氏名

カワラダ　ヒロシ

川原田　洋

職名

教授 (https://researchmap.jp/read0079538/)

所属

（基幹理工学部）

連絡先

メールアドレス

メールアドレス: kawarada@waseda.jp

住所・電話番号・fax番号

住所: 〒169-8555新宿区大久保3-4-1 早稲田大学理工学術院　基幹理工学部　電子物理システム学科
電話番号: 03-5286-3391
fax番号: 03-5286-3391

URL等

WebページURL

http://www.kawarada-lab.com/

研究者番号

90161380

本属以外の学内所属

兼担

理工学術院（大学院基幹理工学研究科）

理工学術院（大学院先進理工学研究科）

学内研究所等

理工学総合研究センター

兼任研究員 1989年-2006年

ライフサポートイノベーション研究所

研究所員 2014年-2014年

グリーンデバイス研究所

研究所員 2010年-2013年

ナノテクノロジー研究所

研究所員 2007年-2014年

グリーンデバイス研究所

プロジェクト研究所所長 2010年-2013年

グリーンデバイス研究所

運営委員 2014年-2014年

理工学術院総合研究所（理工学研究所）

兼任研究員 2006年-2018年

グリーンデバイス研究所

プロジェクト研究所所長 2014年-2018年

ライフサポートイノベーション研究所

研究所員 2015年-2019年

グリーンデバイス研究所

研究所員 2015年-2018年

ナノテクノロジー研究所

研究所員 2015年-

アンビエントロニクス研究所

研究所員 2018年-

理工学術院総合研究所（理工学研究所）

兼任研究員 2018年-

ライフサポートイノベーション研究所

研究所員 2019年-

学歴・学位

学歴

-1978年	早稲田大学理工学部電子通信学科
-1985年	早稲田大学理工学研究科電気工学

学位

工学博士早稲田大学

経歴

1995年04月-	早稲田大学理工学部教授
1995年08月-1996年09月	ドイツ・フンボルト財団フラウンホーファー研究所（応用固体物理部門）研究員
1990年04月-1995年03月	早稲田大学理工学部助教授
1986年04月-1990年03月	大阪大学工学部電気工学科助手
1983年04月-1985年03月	早稲田大学理工学部助手
1980年04月-1982年03月	日立製作所半導体事業部プロセス技術開発部
2017年04月-	名古屋大学未来材料･システム研究所客員教授

所属学協会

応用物理学会理事

委員歴･役員歴(学外)

2010年04月-2014年03月	(社)ニューダイヤモンドフォーラム会長
2005年04月-2007年03月	応用物理学会理事
2012年10月-	日本学術会議連携会員
2014年04月-	(社)ニューダイヤモンドフォーラム顧問

受賞

応用物理学会フェロー表彰

2010年

超伝導科学技術賞

2007年

文部科学大臣表彰　科学技術賞(研究部門)　

2016年04月

タイトル：ダイヤモンドパワートランジスタおよびバイオセンサの研究

その他基本情報

科学技術振興事業団　戦略的基礎研究推進事業　研究領域「電子・光子等の機能制御」　研究課題「表面吸着原子制御による極微細ダイヤモンドデバイス」雇用研究員(k2001.10)

研究分野

キーワード

電子デバイス・機器工学、半導体工学、ナノテクノロジー

科研費分類

工学 / 電気電子工学 / 電子・電気材料工学

研究シーズ

ダイヤモンド半導体を用いた高信頼性電力素子

シーズ分野：ナノ・材料

多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET（ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法）

シーズ分野：ナノ・材料

ダイヤモンド基板上の垂直配向グラファイト層

シーズ分野：ナノ・材料

ナノダイヤモンドp型透明電極

シーズ分野：ナノ・材料

電気による新たな海中無線通信の開発

シーズ分野：ナノ・材料

研究テーマ履歴

2006年-2006年萌芽研究「超長寿命触媒微粒子によるセンチメートル長垂直配向単層カーボンナノチューブ合成」研究代表者

個人研究

2007年-2011年アンビエントSoC教育研究の国際拠点　研究分担者

国際共同研究

2009年-2010年萌芽研究「一塩基遺伝子変異および特定タンパク質検出用ダイヤモンドトランジスタ」研究代表者

研究テーマのキーワード：ナノバイオ、電子デバイス・機器、核酸、蛋白質、微細プロセス技術

個人研究

2007年-2011年基盤研究Ｓ「高密度正孔ガスを利用したダイヤモンド高出力ミリ波トランジスタ」研究代表者

個人研究

2006年-2009年ＮＥＤＯ　ＭＩＲＡＩプロジェクト「先端放電ラジカルCVD方式の研究」研究分担者

国内共同研究

1998年-2003年「表面吸着原子制御による極微細ダイヤモンドデバイス」研究代表者

国内共同研究

2000年-2005年ＣＯＥプロジェクト「ナノ構造配列を基盤する分子ナノ工学の構築とマイクロシステムへの展開」研究分担者

国内共同研究

2002年-2006年「高密度励起子状態を利用したダイヤモンド紫外線ナノデバイスの開発」研究分担者

国内共同研究

2003年-2005年ＮＥＤＯ極限機能プロジェクト「低抵抗ソース・ドレイン領域と高品質絶縁膜の開発および0.2μmのゲート作製プロセス開発」研究分担者

国内共同研究

2003年-2005年基盤研究Ａ「ダイヤモンド薄膜表面の導電性制御によるハイパワー高周波トランジスタの開発」研究代表者

研究テーマのキーワード：半導体物性、電子デバイス・機器、電子・電気材料

個人研究

論文

Lithographically engineered shallow nitrogen-vacancy centers in diamond for external nuclear spin sensing

Ryosuke Fukuda, Priyadharshini Balasubramanian, Itaru Higashimata, Godai Koike, Takuma Okada, Risa Kagami, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Moriyoshi Haruyama, Keisuke Yamada, Masafumi Inaba, Hayate Yamano, Felix M. Stürner, Simon Schmitt, Liam P. McGuinness, Fedor Jelezko, Takeshi Ohshima, Takahiro Shinada, Hiroshi Kawarada, Wataru Kada & 3 others

JournalNew Journal of Physics査読有り20(8)p.083029/1 - 083029/92018年08月-

Vertical-type two-dimensional hole gas diamond metal oxide semiconductor field-effect transistors

