョンフォースマッピング測定による水素終端ダイヤモンド表面とAFM局所酸化領域の吸着力評価(貝原雄, 川原田洋)

応用物理学関係連合講演会(第49回)2002年03月

詳細

口頭発表(一般)

CaF2パッシベートされたダイヤモンド表面伝導層の移動度上昇(宮本真吾, 川原田洋)

応用物理学関係連合講演会(第49回)2002年03月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンドのハロゲンイオン感応性(金澤啓史, 川原田洋)

応用物理学関係連合講演会(第49回)2002年03月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドMISFETの特性改善(松平弘樹, 川原田洋)

応用物理学関係連合講演会(第49回)2002年03月

詳細

口頭発表(一般)

サイドゲートポテンシャルによるスリット構造トンネル障壁の制御(澄川雄, 川原田洋)

応用物理学関係連合講演会(第49回)2002年03月

詳細

口頭発表(一般)

極低温状態における表面チャネル型ダイヤモンドFETの特性評価(石坂博明, 川原田洋)

応用物理学関係連合講演会(第49回)2002年03月

詳細

口頭発表(一般)

オゾン処理により高抵抗化された水素終端チャネルでのFET特性(宋光燮, 川原田洋)

応用物理学関係連合講演会(第49回)2002年03月

詳細

口頭発表(一般)

硫黄ドープダイヤモンドの電気的及びカソードルミネッセンス評価(中澤一志, 川原田洋)

応用物理学関係連合講演会(第49回)2002年03月

詳細

口頭発表(一般)

先端放電型マイクロ波プラズマCVD装置を用いたIr基板上へのヘテロエピタキシャルダイヤモンド核形成初期課程の考察(藤崎豊克, 川原田洋)

応用物理学関係連合講演会(第49回)2002年03月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面上の電荷と物質吸着の計算化学による評価(米窪大介, 川原田洋)

応用物理学関係連合講演会(第49回)2002年03月

詳細

口頭発表(一般)

Fabrication of single hole transistor on hydrogen-terminated diamond using AFM anodic oxidation process(H. Seo, H. Kawarada)

International Colloquium on Scanning Probe Microscopy(9th)2001年12月

詳細

口頭発表(一般)

Adhesion force measurement for hydrogen-terminated diamond surface and AFM lical Insulated area (K. Sugata, H. Kawarada)

International Colloquium on Scanning Probe Microscopy(9th)2001年12月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドを活用した新しいデバイスへの展開(川原田洋)

応用物理学会北陸・信越支部学術講演会2001年12月

詳細

口頭発表(一般)

フォースカーブ測定による水素終端ダイヤモンド表面とAFM局所酸化領域の吸着力評価(貝原 雄, 米窪 大介, 須方 健太, 立木 実, 川原田 洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第15回)2001年11月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドFETの高周波評価(宮本真吾, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第15回)2001年11月

詳細

口頭発表(一般)

ハロゲンイオンがダイヤモンド水素終端表面伝導層に与える影響(金澤 啓史, 堺 俊克, 荒木 裕太, 宋 光燮, 梅沢 仁, 立木 実, 川原田 洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第15回)2001年11月

詳細

口頭発表(一般)

高性能化に向けたダイヤモンド微細MISFETの特性解析(松平 弘樹, 梅沢 仁, 立木 実, 大庭 誉士和, 有馬 拓也, 谷内 寛直, 田中 啓章, 藤原 直樹, 石坂 博明, 宮本 真吾, 宋 光燮, 川原田 洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第15回)2001年11月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド単正孔トランジスタのクーロンブロッケード特性(澄川雄, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第15回)2001年11月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面のエレクトロニクス・バイオ応用(川原田洋)

日本表面科学会講演大会(第21回)2001年11月

詳細

口頭発表(一般)

High frequency applications of polycrystalline diamond field-effect transistors(H. Umezawa, H. Kawarada)

2001 international conference on solid state devices and materials2001年09月

詳細

口頭発表(一般)

Electrolyte-solution-gate diamond FETs operated in Cl ionic solution(T. Sakai, H. Kawarada)

2001 international conference on solid state devices and materials2001年09月

詳細

口頭発表(一般)

High Frequency operation of diamond FETs(H. Ishizaka, H. Kawarada)

European Conference on Diamond ,Diamond-Like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides and Sillicon Carbide(12th)2001年09月

詳細

口頭発表(一般)

Device simulation for the suppression of short channel effect(H. Tanaka, H. Kawarada)

European Conference on Diamond ,Diamond-Like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides and Sillicon Carbide(12th)2001年09月

詳細

口頭発表(一般)

High performance polycrystalline diamond MISFET(H. Umezawa, H. Kawarada)

European Conference on Diamond ,Diamond-Like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides and Sillicon Carbide(12th)2001年09月

詳細

口頭発表(一般)

Excitonic recombination radiation in phoshorus-and sulfur-doped CVD diamonds(K. Nakazawa, H. Kawarada)

European Conference on Diamond ,Diamond-Like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides and Sillicon Carbide(12th)2001年09月

詳細

口頭発表(一般)

Fabrication of diamond single hole transistor using AFM anodization process(T. Banno、H.Kawarada)

European Conference on Diamond ,Diamond-Like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides and Sillicon Carbide(12th)2001年09月

詳細

口頭発表(一般)

Fabrication of heteroepitaxial diamond thin films on Ir(001)/MgO(001) substrates using antenna-adge type microwave plasma assisted chemical vapor deposition(T. Fujisaki, H. Kawarada)

European Conference on Diamond ,Diamond-Like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides and Sillicon Carbide(12th)2001年09月

詳細

口頭発表(一般)

The effect of strong acid and alkaline solutions on H-terminated diamond surface chanel FETs(T. Sakai, H. Kawarada)

European Conference on Diamond ,Diamond-Like Materials,Carbon Nanotubes,Nitrides and Sillicon Carbide(12th)2001年09月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドFETの構造最適化による特性改善(宮本 真吾, 石坂 博明, 谷内 寛直, 梅沢 仁, 川原田 洋)

応用物理学会(第62回)2001年09月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンドMISFETの高周波評価(谷内寛直, 川原田洋)

電子情報通信学会ソサイエティ大会2001年09月

詳細

口頭発表(一般)

ディープサブミクロンチャネルダイヤモンドMISFETの作製(有馬拓也, 川原田洋)

電子情報通信学会ソサイエティ大会2001年09月

詳細

口頭発表(一般)

Nanodevice fabrication on hydrogenated diamond surface using atomic force microscope (M. Tachiki, H. Kawarada)

International workshop on quantum nonplanar nanostructures & nanoelectronics '01(1st)2001年07月

詳細

口頭発表(一般)

Heteroepitaxial Diamond thin film growth on Ir(001)/MgO(001) substrate by antenna-edge plasma assisted chemical vapor deposition(M. Tachiki, H. Kawarada)

The thirteenth international conference on crystal growth in conjunction with the eleventh international conference on vapor growth nad epitaxy2001年07月

詳細

口頭発表(一般)

Fabrication of sub-0.1 micron channel diamond MISFET(H. Umezawa, H. Kawarada)

2001 MRS(spring meeting)2001年04月

詳細

口頭発表(一般)

High frequency performance of diamond field-effect transistor(H. Umezawa, H. Kawarada)

2001 MRS(spring meeting)2001年04月

詳細

口頭発表(一般)

Nanoscale fabrication on hydrogenated diamond surface using atomic force microscope(M. Tachiki , H. Kawarada)

2001 MRS(spring meeting)2001年04月

詳細

口頭発表(一般)

Nano scale oxidation on the hydrogen-terminated diamond surface for diamond nano technology(M. Tachiki, H. Kawarada)

2001 MRS(spring meeting)2001年04月

詳細

口頭発表(一般)

Nanoscale local oxidation on hydrogenated diamond surface using atomic force microscope for quantum device fabrication(M. Tachiki, H. Kawarada)

International symposium on advanced physical field "Growth of Well-defined Nanostructures"(6th)2001年03月

詳細

口頭発表(一般)

High frequency operation of hydrogen-terminated surface-channel diamond field-effect transistors(H. Umezawa, H. Kawarada)

International symposium on diamond elecronic devices(3rd)2001年01月

詳細

口頭発表(一般)

Local oxidation on hydrogenated diamond surface using atomic force microscope for quantum nanodevice fabrication(M. Tachiki, H. Kawarada)

International symposium on diamond electronic devices(3rd)2001年01月

詳細

口頭発表(一般)

Electro-chemical applications of diamond(H. Kawarada)

New Materials for Multifunctional Sensor Applications2000年12月

詳細

口頭発表(一般)

電解質水溶液中のダイヤモンドFET(荒木裕太, 川原田洋)

第47回応用物理学関係連合講演会2000年03月

詳細

口頭発表(一般)

AFMによるダイヤモンド表面加工領域の形状変化に対する評価(須方健太, 川原田洋)

第47回応用物理学関係連合講演会2000年03月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面におけるAFMナノファブリケーションによるトンネル接合の作製(瀬尾北斗, 川原田洋)

第47回応用物理学関係連合講演会2000年03月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンドFETのマイクロ波デバイス評価(谷内寛直, 川原田洋)

第47回応用物理学関係連合講演会2000年03月

詳細

口頭発表(一般)

リアクティブ・イオン・エッチングによるダイヤモンド薄膜の微細加工(田辺憲司, 川原田洋)

第47回応用物理学関係連合講演会2000年03月

詳細

口頭発表(一般)

Diamond-SiC界面の構造についてのクラスター計算(Ⅴ)(日根恭子, 川原田洋)

第47回応用物理学関係連合講演会2000年03月

詳細

口頭発表(一般)

ディープサブミクロンゲートダイアモンドFETの作製(有馬拓也, 川原田洋)

第47回応用物理学関係連合講演会2000年03月

詳細

口頭発表(一般)

Nanofabrication on Hydrogen-Terminated Diamond Surface AFM-Probe-Induced Oxidation(M. Tachiki, H. Kawarada)

International Symposium on Surface Science for Micro-and Nano-Device Fabrication1999年12月

詳細

口頭発表(一般)

セルフアラインシステムを用いた1μmゲート水素終端ダイヤモンドFET(谷内寛直, 川原田洋)

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会/応用物理学会1999年12月

詳細

口頭発表(一般)

Local Insulation of Semiconducting Diamond Surfaces using Atomic Force Microscope

The 7th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy/応用物理学会1999年12月

詳細

口頭発表(一般)

アルカリ溶液中におけるダイヤモンドISFET(小川雄史, 川原田洋)

第13回ダイヤモンドシンポジウム1999年11月

詳細

口頭発表(一般)

Diamond-SiCおよびDiamond-Si界面構造についてのクラスター計算(森田和敏, 川原田洋)

第13回ダイヤモンドシンポジウム1999年11月

詳細

口頭発表(一般)

走査型プローブ顕微鏡による水素終端ダイヤモンド表面のナノファブリケーションおよび電気特性(須方健太, 川原田洋)

第13回ダイヤモンドシンポジウム1999年11月

詳細

口頭発表(一般)

AFMによるダイヤモンド表面機能性の制御(瀬尾北斗, 川原田洋)

第13回ダイヤモンドシンポジウム1999年11月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面チャネル型電界効果トランジスタのキャリアの量子化を考慮したデバイスシミュレーション(大庭誉士和, 川原田洋)

第13回ダイヤモンドシンポジウム1999年11月

詳細

口頭発表(一般)

セルフアラインプロセスを用いたCu/CaF2/Diamond MISFET(梅沢仁, 川原田洋)

第13回ダイヤモンドシンポジウム1999年11月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンドFETにおけるプロセス改善による寄生抵抗の制御(有馬拓也, 川原田洋)

第13回ダイヤモンドシンポジウム1999年11月

詳細

口頭発表(一般)

High Performance Diamond Surface-Channel Field-Effect Transistors(H. Umezawa, H. Kawarada)

3rd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces1999年10月

詳細

口頭発表(一般)

Controlling of Adsorbates and Conduction on CVD-grown Diamond Surface by Scanning Probe Microscopev(M. Tachiki, H. Kawarada)

3rd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces1999年10月

詳細

口頭発表(一般)

Ion Sensitive Field Effect Transistor on Hydrogen-terminated Polycrystalline Diamond Surfaces

10th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Nitrides and Silicon Carbide1999年09月

詳細

口頭発表(一般)

Fabrication of High Performance 1μm Gate Diamond FET Using Self-Aligned Gate Process(H. Umezawa, H. kawarada)

10th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Nitrides and Silicon Carbide1999年09月

詳細

口頭発表(一般)

Cluster Calculation of Diamond-SiC Interface Structures(K. Morita, H. Kawarada)

10th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Nitrides and Silicon Carbide1999年09月