N. Oi, M. Inaba, S. Okubo, I. Tsuyuzaki, T. Kageura, S. Onoda, A. Hiraiwa H.Kawarada

Scientific Reports査読有り8p.10660/1 - 10660/102018年07月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Role of carboxyl and amine termination on a boron-doped diamond solution gate field effect transistor (SGFET) for PH sensing

S. Falina, S. Kawai, N. Oi, H. Yamano, T. Kageura, E. Suaebah, M. Inaba, Y. Shintani, M. Syamsul, H. Kawarada

Sensors査読有り18(7)p.2178/1 - 2178/102018年07月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Electrical contact properties between carbon nanotube ends and a conductive atomic force microscope tip

M. Inaba, K. Ohara, M. Shibuya, T. Ochiai, D. Yokoyama, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

J. Appl. Phys.査読有り123p.244502/1 - 244502/82018年06月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Time-dependent dielectric breakdown of atomic-layer-deposited Al2O3 films on GaN

A. Hiraiwa, T. Sasaki, S. Okubo, K. Horikawa, and H. Kawarada

J. Appl. Phys.査読有り123p.155303/1 - 155303/92018年04月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

In-plane electrical conduction mechanisms of highly dense carbon nanotube forests on silicon carbide

K. Matsuda, W. Norimatsu, J. Bao, H. Kawarada, M. Kusunoki

J. Appl. Phys.査読有り123p.145104/1 - 145104/72018年01月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Heteroepitaxial diamond field-effect transistor for high voltage applications

Mohd Syamsul, N. Oi, S. Okubo, T. Kageura, H. Kawarada

IEEE Electron Device Letters査読有り39(1)p.51 - 542018年01月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Sheet resistance underneath the Au ohmic-electrode on hydrogen-terminated surface-conductive diamond (001)

S.Kono, T.Sasaki, M.Inaba, A.Hiraiwa, H.Kawarada

Diamond and Related Materials査読有り80p.93 - 982017年11月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Polycrystalline Boron-doped diamond electrolyte-solution-gate field-effect transistor for an application to the measurement of water percentage in ethanol

Y. Shintani, H. Kawarada

Analytical Sciences査読有り33(10)p.1193 - 11962017年10月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Aptamer-based carboxyl-terminated nanocrystalline diamond sensing arrays for adenosine triphosphate detection

E. Suaebah, T. Naramura, M. Myodo, M. Hasegawa, S. Shoji, J.J. Buendia, H. Kawarada

Sensors査読有り17(7)p.1686/1 - 1686/132017年07月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Threshold voltage control of electrolyte solution gate field-effect transistor by electrochemical oxidation

T. Naramura, M. Inaba, S. Mizuno, K. Igarashi, E. Kida, S. F. Mohd Sukri, Y. Shintani, H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.査読有り111p.013505/1 - 013505/52017年07月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

An All-Solid-State pH Sensor Employing Fluorine-Terminated Polycrystalline Boron-Doped Diamond as a pH-Insensitive Solution-Gate Field-Effect Transistor

Y. Shintani, M. Kobayashi, H. Kawarada

Sensors査読有り17(5)p.1040/1 - 1040/72017年05月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Vertical edge graphite layer on recovered diamond (001) after　high-dose ion implantation and high-temperature annealing

M. Inaba, A. Seki, K. Sato, T. Kushida, T.Kageura, H. Yamano, A. Hiraiwa, H.Kawarada

Phys. Status Solidi B査読有り254(9)p.1700040 - 17000402017年05月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Effect of a radical exposure nitridation surface on the charge stability of shallow nitrogen-vacancy centers in diamond

T. Kageura, K. Kato, H. Yamano, E. Suaebah, M. Kajiya, S. Kawai, M. Inaba, T. Tanii, M. Haruyama, K. Yamada, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, T. Teraji, J. Isoya, S. Kono, and H. Kawarada

Appl.Phys.Express査読有り10(5)p.055503 /1 - 055503 /42017年04月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Smart Power Devices and ICs Using GaAs and Wide and Extreme Bandgap Semiconductors

T. Paul Chow; I. Omura; M. Higashiwaki; H. Kawarada; V. Pala

IEEE Transactions on Electron Devices査読有り64(3)p.856 - 8732017年03月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Charge state stabilization of shallow nitrogen vacancy centers in diamond by oxygen surface modification

H. Yamano, S. Kawai, K. Kato, T. Kageura, M. Inaba, T. Okada, I. Higashimata, M. Haruyama, T. Tanii, K. Yamada, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, T. Teraji, J. Isoya, and H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys.査読有り56(4S)p.04CK08/1 - 04CK08/72017年03月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Normally-off C-H Diamond MOSFETs with Partial C-O Channel Achieving 2-kV Breakdown Voltage

Y. Kitabayashi, T. Kudo, H. Tsuboi, T. Yamada, D. Xu, M. Shibata, D. Matsumura, Y. Hayashi, M. Syamsul, M. Inaba, A. Hiraiwa and H. Kawarada

IEEE Electron Device Lett.査読有り38(3)p.363 - 3662017年03月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

High voltage stress induced in transparent polycrystalline diamond field-effect transistor and enhanced endurance using thick Al2O3 passivation layer

M. Syamsul, Y. Kitabayashi, T. Kudo, D. Matsumura, H. Kawarada

IEEE Electron Device Lett.査読有り38(5)p.607 - 6102017年03月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Durability-enhanced two-dimensional hole gas of C-H diamond surface for complementary power inverter applications

H. Kawarada, T. Yamada , Dechen Xu , H. Tsuboi , Y. Kitabayashi , D. Matsumura , M. Shibata , T. Kudo , M. Inaba , A. Hiraiwa

Scientific Reports査読有り7p.42368/1 - 42368/82017年02月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Post-deposition-annealing effect on current conduction in Al2O3 films formed by atomic layer deposition with H2O oxidant

A. Hiraiwa, D. Matsumura, S. Okubo, and H. Kawarada

J. Appl. Phys.査読有り121p.074502/1 - 074502/82017年02月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Aptamer strategy for ATP detection on nanocrystalline diamond functionalized by a nitrogen and hydrogen radical beam system

E. Suaebah, Y. Seshimo, M. Shibata, S. Kono, M. Hasegawa, and H. Kawarada

J. Appl. Phys査読有り121(4)p.044506/1 - 044506/62017年01月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

High voltage breakdown (1.8 kV) of hydrogenated black diamond field effect transistor

M. Syamsul, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, T. Saito, Y. Shintani, H. Kawarada

Applied Physics Letters査読有り109p.203504/1 - 203504/42016年11月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Polycrystalline boron-doped diamond with an oxygen-terminated surface channel as an electrolyte-solution-gate field-effect transistor for pH sensing

Y. Shintani, S. Ibori, K. Igarashi, T. Naramura, M. Inaba, H. Kawarada

Electrochimica Acta査読有り212p.10 - 152016年10月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Spin-induced anomalous magnetoresistance at the (100) surface of hydrogen-terminated diamond

T. Yamaguchi, Y. Sasama, M. Tanaka, H. Takeya, Y. Takano, T. Kageura, and H. Kawarada

Phys. Rev. B査読有り94(16)p.161301/1 - 161301/52016年10月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Effect of atomic layer deposition temperature on current conduction in Al2O3 films formed using H2O oxidant

A. Hiraiwa, D. Matsumura, H. Kawarada

Journal of Applied Physics査読有り120p.084504/1 - 084504/102016年08月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Hydrogen-terminated diamond vertical-type metal oxide semiconductor field-effect transistors with a trench gate

M. Inaba, T. Muta M. Kobayashi, T. Saito, M. Shibata, D. Matsumura, T. Kudo, A. Hiraiwa and H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.査読有り109p.033503/1 - 033503/42016年07月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Diamond MOSFETs using 2D hole gas with 1700V breakdown voltage

H. Kawarada, T. Yamada, D. Xu, Y. Kitabayashi, M. Shibata, D. Matsumura, M. Kobayashi, T. Saito, T. Kudo,M. Inaba, A. Hiraiwa

2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)査読有りp.483 - 4862016年07月-

掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Ohmic contact for silicon carbide by carbon nanotubes

M. Inaba, K. Suzuki, Y. Hirano, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

Materials Science Forum査読有り858p.561 - 5642016年05月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Radially oriented nanostrand electrodes to boost glucose sensing in mammalian blood

Naeem Akhtar ; Sherif A. El-Safty ; Mamdouh E. Abdelsalam ; Mohamed A. Shenashen ; Hiroshi Kawarada

Biosensors and Bioelectronics査読有り77p.656 - 6652016年03月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Space-charge-controlled field emission model of current conduction through Al2O3 films

A. Hiraiwa, D. Matsumura, H. Kawarada

Journal of Applied Physics査読有り119(6)p.064505/1 - 064505/132016年02月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Contact Conductivity of Uncapped Carbon Nanotubes Formed by Silicon Carbide Decomposition

M. Inaba, C.-Y. Lee, K. Suzuki, M. Shibuya, M.Myodo, Y. Hirano, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H.Kawarada

Journal of Physical Chemistry C査読有り120(11)p.6232 - 62382016年02月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Direct partial CH3 termination into carboxyl terminated diamond surface for biosensor

E. Suaebah, T. Naramura, H. Kawarada

2015 IEEE SENSORS査読有りp.1 - 42015年12月-

掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Electron transport dependence of nanoscale hemeprotein molecular structures for engineering electrochemical nanosensor

N. Akhtar, S. A. El-Safty, M. E. Abdelsalam, H. Kawarada

Nano-Structures and Nano-Objects査読有り2p.35 - 442015年08月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

One-Pot Fabrication of Dendritic NiO@carbon-nitrogen Dot Electrodes for Screening Blood Glucose Level in Diabetes

N. Akhtar, S. A. El-Safty, M. E. Abdelsalam, H. Kawarada

Advanced Healthcare Materials査読有り4(14)p.2110 - 21192015年08月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Functionalized carbon microarrays platform for high sensitive detection of HIV-Tat peptide

V. Penmatsa ; R. A. Rahim ; H. Kawarada

RSC Advances査読有り5(80)p.65042 - 650472015年07月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Isotope analysis of diamond-surface passivation effect of high-temperature H2O-grown atomic layer deposition-Al2O3 films

A. Hiraiwa, T. Saito,D. Matsumura, H. Kawarada

Journal of Applied Physics査読有り117p.215304/1 - 215304/102015年06月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Large-current-controllable carbon nanotube field-effect transistor in electrolyte solution

M. Myodo, M. Inaba, K. Ohara, R. Kato, M. Kobayashi, Y. Hirano, K. Suzuki, H. Kawarada

Applied Physics Letters査読有り106p.213503/1 - 213503/42015年05月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Very low Schottky barrier height at carbon nanotube and silicon carbide interface

M. Inaba, K. Suzuki, M. Shibuya, C.-Y. Lee, Y. Masuda, N. Tomatsu, W. Norimatsu, A. Hiraiwa, M. Kusunoki, H. Kawarada

Applied Physics Letters査読有り106p.123501/1 - 123501/52015年03月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Blocking characteristics of diamond junctions with a punch-through design”,　 Journal of Applied Physics

A. Hiraiwa, H. Kawarada

Journal of Applied Physics査読有り117(12)p.124503/1 - 124503/62015年03月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Signature of high T c above 25 K in high quality superconducting diamond

H. Okazaki, T. Wakita, T. Muro, T. Nakamura, Y. Muraoka, T. Yokoya, S. Kurihara, H. Kawarada, T. Oguchi, Y. Takano

Applied Physics Letters査読有り106(5)p.052601/1 - 052601/42015年02月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Room-temperature amorphous alloy field-effect transistor exhibiting particle and wave electronic transport

M. Fukuhara ,H. Kawarada

Journal of Applied Physics査読有り117(8)p.084302/1 - 084302/52015年02月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Repulsive effects of hydrophobic diamond thin films on biomolecule detection

A. Rahim Ruslinda, Y. Ishiyama, V. Penmatsa, S. Ibori, H. Kawarada

Applied Surface Science査読有り328p.314 - 3182015年02月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Wide Temperature (10K- 700K) and High Voltage (~1000V) Operation of C-H Diamond MOSFETs for Power Electronics Application

H. Kawarada, H. Tsuboi, T. Yamada, D. Xu, T. Saito, A. Hiraiwa

IEEE IEDM 2014　IEEE International Electron Devices Meeting査読有りp.11.2.1 - 11.2.42014年12月-

掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Depth Profiles of Absorbed Hydrogen in Ni-Nb-Zr Amorphous Alloy Ribbons by Glow Discharge Optical Emission Spectroscopy