詳細

口頭発表(一般)

High Performance Diamond Field Effect Transistors Using Hydrogen-Terminated Surfaces for Electron Device and Sensor Applications

Proc ADC/FCT'99/NEDO,JFCC1999年09月

詳細

口頭発表(一般)

アンドープ水素終端ダイヤモンド表面の電極評価

第60回応用物理学会学術講演会1999年09月

詳細

口頭発表(一般)

Diamond-SiC界面の構造についてのクラスター計算(Ⅳ)(森田和敏, 川原田洋)

第60回応用物理学会学術講演会1999年09月

詳細

口頭発表(一般)

セルフアラインプロセスを用いたダイヤモンドMISFETの製作(谷内寛直, 川原田洋)

第60回応用物理学会学術講演会1999年09月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド表面チャネル型FETのデバイスシミュレーション(津川和夫, 川原田洋)

第60回応用物理学会学術講演会1999年09月

詳細

口頭発表(一般)

平坦化された多結晶ダイヤモンドにおける酸素プラズマエッチング(田辺憲司, 川原田洋)

第60回応用物理学会学術講演会(No.2)1999年09月

詳細

口頭発表(一般)

AFMを用いた電界支援酸化による水素終端ダイヤモンド表面のナノ加工(福田徹, 川原田洋)

第60回応用物理学会学術講演会1999年09月

詳細

口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンドFETにおけるプロセス改善による相互コンダクタンスの向上(有馬拓也, 川原田洋)

第60回応用物理学会学術講演会1999年09月

詳細

口頭発表(一般)

AFMによるダイヤモンド表面の吸着原子制御(立木実, 川原田洋)

第60回応用物理学会学術講演会1999年09月

詳細

口頭発表(一般)

Diamond-SiC界面構造についてのクラスター計算(Ⅲ)(森田和敏, 川原田洋)

応用物理学会(第46回)1999年03月

詳細

口頭発表(一般)

微細化によるダイヤモンドMISFETの特性改善(梅澤仁, 川原田洋)

応用物理学会(第46回)1999年03月

詳細

口頭発表(一般)

ダイヤモンド水素終端面を用いたISFET(北谷謙一, 川原田洋)

応用物理学会(第46回)1999年03月

詳細

口頭発表(一般)

リンドープ{111}ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜のCL評価(田辺憲司, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第12回)1998年12月

詳細

口頭発表(一般)

セルフアライン法による1μmゲートFETの作製(梅澤仁, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第12回)1998年12月

詳細

口頭発表(一般)

先端放電型マイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンドの成長(福田徹, 川原田洋)

ダイヤモンドシンポジウム(第12回)1998年12月

詳細

口頭発表(一般)

FETs Fabrication on Hydrogen-Terminated Polycrystalline Diamond Surfaces(K. Kitatani, H. Kawarada)

9th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials,Nitrides and Silicon Carbide1998年09月

詳細

口頭発表(一般)

High-Performance Diamond Surface Channel FETs and Their Operation Mechanism (Invited presentation)(K. tsugawa, H. Kawarada)

9th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials,Nitrides and Silicon Carbide1998年09月

詳細

口頭発表(一般)

窒素イオン支援レーザー蒸着法により成膜したBCN膜の化学結合性(小川雄史, 川原田洋)

応用物理学関連講演会(第59回)1998年09月

詳細

口頭発表(一般)

Diamond-Sic界面構造についてのクラスター計算(Ⅱ)(森田和敏, 川原田洋)

応用物理学関連講演会(第59回)1998年09月

詳細

口頭発表(一般)

リンドープ{111}ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜のCL評価(田辺憲司, 川原田洋)

応用物理学関連講演会(第59回)1998年09月

詳細

口頭発表(一般)

セルフアライン法による1μmゲートFETの作製(梅澤仁, 川原田洋)

応用物理学関連講演会(第59回)1998年09月

詳細

口頭発表(一般)

Surface p-channel Metal-oxide-semiconductor Field Effect Transisitors Fabricated on Hydrogen Terminated(001) Surfaces of Diamond (Invited presentation)(H. Kawarada)

CIMTEC-World Ceramics Congress &Forum on New Materials, on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Florence1998年08月

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口頭発表(一般)

Diamond field effect transistors using hydrogen-terminated surfaces (H. Kawarada)

Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics for Information System Applications1998年08月

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口頭発表(一般)

Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors on Hydrogen-Terminated Diamond Surfaces

Synposium on Diamond Electronics Devices' 981998年03月

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口頭発表(一般)

マイクロ波プラズマによるダイヤモンド精製の無限大面積技術

第45回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会1998年03月

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口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンド表面を用いたMESFETのデバイスシミュレーション(II)

第45回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会1998年03月

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口頭発表(一般)

先端放電型マイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンド形成(II)(江田研一郎, 川原田洋)

第45回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会1998年03月

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口頭発表(一般)

Diamond-SiC界面構造についてのクラスター計算(I)(森田和敏, 川原田洋)

第45回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会1998年03月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンド水素終端面を用いたFETの耐圧特性(北谷謙一, 川原田洋)

第45回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会1998年03月

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口頭発表(一般)

High-Performance Surface Channel Field Effect Transistors on Hydrogen-Terminated Diamond Surfaces

ハードエレクトロニクス'98国際ワークショップ1998年02月

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口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンド表面をもちいたFETのデバイスシミュレーション

第11回ダイヤモンドシンポジウム/ニューダイヤモンドフォーラム1997年12月

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口頭発表(一般)

平坦化された多結晶ダイヤモンドを用いたMOSFET(北谷謙一, 川原田洋)

第11回ダイヤモンドシンポジウム/ニューダイヤモンドフォーラム1997年12月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長と電界効果トランジスタ

学術振興会半導体界面制御技術第154委員会第20回研究会/日本学術振興会1997年10月

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口頭発表(一般)

先端放電型マイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンドの形成

第58回応用物理学会学術講演会/応用物理学会1997年10月

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口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンド表面のMOSFETシミュレーション(森田和敏, 川原田洋)

第58回応用物理学会学術講演会/応用物理学会1997年10月

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口頭発表(一般)

平坦化された多結晶ダイヤモンドを用いたMOSFET(北谷謙一, 川原田洋)

第58回応用物理学会学術講演会/応用物理学会1997年10月

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口頭発表(一般)

MESFETs and MISFETs on hydrogen-terminated diamond surfaces (K. Tsugawa, H. Kawarada)