R. Y. Umetsu, M. Saito, T. Sasaki, T. Sekiguchi, J. Mizuno, H. Kawarada

Open Journal of Metal査読有り4(4)p.112 - 1192014年12月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Substitution effects of cr or fe on the curie temperature for Mn-based layered compounds MnAlGe and MnGaGe with Cu2Sb-type structure

R. Y. Umetsu; Y. Mitsui; I. Yuito; T. Takeuchi; H. Kawarada

IEEE Transactions on Magnetics査読有り50(11)p.1001904/1 - 1001904/42014年11月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

ダイヤモンド・トランジスタのバイオセンシングへの適用

川原田　洋

化学と工業査読有り招待有り67(11)p.983 - 9852014年11月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

C-H surface diamond field effect transistors for high temperature (400°C) and high voltage (500V) operation

H. Kawarada, H. Tsuboi, T. Naruo, T. Yamada, D. Xu, A. Daicho, T. Saito, A. Hiraiwa

Appl. Phys. Lett .105(1)p.013510/1 - 013510/42014年07月-

掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Quantum oscillations of the two-dimensional hole gas at atomically flat diamond surfaces

Ｔ.Yamaguchi, H. Okazaki, K. Deguchi, S. Uji, H. Takeya, Y. Takano, H. Tsuboi, H.Kawarada

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics89(23)p.235304/1 - 235304/52014年06月-

Diamond surface conductivity: Properties, devices, and sensors

C. I. Pakes, J. A. Garrido, H. Kawarada

MRS Bulletin39(6)p.542 - 5482014年06月-

High-reliability passivation of hydrogen-terminated diamond surface by atomic layer deposition of Al2O3

A. Daicho, T. Saito, S. Kurihara, A. Hiraiwa, H. Kawarada

Journal of Applied Physics115(22)p.223711/1 - 003711/42014年06月-

Accuracy assessment of sheet-charge approximation for Fowler-Nordheim tunneling into charged insulators

Atsushi Hiraiwa , Tatsuya Saito, Akira Daicho, and Hiroshi Kawarada

J. Appl. Phys.114(13)p.134501/1 - 134501/92013年10月-

Effect of hydrogen absorption on electrical transport properties for Ni36Nb24Zr40 amorphous alloy ribbons

Rie Y. Umetsu, Hajime Yoshida, Mikio Fukuhara, Shin-Ichi Yamaura, Makoto Matsuura, Toshio Sasaki, Tetsushi Sekiguchi, Mikiko Saito, Jun Mizuno, Hiroshi Kawarada

Materials Transactions54(8)p.1339 - 13422013年07月-

Figure of merit of diamond power devices based on accurately estimated　impact ionization processes

Atsushi Hiraiwa and Hiroshi Kawarada

J. Appl. Phys.114(3)p.034506/1 - 034506/92013年07月-

Spatial variation of tunneling spectra in (111)-oriented films of boron-doped diamond probed by STM/STS

T.Nishizaki, T. Sasaki, N.Kobayashi, Y. Takano, M.Nagao, H.Kawarada

International Journal of Modern Physics B27(15)p.1362014/1 - 1362014/72013年07月-

Low-temperature transport properties of holes introduced by ionic liquid gating in hydrogen-terminated diamond surfaces

Takahide Yamaguchi, Eiichiro Watanabe, Hirotaka Osato, Daiju Tsuya, Keita Deguchi, Tohru Watanabe, Hiroyuki Takeya, Yoshihiko Takano, Shinichiro Kurihara, Hiroshi Kawarada

Journal of the Physical Society of Japan82(7)p.074718/1 - 074718/62013年06月-

Increasing the length of a single-wall carbon nanotube forest by adding titanium to a catalytic substrate

T. Ohashi; T. Ochiai; T. Tokune; H. Kawarada

Carbon57p.79 - 872013年06月-

Understanding the stability of a sputtered Al buffer layer for single-walled carbon nanotube forest synthesis

T. Ohashi; R. Kato; T. Tokune; H. Kawarada

Carbon57p.401 - 4092013年06月-

Effect of hydrogen and cluster morphology on the electronic behavior of Ni-Nb-Zr-H glassy alloys with subnanometer-sized icosahedral Zr 5Ni5Nb5 clusters

Mikio Fukuhara; Hajime Yoshida; Hiroshi Kawarada

European Physical Journal D67(2)p.40/1 - 40/42013年03月-

Functionalized three-dimensional carbon microarrays for cancer biomarker detection

V. Penmatsa, A.R. Ruslinda, M. Beidaghi, H. Kawarada, C. Wang

ECS Transactions45(15)p.7 - 142013年-

Effects of diamond-FET-based RNA aptamer sensing for detection of real sample of HIV-1 Tat protein

A. R. Rahim, K. Tanabe, S. Ibori, X. Wang, Hiroshi Kawarada

Biosensors and Bioelectronics40(1)p.277 - 2822013年-

Platelet-derived growth factor oncoprotein detection using three-dimensional)carbon microarrays

V.Penmatsa, , A. R. Rahim , M.Beidaghi, H.Kawarada, C.Wang

Biosensors and Bioelectronics39(1)p.118 - 1232013年-

Boron δ-doped (111) diamond solution gate field effect transistors

R.Edgington, A.R.Ruslinda, S.Sato, Y.Ishiyama, K.Tsuge, T.Ono, H.Kawarada

Biosensors and Bioelectronics33(1)p.152 - 1572012年-

Capacitance distribution of Ni-Nb-Zr-H glassy alloys

M.Fukuhara, H.Yoshida, N.Fujima, H.Kawarada

J. of Nanoscience and Nanotechnology12(5)p.3848 - 38522012年-

Controllable oxidization of boron doped nanodiamond covered with different solution via UV/ozone treatment

X.F.Wang, M.Hasegawa, K.Tsugawa, A.R.Ruslinda, and H.Kawarada

Diamond & Related Materials24p.146 - 1522012年-

Effective Surface Functionalization of Nanocrystalline Diamond Films by Direct Carboxylation for PDGF Detection via Aptasensor

X. Wang, Y. Ishii, A.R. Ruslinda, M. Hasegawa, H.　Kawarada

ACS Appl. Mater. Interfaces4(7)p.3526 - 35342012年-

Fluorescence-signaling aptasensor for ATP and PDGF detection on functionalized diamond surfaces

A.Rahim Ruslinda, Y. Ishiyama, X. Wang, T. Kobayashi and H. Kawarada

J. Electrochem. Soc.159p.J182 - J1872012年-

Growth and electrical characterisation of δ-doped boron layers on (111) diamond surfaces

R. Edgington, S. Sato, Y. Ishiyama, R. Morris, R. B. Jackman and Hiroshi Kawarada

J. Appl. Phys.111(3)p.033710 - 0337102012年-

High Frequency Operation of H-terminated Diamond FETs

H.Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys.51(9)p.0901112012年-

High Priority of Nanocrystalline Diamond as a Biosensing Platform

X.Wang, S.Kurihara, M.Hasegawa, A.Rahim Ruslinda, H.Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys.51(9)p.0901252012年-

High quality single-walled carbon nanotube synthesis using remote plasma CVD

T.Ohashi, R.Kato, T.Ochiai, T.Tokune, H.i Kawarada

Diamond and Related Materials24p.184 - 1872012年-

Highly sensitive detection of platelet-derived growth factor on a functionalized diamond surface using aptamer sandwich design

A. Rahim Ruslinda, Varun Penmatsa, Yoko Ishii, Shinya Tajima and Hiroshi Kawarada

Analyst137(7)p.1692 - 16972012年-

Mesoporous NiO nanomagnets as catalysts and separators of chemical agents

M. Khairy, S.A.El-Safty, M.Ismael, H.Kawarada

Applied Catalysis B: Environmental127(1-10)2012年-

Multidirectional porous NiO nanoplatelet-like mosaics as catalysts for green chemical transformations

S.A.El-Safty, M.Khairy, M.Ismael, H.Kawarada

Applied Catalysis B: Environmental123-124p.162 - 1732012年-

Refractory two-dimensional hole gas on hydrogenated diamond surface

A. Hiraiwa, A. Daicho, S. Kurihara, Y. Yokoyama, and H. Kawarada

J. Appl. Phys.112(12)p.1245042012年-

Vertical SNS Weak-Link Josephson Junction Fabricated from Only Boron-Doped Diamond

M.Watanabe, Kanomata, S.Kurihara, A.Kawano, S.Kitagoh, T.Yamaguchi Y.Takano, H.Kawarada

Phys. Rev. B85(18)p.1845162012年-

Aptasensor for Oncoprotein Platelet-Derived Growth Factor Detection on Functonalized Diamond Surface by Signal-Off Optical Method

Y.Ishii, S.Tajima,H.Kawarada

Appl.Phys.Express4(2)p.027001 - 0270012011年-

Diamond electrolyte solution gate FETs for DNA and protein sensors using DNA/RNA aptamers

H. Kawarada and A. R. Ruslinda

Phys. Status. Solidi A208(9)p.2005 - 20162011年-

Fabrication of Metal-Oxide-Diamond Field-Effect Transistors with Submicron-Sized Gate Length on Boron-Doped(111) H-Terminated Surfaces Using Electron Beam Evaporated SiO2 and Al2O3

T.Saito, K.-H.Park, K.Hirama, H.Umezawa, M.Satoh, H.Kawarada, Z.-Q.Liu, K.Mitsuishi, K.Furuya and H.Okushi

Journal of Electronic Materials40(3)p.247 - 2522011年-

Higher coverage of carboxylic acid groups on oxidized single crystal diamond (001)

Xianfen Wang, A. Rahim Ruslinda, Yuichiro Ishiyama, Yoko Ishii, Hiroshi Kawarada

Diamond & Related Materials20(10)p.1319 - 13242011年-

Human immunodeficiency virus trans-activator of transcription peptide detection via ribonucleic acid aptamer on aminated diamond biosensor

A. Rahim Ruslinda, X. Wang, Y. Ishii, Y. Ishiyama, K. Tanabe and H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.99(12)p.1237022011年-

Photoemission study of electronic structure evolution across the metalinsulator transition of heavily B-doped diamond", Journal of Physics and Chemistry of Solids

H.Okazaki, T.Arakane, K.Sugawara, T.Sato, T.Takahashi, T.Wakita, M.Hirai, Y.Muraoka, Y.Takano, S.Ishii, S.Iriyama, H.Kawarada, T.Yokota

Journal of Physics and Chemistry of Solids72(5)p.582 - 5842011年-

Aptamer-based biosensor for sensitive PDGF detection using diamond transistor

A. Rahim Ruslinda, S. Tajima, Y. Ishi, Y. Ishiyama, R. Edgington, H. Kawarada

Biosensors and Bioelectronics26(4)p.1599 - 16042010年-

Critical concentrations of superconductor to insulator transition in (111) and (001) CVD boron-doped diamond

A. Kawano, H. Ishiwata, S. Iriyama, R. Okada, S. Kitagoh, M. Watanabe, Y. Takano, T. Yamaguchi, H. Kawarada

Physica C470(1)p.S604 - S6072010年-

Cross-sectional TEM study and lm thickness dependence of Tc in heavily 3 boron-doped superconducting diamond

S. Kitagoh, R. Okada, M. Watanabe, A. Kawano, Y. Takano, T. Chikyow, H.Kawarada

Physica C470(SUPP.1)p.S610 - S6122010年-

Fabrication of calcium ion sensitive diamond field effect transistors (FETs) based on immobilized calmodulin

J.-H. Yang, M. Degawa, K.-S. Song, C.Wang, H. Kawarada

Materials Letters64(21)p.2321 - 23242010年-

High-Performance P-Channel Diamond Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on H-Terminated(111)Surface

K.Hirama,K.Tsuge,S.Sato,T.Tsuno,Y.Jingu,S.Yamauchi,H.Kawarada

Appl.Phys.Express3(4)p.0440012010年-

Low drift and small hysteresis characteristics of diamond electrolyte-solution-gate FET

Y. Sasaki, H. Kawarada

Jornal of Physics D43(37)p.3740202010年-

Low-temperature synthesis of multiwalled carbon nanotubes by graphite antenna CVD in a hydrogen-free atmosphere

D. Yokoyama, T. Iwasaki, K. Ishimaru, S. Sato, M. Nihei, Y. Awano, H. Kawarada

Carbon48(3)p.825 - 8312010年-

Schottky barrier heights, carrier density, and negative electron affinity of hydrogen-terminated diamond

K.Tsugawa, H. Noda, K. Hirose, and H. Kawarada

Phys. Rev. B81(4)p.0453032010年-

Stacked SNS Josephson junction of all boron doped diamond

M. Watanabe, A. Kawano, S. Kitagoh, T. Yamaguchi, Y. Takano, H. Kawarada

Physica C470(SUPPL.1)p.S613 - S6152010年-

Superconductor-to-insulator transition in boron-doped diamond films grown using chemical vapor deposition