The International Conference on Silicon Carbide,Ⅲ-Nitride and Related Materials 1997年08月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンドFETと回路技術の現状

第107回応用物理学会結晶工学分科会研究会/応用物理学会1997年05月

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口頭発表(一般)

Heteroepitaxial Daimond Growth on β-SiC

Int.Sym.Advanced Materials '97/Nat.Inst.Res.Inorga.Mat.1997年03月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンド自由励起子発光に対する表面処理効果

第44回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会1997年03月

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口頭発表(一般)

β-SiC基板上ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜におけるMESFETの作製

第44回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会1997年03月

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口頭発表(一般)

傾斜β-SiC表面上のダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長

第44回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会1997年03月

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口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンド表面に作製したショットキーダイオードの電気的特性

第44回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会1997年03月

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口頭発表(一般)

水素終端ダイヤモンド表面を用いたMISFETの高温動作

第44回応用物理学関係連合講演会/応用物理学会1997年03月

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口頭発表(一般)

E/D構成集積回路とMISFETの作製と評価

第10回ダイヤモンドシンポジウム/ニューダイヤモンドフォーラム1996年12月

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口頭発表(一般)

β-SiC基板上のヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜におけるMESFETの作製

第10回ダイヤモンドシンポジウム/ニューダイヤモンドフォーラム1996年12月

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口頭発表(一般)

金属/水素終端ダイヤモンド界面の電気的特性

第10回ダイヤモンドシンポジウム/ニューダイヤモンドフォーラム1996年12月

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口頭発表(一般)

表面終端処理の自由励起子発光への影響

第10回ダイヤモンドシンポジウム/ニューダイヤモンドフォーラム1996年12月

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口頭発表(一般)

ダイヤモンド電子デバイス

SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会/応用物理学会1996年11月

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口頭発表(一般)

Comparative Study of Exitonic Recombination Radiation from Diamonds

5th Int.Cof. the New Diamond Science and Technology1996年09月

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口頭発表(一般)

Device Modeling of High Performance Diamond MESFETs using p-type Surface Semiconductive Layers

5th Int.Cof. the New Diamond Science and Technology1996年09月

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口頭発表(一般)

Enhancement/Depletion MESFETs of Diamond and Their Logic Circuits

5th Int.Cof. the New Diamond Science and Technology1996年09月

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口頭発表(一般)

Surface Characterization of Smooth Heteroepitaxial Diamond Layers on β-SiC (001)

5th Int.Cof. the New Diamond Science and Technology1996年09月

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口頭発表(一般)

Heteroepitaxial Growth of Diamond on SiC (招待講演)

Gordon Research Conference on "Diamond Film Synthesis"1996年08月

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口頭発表(一般)

Surface Properties of Hydrogen-terminated Diamonds and Their Applications to Electron Devices (招待講演)

International School of Physics "Enrico Fermi",The Physics of Diamond/イタリア物理学会( )1996年07月

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口頭発表(一般)

デプレッションモードダイヤモンドMESFETの作製と評価

第43回応用物理学関連連合講演会1996年03月

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口頭発表(一般)

メタン・酸素金剛ガスによって成膜されたホモエピタキシャルダイヤモンドのショットキー特性

第43回応用物理学関連連合講演会1996年03月

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口頭発表(一般)

β-SiC(100)基板上のダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長のAFM観察

第43回応用物理学関連連合講演会1996年03月

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口頭発表(一般)

(110), (111)基板上の燃焼炎 ホモエピタキシャルダイヤモンドの励起子発光

第56回応用物理学会学術講演会1995年08月

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口頭発表(一般)

CVDダイヤモンド表面のSTM/STS観察

第56回応用物理学会学術講演会1995年08月

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口頭発表(一般)

cubic状CVDダイヤモンドのカソードルミネッセンス

第56回応用物理学会学術講演会1995年08月

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口頭発表(一般)

素子分離されたダイヤモンドMESFETの作製と評価II

第56回応用物理学会学術講演会1995年08月

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口頭発表(一般)

表面伝導層ダイヤモンドMESFETの集積回路への基礎検討

第56回応用物理学会学術講演会1995年08月

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口頭発表(一般)

Surface and metal contact properties of H-terminated diamonds

International Conference of Formation of Semiconductor Interfaces-5(招待講演)/Princeton1995年07月

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口頭発表(一般)

Breakdown Mechanism of C-H Diamond MOSFETs Compared with Other Wide Bandgap Materials

H. Kawarada

The 12th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2018)1980年05月20日

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国際会議口頭発表(一般)開催地:Arizona, USA

ダイヤモンド電界効果トランジスタの高周波デバイスおよびDNAセンサ応用

応用物理学会シリコンテクノロジー

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口頭発表(一般)

Diamond as Power Electronics Platform

H. Kawarada, Y. Kitabayashi , M. Shibata , D. Matsumura , T. Saito , T. Kudo , T. Muta, M. Inaba , A. Hiraiwa

10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC2016)招待有り

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国際会議口頭発表(招待・特別)開催地:Xi’an, China

特許

整理番号:425

単層カーボンナノチューブの製造方法およびその製造装置(日本)

川原田 洋, 大泊 巌, ジョン ゴウファン

特願2004-219344、特開2006- 36593

整理番号:710

単層カーボンナノチューブ製造方法、半導体配線構造の製造方法、フィールドエミッションディスプレイ用電子部品の製造方法及び探針製造方法(日本)

川原田 洋, 岩崎 孝之

特願2007-152632、特開2008-303114、特許第5269352号

整理番号:976

ダイヤモンド薄膜およびダイヤモンド電界効果トランジスター(日本)

川原田 洋, 平間 一行

特願2009-173053、特開2011- 29372、特許第5483168号

整理番号:1002

ジョゼフソン素子(日本)

川原田 洋, 河野 明大, 渡邊 惠

特願2009-204864、特開2011- 54893、特許第5496585号

整理番号:1069

電界効果トランジスタ、その製造方法及びバイオセンサ(日本)

川原田 洋, 田島 慎也

特願2010-122399、特開2011-247795、特許第5366215号

整理番号:1145

電界効果型トランジスター(日本)

川原田 洋

特願2010-286477、特開2012-134392、特許第5713431号

整理番号:1167

カーボンナノチューブ成長用基板、その製造方法及び配向カーボンナノチューブの製造方法(日本, アメリカ)

川原田 洋, 落合 拓海

特願2011-049601、特開2012-184145、特許第5610298号

整理番号:1249

カーボンナノチューブの製造方法(日本)