Akihiro Kawano, Hitoshi Ishiwata, Shingo Iriyama, Ryosuke Okada, Takahide Yamaguchi, Yoshihiko Takano, and Hiroshi Kawarada

Phys. Rev. B82(8)p.0853182010年-

Ultrashallow TiC Source/Drain Contacts in Diamond MOSFETs Formed by Hydrogenation-Last Approach

Y.Jingu, K. Hirama, and H. Kawarada

IEEE Transaction on Electron Devices57(5)p.966 - 9722010年-

Soft X-ray Core-Level Photoemission Study of Boron Sites in Heavily Boron-Doped Diamond Films Source

H. Okazaki, R. Yoshida, T. Muro, H. Kawarada

J. PHYS. SOC. JPN.78(3)p.0347032009年-

ワイドギャップ半導体ダイヤモンドを用いた高周波高出力MOSFETの開発

平間一行, 川原田洋

科学と工業83(4)p.149 - 1562009年-

Channel mobility evaluation for diamond MOSFETs using gate-to-channel capacitance measurement

K. Hirama, H. Takayanagi, S. Yamauchi, J. H. Yang, H. Umezawa, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.17(7-10)p.1256 - 12582008年-

Characterization of Hybridization on Diamond Solution-Gate Field-Effect Transistors for Detecting Single Mismatched Oligonucleotides

J. H. Yang, S. Kuga, K. S. Song, H. Kawarada

Appl. Phys. Express1p.118012008年-

Detection of mismatched DNA on partially negatively charged diamond surface by optical and potentiometric methods

S. Kuga, J. H. Yang, H. Takahashi, K. Hirama, T. Iwasaki, H. Kawarada

J. Am. Chem. Soc.130p.13251 - 132632008年-

Electrical Properties of Carbon Nanotubes Grown at a Low Temperature for Use as Interconnects

D. Yokoyama, K. Ishimaru, T. Iwasaki, S. Sato, T. Hyakushima, M. Nihei, Y. Awano, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys.47(4)p.1985 - 19902008年-

Functionalization of ultradispersed diamond for DNA detection

J. H. Yang, Y. Nakano, Y. Murakami, K. S. Song, H. Kawarada

J. Nanoparticle Research10p.69 - 752008年-

Highly Selective Synthesis of Vertically Aligned Double-Walled Carbon Nanotubes by a Controlled Heating Method and Their Electric Double-Layer Capacitor Properties

T. Iwasaki, T. Maki, D. Yokoyama, H. Kumagai, Y. Hashimoto, T. Asari, H. Kawarada

phys. stat. sol. (RRL)2p.53 - 552008年-

Low-temperature STM/STS studies on boron-doped (111) diamond films

T. Nishizaki, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi, H. Kawarada, N. Kobayashi

J. Phy. Chem. Solids69p.3027 - 30302008年-

Mechanism Analysis of Interrupted Growth of Single-Walled Carbon Nanotube Arrays

T. Iwasaki, J. Robertson, H. Kawarada

Nano. Lett.8p.886 - 8902008年-

Spontaneous polarization model for surface orientation dependence of diamond hole accumulation layer and its transistor performance

K. Hirama, H. Takayanagi, S. Yamauchi, J. H. Yang, H. Kawarada, H. Umezawa

Appl. Phys. Lett.92(11)p.1121072008年-

Vertically aligned carbon nanotube growth from Ni nanoparticles prepared by ion implantation

T. Iwasaki, S. Mejima, T. Koide, R. Morikane, H. Nakayama, T. Shinada, I. Ohdomari, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.17p.1443 - 14462008年-

ホール蓄積層チャネルを用いた高周波ダイヤモンドFET

平間一行, 川原田洋

ニューダイヤモンド90p.2 - 92008年-

水素終端ダイヤモンド表面近傍に存在するp型表面蓄積層

川原田洋, 平間一行, 荻原大輔

表面科学29(3)p.144 - 1552008年-

電解質溶液ゲートFETを利用したDNAセンサー

川原田洋

応用物理77(10)p.1229 - 12342008年-

Growth kinetics of 0.5 cm vertically aligned single-walled carbon nanotubes

G. F. Zhong, T. Iwasaki, J. Robertson, H. Kawarada

J. Phys. Chem. B111(8)p.1907 - 19102007年03月-

Miniaturized diamond field-effect transistors for application in biosensors in electrolyte solution

K. S. Song, T. Hiraki, H. Umezawa, H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.90(6)p.639012007年02月-

Microscopic evidence for evolution of superconductivity by effective carrier doping in boron-doped diamond: B-11-NMR study

H. Mukuda, T. Tsuchida, A. Harada, Y. Kitaoka, T. Takenouchi, Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi, T. Oguchi, H. Kawarada

Phys. Rev. B75(3)p.333012007年01月-

Observation of a superconducting gap in boron-doped diamond by laser-excited photoemission spectroscopy

K. Ishizaka, R. Eguchi, S. Tsuda, T. Yokoya, A. Chainani, T. Kiss, T. Shimojima, T. Togashi, S. Watanabe, C. T. Chen, C. Q. Zhang, Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi, T. Takenouchi, H. Kawarada, S. Shin

Phys. Rev. Lett.98(4)p.470032007年01月-

Core-level electronic structure evolution of heavily boron-doped superconducting diamond studied with hard x-ray photoemission spectroscopy

T. Yokoya, E. Ikenaga, M. Kobata, H. Okazaki, K. Kobayashi, A. Takeuchi, A. Awaji, Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi, T. Takenouchi, K. Kobayashi, H. Kawarada, T. Oguchi

Phys. Rev. B75(20)p.2051172007年-

Electronic Devices

H. Kawarada

Wide Bandgap Semiconductorsp.243 - 2482007年-

Low temperature grown carbon nanotube interconnects using inner shells by chemical mechanical polishing

D. Yokoyama, T. Yoshida, T. Iwasaki, S. Sato, T. Hyakushima, M. Nihei, Y. Awano, H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.91(26)p.2631012007年-

Phonon softening in superconducting diamond

M. Hoesch, T. Fukuda, J. Mizuki, T. Takenouchi, H. Kawarada, J. P. Sutter, S. Tsutsui, A. Q. R. Baron, M. Nagao, Y. Takano

Phys. Rev. B75(14)p.1405082007年-

Superconducting properties of homoepitaxial CVD diamond

Y. Takano, T. Takenouchi, S. Ishii, S. Ueda, T. Okutsu, I. Sakaguchi, H. Umezawa, H. Kawarada, M. Tachiki

Diam. Relat. Mat.16(4-7)p.911 - 9142007年-

Characterization of DNA hybridization on partially aminated diamond by aromatic compounds

J. H. Yang, K. S. Song, G. J. Zhang, M. Degawa, Y. Sasaki, I. Ohdomari, H. Kawarada

Langmuir22(26)p.11245 - 112502006年12月-

Characterization of Direct Immobilized Probe DNA on Partially Functionalized Diamond Solution-gate Field-effect Transistors

J. H. Yang, K. S. Song, S. Kuga, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys. (Express Letter)45(42)p.L1114 - L11172006年11月-

Trapping mechanism on oxygen-terminated diamond surfaces

Y. Itoh, Y. Sumikawa, H. Umezawa, H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.89(20)p.2035032006年11月-

Label-free DNA sensors using ultrasensitive diamond field-effect transistors in solution

K. S. Song, G. J. Zhang, Y. Nakamura, K. Furukawa, T. Hiraki, J. H. Yang, T. Funatsu, I. Ohdomari, H. Kawarada

Phys. Rev. E74(4)p.419192006年10月-

Low-energy electrodynamics of superconducting diamond

M. Ortolani, S. Lupi, L. Baldassarre, U. Schade, P. Calvani, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi, H. Kawarada

Phys. Rev. Lett.97(9)p.970022006年09月-

Semi-quantitative study on the fabrication of densely packed and vertically aligned single-walled carbon nanotubes

G. F. Zhong, T. Iwasaki, H. Kawarada

Carbon44(10)p.2009 - 20142006年08月-

Fabrication of T-shaped gate diamond Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors

K. Hirama, S. Miyamoto, H. Matsudaira, H. Umezawa, H. Kawarada

Jpn.J.Appl.Phys.45(7)p.5681 - 56842006年07月-

pH-sensitive diamond field-effect transistors (FETs) with directly aminated channel surface

K. S. Song, Y. Nakamura, Y. Sasaki, M. Degawa, J. H. Yang, H. Kawarada

Analytica Chimica Acta573(Sp. Iss)p.3 - 82006年07月-

DNA Micropatterning on Polycrystalline Diamond via One?Step Direct Amination

G. J. Zhang, K. S. Song, Y. Nakamura, T. Funatsu, I. Ohdomari, H. Kawarada

Langmuir22p.3728 - 37342006年04月-

Characterization of diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with aluminum oxide gate insulator

K. Hirama, S. Miyamoto, H. Matsudaira, K. Yamada, H. Kawarada, T. Chikyo, H. Koinuma, K. Hasegawa, H. Umezawa

Appl. Phys. Lett.88(11)p.1121172006年03月-

Enhancement of field emission characteristics of tungsten emitters by single-walled carbon nanotube modification

D. Ferrer, T. Tanii, I. Matsuya, G. Zhong, S. Okamoto, H. Kawarada, T. Shinada, I. Ohdomari

Appl. Phys. Lett.88(3)p.331162006年01月-

Low-Temperature Growth of Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Radical CVD

T. Iwasaki, G. Zhong, H. Kawarada

New Diam Front C Tec16(3)p.177 - 1842006年-

pH-sensitive diamond field-effect transistors (FETs) with directly aminated channel surface

K. S. Song, Y. Nakamura, Y. Sasaki, M. Degawa, J. H. Yang, H. Kawarada

Analytica Chimica Acta573-574p.3 - 82006年-

Acoustic and optical phonons in metallic diamond Source

M. Hoesch, T. Fukuda, T. Takenouchi, JP. Sutter, S. Tsutsui, AQR. Baron, M. Nagao, Y. Takano, H. Kawarada, J. Mizuki

Science and Technology of Advanced Materials7p.S31 - S362006年-

B-11-NMR study in boron-doped diamond films

H. Mukuda, T. Tsuchida, A. Harada, Y. Kitaoka, T. Takenouchi, Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi , H. Kawarada

Science and Technology of Advanced Materials7p.S37 - S402006年-

Laser-excited photoemission spectroscopy study of superconducting boron-doped diamond

K. Ishizaka, R. Eguchi, S. Tsuda, T. Kiss, T. Shimojima, T. Yokoya, S. Shin, T. Togashi, S. Watanabe, CT. Chen, CQ. Zhang, Y. Takano, M. Nagao, I. Sakaguchi, T. Takenouchi, H. Kawarada

Science and Technology of Advanced Materials7p.S17 - S212006年-

Scanning tunneling microscopy and spectroscopy studies of superconducting boron-doped diamond films

T. Nishizaki, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi, H. Kawarada, N. Kobayashi

Science and Technology of Advanced Materials7p.S22 - S262006年-

Soft X-ray angle-resolved photoemission spectroscopy of heavily boron-doped superconducting diamond films

T. Yokoya, T. Nakamura, T. Matushita, T. Muro, H. Okazaki, M. Arita, K. Shimada, H. Namatame, M. Taniguchi, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi, H. Kawarada, T. Oguchi

Science and Technology of Advanced Materials7p.S12 - S162006年-

Characteristics of Diamond Electrolyte Solution-Gate FETs (SGFETs) and Applications to Biosensors

K. S. Song, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.15p.325 - 3352005年-

Characteristics of Diamond Electrolyte Solution-Gate FETs (SGFETs) and Applications to Biosensors

K. S. Song, H. Kawarada

New Diamond and Frontier Carbon Technology15p.325 - 3352005年-

Characterization of the Locally Modified Diamond Surface using a Kelvin Probe Force Microscope

M. Tachiki, Y. Kaibara, Y. Sumikawa, M. Shigeno, H. Kanazawa, T. Banno, K. S. Song, H. Umezawa, H. Kawarada

Surf. Sci.581(2月3日)p.207 - 2122005年-

Evaluations of electrical properties for ZnTe thin films electrodeposited from a citric acid bath with a Hall effect measurement

T. Ohtomo, T. Ishizaki, D. Ogiwara, H. Kawarada, A. Fuwa

J. Jpn. Institute of Metals69(3)p.298 - 3022005年-

Low Tempereture Synthesis of Extremely Dense and Vertically Alined Single-Walled Carbon Nanotubes