大原 一慶, 川原田 洋, 落合 拓海, 飯塚 正知

特願2011-244020、特開2012-106921、特許第5572874号

整理番号:1255

カーボンナノチューブの製造方法(日本)

大原 一慶, 川原田 洋, 落合 拓海, 飯塚 正知

特願2011-244021、特開2012-106922、特許第5555944号

整理番号:1348

透明導電体及び透明導電体の製造方法(日本)

川原田 洋

特願2013- 33096、特開2014-162033、特許第6099260号

整理番号:1407

電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法(日本)

川原田 洋, 平岩 篤, 大長 央, 齋藤 達也

特願2013-047025、特開2014- 60377、特許第6218062号

整理番号:1409

カーボンナノチューブ合成装置(日本)

川原田 洋

特願2013- 40586、特開2013-227193、特許第6037281号

整理番号:1410

電界効果トランジスタ(日本)

川原田 洋, 大原 一慶, 落合 拓海, 稲葉 優文, 渋谷 恵

特願2013- 18374、特開2014-150173、特許第6215535号

整理番号:1411

キャリア輸送方向に対して直交する方向にCNTチャネルを有する電界効果トランジスタ(日本)

川原田 洋, 大原 一慶, 落合 拓海, 稲葉 優文, 渋谷 恵

特願2013- 18375、特開2014-150174、特許第6215536号

整理番号:1412

半導体装置に好適なカーボンナノチューブ束群を用いた半導体装置の製造方法、及び半導体装置(日本)

稲葉 優文, 渋谷 恵, 川原田 洋, 大原 一慶, 落合 拓海

特願2013- 18376、特開2014-150175、特許第6215537号

整理番号:1475

カーボンナノチューブの製造方法(日本)

川原田 洋, 落合 拓海, 大原 一慶

特願2013-212198、特開2015- 74585、特許第6037287号

整理番号:1565

ダイヤモンド薄膜の表面処理方法、電界効果トランジスタの製造方法、及びセンサ素子(日本)

川原田 洋

特願2014-138972、特開2015- 63443

整理番号:1843

トランジスタの製造方法及びセンサ素子(日本)

川原田 洋

特願2016-119311、特開2016-178342、特許第6205017号

整理番号:2039

ノーマリオフ動作ダイヤモンド電力素子及びこれを用いたインバータ(日本)

川原田 洋, 稲葉 優文, 牛 俊雄, 畢 特 , 大井 信敬

特願2018- 37972、特開2018-148214

整理番号:2132

ダイヤモンド半導体基板の製造方法(日本)

川原田 洋, 平岩 篤, 蔭浦 泰資

特願2018-215652、特開2019- 94254

整理番号:200-JP

電界効果型トランジスタおよび集積回路(日本)

川原田 洋, 関口 哲志, 齋藤 美紀子, 水野 潤

特願2011-532953、特許第5648812号

整理番号:202-JP

配向カーボンナノチューブの製造方法(日本)

川原田 洋, 加藤 良吾

特願2011-528893、特許第5732636号

外部研究資金

科学研究費採択状況

研究種別:

ダイヤモンド表面キャリアによる電子スピン制御とその生体分子核スピン観測への応用

2014年-0月-2019年-0月

配分額:¥190190000

研究種別:

ダイヤモンド表面近傍の電子スピン制御による単一核スピンの観測

2014年-0月-2015年-0月

配分額:¥15080000

研究種別:

クローニングによるSiC上のジグザグ型カーボンナノチューブ・フォレストの長尺化

2014年-0月-2016年-0月

配分額:¥3900000

研究種別:

アプタマー固定ダイヤモンド表面による高感度プロテインチップ

2011年-0月-2014年-0月

配分額:¥49140000

研究種別:

一塩基遺伝子変異および特定タンパク質検出用ダイヤモンドトランジスタ

配分額:¥3200000

研究種別:

高密度正孔ガスを利用したダイヤモンド高出力ミリ波トランジスタ

配分額:¥102180000

研究種別:

超長寿命触媒微粒子によるセンチメートル長垂直配向単層カーボンナノチューブ合成

配分額:¥3600000

研究種別:

ダイヤモンド薄膜表面の導電性制御によるハイパワー高周波トランジスタの開発

配分額:¥47320000

研究種別:

アダマント薄膜表面のナノ機能デザイン

配分額:¥3000000

研究種別:COE形成基礎研究費

ナノ構造配列を基盤とする分子ナノ工学の構築とマイクロシステムへの展開

2001年-2005年

配分額:¥1340000000

研究種別:

ダイヤモンド・ヘテロエピタキシャル層による高耐圧、高周波電界効果トランジスタ

配分額:¥13500000

研究種別:

ヘテロエピタキシャルダイヤモンド電界効果トランジスタを利用した耐環境バイオセンサ

配分額:¥12000000

研究種別:

ダイヤモンド・ヘラロエピタキシャル成長層による耐環境電子テバイスの基礎検討

配分額:¥2200000

研究種別:

シングルイオン注入法の実現と固体物性制御への応用

配分額:¥224000000

研究種別:

高融点金属単結晶上のNiをバッファ層としたダイヤモンドのエピタキシャル成長

配分額:¥1300000

研究種別:

界面反応の物理・化学

配分額:¥24500000

研究種別:

超LSIの微小部位毎の放射線耐性評価技術に関する研究

配分額:¥13500000

研究種別:

エピタクシャル成長の基礎過程

配分額:¥3100000

研究種別:一般研究(B)

多孔質Si上へのGaAs分子線エピタキシャル成長

1989年-1991年

研究分野:応用物性

配分額:¥6400000

研究種別:試験研究

気相合成ダイヤモンド薄膜による高効率青色発光デバイスの試作

1988年-1990年

研究分野:応用物性

配分額:¥19800000

研究種別:一般研究(B)

ビーム照射とECRプラズマとの併用法による良質ダイヤモンドの成膜

1987年-1988年

研究分野:応用物性

配分額:¥5700000

研究種別:

電子スピンの量子状態変化を検出原理に持つカロリーメータの開発

2017年-0月-2020年-0月

配分額:¥16380000

研究種別:

ダイヤモンド中のNVセンターのナノ配列作製による数量子ビット量子レジスタの実現

2014年-0月-2017年-0月

配分額:¥40300000

研究資金の受入れ状況

提供機関:文部科学省

高機能性新半導体デバイス開発1998年-2002年

学内研究制度

特定課題研究

高耐圧ダイヤモンドトランジスタでの窒素空孔センターによる高電界空間分布測定

2016年度

研究成果概要:浅いNVセンターの領域に表面チャネル型の電界効果トランジスタ(FET)を形成し、オフ状態の高電界下で空乏層を伸長させることで、電気的にNV-の安定領域を制御する。表面からキャリア(正孔)を追い出し、空乏化するとポテンシャルは下向き...浅いNVセンターの領域に表面チャネル型の電界効果トランジスタ(FET)を形成し、オフ状態の高電界下で空乏層を伸長させることで、電気的にNV-の安定領域を制御する。表面からキャリア(正孔)を追い出し、空乏化するとポテンシャルは下向きに湾曲し、さらに高い電界ではフェルミ準位が真性フェルミ準位(ギャップ中央)よりも高くなる状すなわち反転状態がゲート電極近傍に出現する。これを実現するには高電圧(500V以上)高電界(1MV/cm)下で動作するプレーナー型FETが必要で、それを表面スピンの極めて少ない水素終端ダイヤモンド表面を利用して作製することが可能となった(Sci. Rep. 2017)。

ダイヤモンド・ヘテロエピタキシャル成長層による耐環境電子デバイスの基礎検討

1995年度

研究成果概要:研究目的1)高品質SiC層を介したSi基板上のダイアモンドヘテロエピタキシャル成長の核形成過程の制御を行い,膜厚5μm以下で平坦となるダイアモンド単結晶層の形成技術を確立する。2)ヘテロエピタキシャル成長層での金属-半導体接合や金...研究目的1)高品質SiC層を介したSi基板上のダイアモンドヘテロエピタキシャル成長の核形成過程の制御を行い,膜厚5μm以下で平坦となるダイアモンド単結晶層の形成技術を確立する。2)ヘテロエピタキシャル成長層での金属-半導体接合や金属-絶縁体-半途謡接合の最適化によりFET特性の安定化と相互コンダクタンスの向上を行い,耐環境下での論理回路動作の検討を行う。研究成果1)ヘテロエピタキシャル成長初期過程の制御 ヘテロエピタキシャル核形成に必要なSiC表面の構造に関する重要な知見を,初期成長過程の高分解能SEM観察から得ることが出来た{1}。これにより,初期過程を制御する上で不可欠であるプラズマ,温度,イオン加速エネルギーを最適化することが可能となった。現在最高1011cm-2と異種基板上のダイアモンドとしては非常に高い発生粒子密度を得ることができ,膜厚数μm以下でX線回析による方位ずれ角0.7°の平坦なダイアモンドヘテロエピタキシャル成長を行うことが可能となった。この値はダイアモンドヘテロエピタキシャル成長で現在のところ世界で最良の値である{2}。2)NAND回路,NOR回路,R-Sフリップフロップ回路の動作が確認 ホモエピタキシャル成長層ではあるが,NAND回路,NOR回路,R-Sフリップフロップ回路の動作が確認された。また相互コンダクタンスが10mS/mm以上のFET動作が確認された。これは世界でも初めての成果であり,目的とするヘテロエピタキシャル成長層でもデバイス特性向上において重要な指針となる{3, 4}。3)ヘテロエピタキシャル成長層でもMESFET作製 ゲート長5μm程度の金属-半導体FET(MESFET)を作製した。p型半導体領域としては水素終端表面を使用した。相互コンダクタンスでヘテロエピタキシャル成長層では最も高い5mS/mmを得ている。ソースおよびドレイン形成のためのオーミック電極にはAuを,ゲート形成のためにはA1を使用している。{1} T. Suesada, N. Nakamura, H. Nagasawa, and H. Kawarada, Jpn. Appl. Phys. 34 (1995) 4898{2} H. Kawarada, C. Wild, N. Herres, and P. Koidl, J. Appl. Phys. (1997) (印刷中){3} 日刊工業新聞 1995年5月10日{4} H. Kawarada, M. Itoh, and A. Hokazono, Jpn. Appl. Phys. 35 (1996) L1165

ダイヤモンド電界効果型トランジスタによる耐環境バイオセンサ

1997年度

研究成果概要: 1<_イヤモンドヘテロエピタキシャル成長層でのMESFETヘテロエピタキシャル成長層上に金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)を作成した。ゲート長5μmで相互コンダクタンス7-8mS/mmと同ゲート長のダイヤモンドホモエ... 1<_イヤモンドヘテロエピタキシャル成長層でのMESFETヘテロエピタキシャル成長層上に金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)を作成した。ゲート長5μmで相互コンダクタンス7-8mS/mmと同ゲート長のダイヤモンドホモエピタキシャル成長層やシリコンMOSFETと同等レベルであり、これにより感度の高いイオン感応性FET(ISFET)が作成される可能性が得られた。2.デバイスシミュレーションによるダイヤモンドFETの動作解析 ドリフト・拡散モデルによるFETシミュレーションにより、表面p型伝導層のアクセプター分布が1nm以下の拡散長を有する極めて浅いものであることが理解され、イオン感応性の高いチャネル構造になっていることがわかった。3.多結晶層でのMOSFET 表面研磨により平坦化された多結晶ダイヤモンド表面におけるp型表面伝導層をチャネルとして、ゲート長8μmで相互コンダクタンス1mS/mmが得られている。この値はゲート幅を大きく取れるセンサーには十分なトランジスタ性能であり、大型ウェーハが得られる安価な多結晶ダイヤモンド基板において、使い捨てが要求されるバイオセンサーに必要なFETが作製可能なことが示され、工業化へのよい見通しを得ることができた。4.ダイヤモンド表面上でのISFETの製作 ダイヤモンド表面p型伝導層を使用したISFET構造作製のためのプロセス技術を検討した。ここで、重要なのはイオン感応膜となる絶縁層をダイヤモンド表面の水素終端構造を維持したまま作製する成膜技術である。現在、MOSFET作製にはSiOの真空蒸着によるSiOx膜を利用しているが、ボイド等の存在により、液体の浸透に対する稠密性が不十分であり、稠密性の高い感応膜として、還元性雰囲気でのプラズマ・シリコンナイトライド膜あるいは炭化水素膜を検討している。研究成果の発表1) 発表年月日 98年4月、発行所 米国物理学会、発表学会誌名 Appl. Phys. Lett.、論文題目“Surface Morphology and Surface p-Channel Field Effect Transistor on the Heteroepitaxial Diamond Deposited on Inclined β-SiC(001) Surfaces”( H.Kawarada, C.Wild, N.Herres, P.Koidl, Y.Mizuochi, A.Hokazono, and H.Nagasawa, Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 1878)2) 発表年月日 98年2月、発行所 応用物理学会、発表学会誌名 応用物理 論文題目“ダイヤモンド電界効果トランジスタの現状と将来”(川原田洋, 応用物理  67 (1998) 128.)3) 発表年月日 98年8月(予定)、発行所 Springer-Verlag、著書名“Low Pressure Synthetic Diamond: Manufacturing and Applications, Chapter 8:Hetero-Epitaxy and Highly Oriented Diamond Deposition”

高密度正孔ガスを利用したダイヤモンド高出力マイクロ波および超伝導トランジスタ

2006年度

研究成果概要:ダイヤモンドFETの実用化に向けた熱的安定性とデバイス特性の改善を目的とし、平成18年度は以下の研究を行った。(1)PTFEパッシベーションによるホール蓄積層の耐熱性改善(2)ゲート長微細化によるデバイス特性の改善(1) PTFE...ダイヤモンドFETの実用化に向けた熱的安定性とデバイス特性の改善を目的とし、平成18年度は以下の研究を行った。(1)PTFEパッシベーションによるホール蓄積層の耐熱性改善(2)ゲート長微細化によるデバイス特性の改善(1) PTFEパッシベーションによるホール蓄積層の耐熱性改善近年の研究によりダイヤモンドホール蓄積層の形成には水素終端に加えて大気中に存在している負イオンの存在が不可欠であることが明らかになりつつある。この負イオンは基板表面に物理吸着しているだけであるため、基板を加熱すると容易に基板表面から脱離する。その結果ホール蓄積層のキャリア密度が低減し、デバイス特性が劣化する。この問題を解決するため本年度はPTFEによるパッシベーションを行った。PTFEを塗布しない場合、室温で7kΩ/□のシート抵抗が200℃に加熱することで35kΩ/□まで劣化するのに対して、PTFEを塗布することで19kΩ/□に抑えられており、PTFEがホール蓄積層のパッシベーションに有効なことが明らかになった。今後はより最適な分子量のPTFEを探索し、高温下でより抵抗劣化の少ないダイヤモンドデバイスの作製を行う。(2) ゲート長微細化によるデバイス特性の改善加速電圧50kVの電子線リソグラフィー装置を利用してゲート長0.15μmのMISFETを作製した。ドレイン・ソース間はAuのウェットエッチングにより作製するがダイヤモンドMISFETの最大電流とオン抵抗はゲート・ソース間、ゲート・ドレイン間の寄生抵抗に大きく依存するため、高精度なエッチングが求められる。本研究では関東化学株式会社のAURUM302,303を用いることによりドレイン・ソース間を1μm以下にすることに成功した。最大ドレイン電流は650mA/mmでありダイヤモンドFETでは現在世界最高である。同MISFETのカットオフ周波数および最大発振周波数はそれぞれ42GHz,50GHzであった。カットオフ周波数はダイヤモンドMISFETで過去最高の値であり、ダイヤモンドMESFET(45GHz)と比較してもほぼ同程度まで改善している。

ダイヤモンド電解質溶液トランジスタによるDNA高速計測

2006年度

研究成果概要:ダイヤモンドは物理的・化学的に安定であり、広い電位窓、生体適合性、表面修飾が容易であるといった特性を持ち、バイオセンサへの応用が期待されている。我々はこのような性質を持つダイヤモンドの表面を機能化し、電荷検出型バイオセンサである電...ダイヤモンドは物理的・化学的に安定であり、広い電位窓、生体適合性、表面修飾が容易であるといった特性を持ち、バイオセンサへの応用が期待されている。我々はこのような性質を持つダイヤモンドの表面を機能化し、電荷検出型バイオセンサである電解質溶液ゲートFET(SGFET)を用いて、DNAの塩基ミスマッチの検出を試みた。行った表面修飾は、水素終端表面の部分的酸素化およびアミノ終端化である。このような表面修飾を行うことで、target DNAの塩基ミスマッチを顕在化させ、一塩基多形(SNPs)の検出に成功した。チャネル表面に固定されたprobe DNAにtarget DNAがハイブリダイゼーションすることによって、チャネル表面の近傍に存在する負電荷の量が変化する。この変化は、ダイヤモンドの表面伝導層に影響を及ぼし、FETのドレイン、ソース間の伝導性を変化させる。この変化が、Vgsの変化として観測できている。Target DNAに塩基ミスマッチが存在すると、DNA二本鎖に熱力学的な安定性は低下する。そのためハイブリダイゼーション効率は低下し、結果的にチャネル近傍の負電荷密度はComp. DNAに対し低下する。このため、Vgsの変化は少なくなる。Comp.DNAをハイブリダイゼーションさせた場合、30分間のハイブリダイゼーションで、Vgsは約5mV変化した。水素終端ダイヤモンド表面に部分的に修飾を施すことで、target DNAの塩基ミスマッチをSGFETの測定により検出することができた。これは、表面に存在する酸素終端の負の表面電荷による影響が働いていると考えることができる。表面が負に帯電することで、target DNAは反発力を受ける。この反発力は、表面へのDNAの物理吸着を抑制するとともに、probe DNAとのハイブリダイゼーションを阻害する方向に働く。この力が働くことにより、ハイブリダイゼーションの効率が変化し、より顕著に塩基ミスマッチを判別することができたと考えられる。このような、ダイヤモンドの表面修飾は非常に簡単なプロセスで行うことができる。

ダイヤモンド電解質溶液トランジスタによるDNAセンサの集積化および高速計測

2007年度

研究成果概要:課題:ダイヤモンド電解質溶液トランジスタによるDNAセンサの集積化および高速計測液体電解質溶液中で動作するダイヤモンド・トランジスタ(ダイヤモンド電解質溶液FET:SGFET)の微細化やチャネル表面の修飾最適化による感度向上、高速...課題:ダイヤモンド電解質溶液トランジスタによるDNAセンサの集積化および高速計測液体電解質溶液中で動作するダイヤモンド・トランジスタ(ダイヤモンド電解質溶液FET:SGFET)の微細化やチャネル表面の修飾最適化による感度向上、高速化、ならびに検出物質の微量化により、電荷検出型DNAマイクロアレーの開発、一塩基遺伝子変異(一塩基多型、SNPs)検出を行う。ダイヤモンド表面上に直接修飾された化学反応基は空気中や液体中に安定で、その表面上に固定されたDNAはダイヤモンド表面との強く共有結合し、数十回ハイブリダイゼーションとディネーチャーを繰り返しても離れず安定である。一方、ダイヤモンド表面の吸着構造は一般的な有機化合物の部位であり、その安定性は高い。ダイヤモンド上の吸着原子・分子の変化(特に水素、酸素、フッ素、アミノ基)は、表面の電気伝導性、表面電荷、親水・疎水性に非常に大きな影響を与えるミクロサイズSGFETのチャネル(検出部)をミクロアレーし、その二つのチャネル部分に様々部分的な化学修飾処理した後、complementary DNAや一塩基遺伝子変異(SNPs)を共有結合による固定し、DNAのハイブリダイゼーションとSNPsでのハイブリダイゼーション効率による電位変化に成功した。この場合、固定された生体分子は一種の埋め込みゲートとして機能し、DNAハイブリダイゼーションより僅かな電位の変化を大きなドレイン電流変化とゲート電位変化として増幅できる。さらに、同じデバイス特性からハイブリダイゼーション効率によるcomplementary DNAとSNPsの電位差からSNPs判断が明らかになった。また、トランジスタのゲート長の微細化による相互コンダクタンス(性能)向上によりDNAやSNPsの高感度検出に成功し、ダイヤモンド上にマイクロアレー技術の適用により高速計測が可能になった。今後はDNAより構造的安定性を持つRNAやLNAを適用してcomplementary DNAとSNPsの検出を行い、最適化したダイヤモンドSNPsセンサの製作を行う。

現在担当している科目

科目名開講学部・研究科開講年度学期
理工学基礎実験1A IIIブロック基幹理工学部2019春学期
理工学基礎実験1A IIIブロック創造理工学部2019春学期
理工学基礎実験1A IIIブロック先進理工学部2019春学期
理工学基礎実験1B IIIブロック基幹理工学部2019秋学期
理工学基礎実験1B IIIブロック創造理工学部2019秋学期
理工学基礎実験1B IIIブロック先進理工学部2019秋学期
電子物理システム概論基幹理工学部2019春学期
電子物理システム概論 【前年度成績S評価者用】基幹理工学部2019春学期
回路理論A基幹理工学部2019春学期
回路理論A  【前年度成績S評価者用】基幹理工学部2019春学期
電子物理システム実験A基幹理工学部2019秋学期
電子物理システム実験A 【前年度成績S評価者用】基幹理工学部2019秋学期
電子物理システム実験B基幹理工学部2019春学期
電子物理システム実験B 【前年度成績S評価者用】基幹理工学部2019春学期
電子物理システム実験C基幹理工学部2019秋学期
電子物理システム実験C 【前年度成績S評価者用】基幹理工学部2019秋学期
電子物理システム特別演習基幹理工学部2019秋学期
電子回路B基幹理工学部2019秋学期
卒業論文A基幹理工学部2019春学期
卒業論文A基幹理工学部2019秋学期
卒業論文A  【前年度成績S評価者用】基幹理工学部2019春学期
卒業論文B基幹理工学部2019秋学期
卒業論文B基幹理工学部2019春学期
卒業論文B  【前年度成績S評価者用】基幹理工学部2019秋学期
量子デバイス基幹理工学部2019秋学期
Research Project B基幹理工学部2019春学期
Research Project B 【前年度成績S評価者用】基幹理工学部2019春学期
Research Project C基幹理工学部2019秋学期
Research Project C 【前年度成績S評価者用】基幹理工学部2019秋学期
Research Project A基幹理工学部2019秋学期
Research Project D基幹理工学部2019春学期
修士論文(電子)大学院基幹理工学研究科2019通年
総合ナノ理工学特論大学院基幹理工学研究科2019春学期
総合ナノ理工学特論大学院創造理工学研究科2019春学期
総合ナノ理工学特論大学院先進理工学研究科2019春学期
総合ナノ理工学特論大学院先進理工学研究科2019春学期
総合ナノ理工学特論大学院先進理工学研究科2019春学期
修士論文(ナノ理工)大学院先進理工学研究科2019通年
Research on Nano-device大学院基幹理工学研究科2019通年
ナノデバイス研究大学院基幹理工学研究科2019通年
Research on Nanodevices大学院先進理工学研究科2019通年
ナノデバイス研究大学院先進理工学研究科2019通年
Nanodevice Engineering大学院基幹理工学研究科2019春学期
ナノデバイス工学大学院基幹理工学研究科2019春学期
Nanodevice Engineering大学院先進理工学研究科2019春学期
ナノデバイス工学大学院先進理工学研究科2019春学期
Experiments in Nanoscience and Nanoengineering大学院先進理工学研究科2019通年
ナノ理工学専攻特別実験大学院先進理工学研究科2019通年
Seminar on Nanoelectronics A大学院基幹理工学研究科2019春学期
ナノエレクトロニクス演習A大学院基幹理工学研究科2019春学期
Seminar on Nanoelectronics A大学院先進理工学研究科2019春学期
ナノエレクトロニクス演習A大学院先進理工学研究科2019春学期
Seminar on Nanoelectronics B大学院基幹理工学研究科2019秋学期
ナノエレクトロニクス演習B大学院基幹理工学研究科2019秋学期
Seminar on Nanoelectronics B大学院先進理工学研究科2019秋学期
ナノエレクトロニクス演習B大学院先進理工学研究科2019秋学期
Seminar on Nanoelectronics C大学院基幹理工学研究科2019春学期
ナノエレクトロニクス演習C大学院基幹理工学研究科2019春学期
Seminar on Nanoelectronics C大学院先進理工学研究科2019春学期
ナノエレクトロニクス演習C大学院先進理工学研究科2019春学期
Seminar on Nanoelectronics D大学院基幹理工学研究科2019秋学期
ナノエレクトロニクス演習D大学院基幹理工学研究科2019秋学期
Seminar on Nanoelectronics D大学院先進理工学研究科2019秋学期
ナノエレクトロニクス演習D大学院先進理工学研究科2019秋学期
Master's Thesis (Department of Nanoscience and Nanoengineering)大学院先進理工学研究科2019通年
ナノデバイス研究大学院基幹理工学研究科2019通年
ナノデバイス研究大学院先進理工学研究科2019通年
ナノマテリアル研究大学院先進理工学研究科2019通年
エネルギー・ネクストシステム・デバイス特論大学院先進理工学研究科2019集中(春・秋学期)