G. Zhong, T. Iwasaki, K. Honda, Y. Furukawa, I. Ohdomari, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys.44p.1558 - 15612005年-

Micropatterning Oligonucleotides on Single Crystal Diamond Surface by Photolithography

G. J. Zhang, H. Umezawa, H. Hata, T. Zako, T. Funatsu, I. Ohdomari, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys.44p.L2952005年-

Origin of the metallic properties of heavily boron-doped superconducting diamond

T. Yokoya, T. Nakamura, T. Matsushita, T. Muro, Y. Takano, M. Nagao, T. Takenouchi, H. Kawarada, T. Oguchi

Nature438(7068)p.647 - 6502005年-

Very high yield growth of vertically aligned single-walled carbon nanotubes by point-arc microwave plasma CVD

G. Zhong, T. Iwasaki, K. Honda, Y. Furukawa, I. Ohdomari, H. Kawarada

Chem. Vapor. Depos.11(3)p.127 - 1302005年-

多結晶ダイヤモンドを用いた電解質溶液FETｓのバイオセンサへの応用

宋光燮, 中村雄介, 出川宗里, 佐々木順紀, 梅沢仁, 川原田洋

日本結晶成長学会誌31p.42005年-

表面修飾ダイヤモンドトランジスタによるDNA及びバイオセンシング応用

川原田洋, 宋光燮

化学と工業58(4)p.473 - 4762005年-

Surface modified Diamond Field-Effect Transistors for Enzyme Immobilized Biosensor

K. S. Song, H. Kawarada et al.

Jpn. J. Appl. Phys. (Express Letter)432004年06月-

Diamond field effect transistors using H-terminated surfaces

H. Kawarada

Thin-Film Diamond II Semiconductors and Semimetals77p.311 - 3382004年-

Large-Area Synthesis of Carbon Nanofibers by Low-power Microwave Plasma Assistant CVD

G. Zhong, M. Tachiki, H. Umezawa, T. Fujisaki, H. Kawarada, I. Ohdomari

Chem. Vapor Depos.(10 (3))p.1252004年-

Memory effect of diamond in-plane-gated field-effect transistors

Y. Sumikawa, K. Kobayashi, Y. Itoh, H. Umezawa, H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.(85 (1))p.139 - 1412004年-

Over 20 GHz Cut-Off Frequency Deep Sub-micron Gate Diamond MISFET

H. Matsudaira, S. Miyamoto, H. Ishizaka, H. Umezawa, H. Kawarada

IEEE Elect. Dev. Lett.(25 (7))p.480 - 4822004年-

Superconductivity in diamond thin films well above liquid helium temperature

M. Nagao, I. Sakaguchi, M. Tachiki, T. Hatano, K. Kobayashi, H. Umezawa, H. Kawarada

Appl. Phys. Lett.(85 (14))p.2851 - 28532004年-

Synthesis of highly oriented and dense conical carbon nanofibers by a DC bias-enhanced microwave plasma CVD method

T. Iwasaki, H. Kawarada, I. Ohdomari

Thin Solid Films Films464(65)p.315 - 3182004年-

ダイヤモンドにおけるキャリア輸送特性とFETへの応用

川原田洋, 梅沢仁

応用物理73(3)p.339 - 3452004年-

多結晶ダイヤモンド表面を用いた電解質溶液FETsのバイオセンサへの応用

宋光燮, 中村雄介, 出川宗則, 佐々木順紀, 梅沢仁, 川原田洋

日本結晶成長学会論文誌31(4)p.335 - 3402004年-

Cl-Sensitive Biosensor used Electrolyte-Gate Diamond FETs

K. S. Song, T. Sakai, H. Kanazawa, Y. Araki, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Biosens. Bioelectron192003年11月-

Cryogenic Operation of Diamond Field-Effect Transistors

H. Ishizaka, M. Tachiki, K. S. Song, H. Umezawa, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.122003年10月-

Deep Sub-micron Gate Diamond MISFETs

H. Matsudaira, T. Arima, H. Ishizaka, H. Umezawa, M. Tachiki, S. Miyamoto, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.122003年10月-

Nonlinear Increase of Excitonic Emission in Synthetic Type IIa Diamond

K. Nakazawa, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.122003年10月-

Ozone-Treated Channel Diamond Field-Effect Transistors

T. Sakai, K. S.. Song, H. Kanazawa, Y. Nakamura, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.122003年10月-

RF Performance of Diamond Surface-Channel Field-Effect Transistors

H. Umezawa, S. Miyamoto, H. Matsudaira, H. Ishizaka, K.S. Song, M. Tachiki and H. Kawarada

IEICE Trans. Electr.E86C2003年10月-

Diamond Nanofabrication and Characterization for Biosensing Application

M. Tachiki, Y. Kaibara, Y. Sumikawa, M. Shigeno, T. Banno, K. S. Song, H. Umezawa, H. Kawarada

Phys. Stat. Sol. (a)1992003年09月-

Electron-spectroscopy and-diffraction study of the conductivity of CVD diamond(001)2×1 surface

S. Kono, T. Takano, M. Shimomura, T. Goto, K. Sato, T. Abukawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Surface Science529p.180 - 1882003年04月-

水素終端表面伝導層を用いた高周波ダイヤモンドFET

梅沢仁、石坂博明、宮本真吾、宋光燮、立木実、川原田洋

電子情報通信学会論文誌CJ86-C2003年04月-

Cathodoluminescence and Hall-effect measurements in sulfur-dopedchemical-vapor-deposited diamond

K. Nakazawa, M. Tachiki, H. Kawarada, A. Kawamura, K. Horiuchi, T. Ishikura

Appl. Phys. Lett.82p.2074 - 20762003年03月-

Control wettability of the hydrogen-terminated diamond surface and the oxidized diamond surface using an atomic force microscope

Y. Kaibara, K. Sugata, M. Tachiki, H. Umezawa, H. Kawarada

Diamond and Related Materials12p.560 - 5642003年03月-

Effect of iodide ions on the hydrogen-terminated and partially oxygen-terminated diamond surface

H. Kanazawa, K. S. Song, T. Sakai, Y. Nakamura, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Diamond and Related Materials12p.618 - 6222003年03月-

Fabrication of diamond in-plane-gated field effect transistors using oxygen plasma etching

T. Banno, M. Tachiki, K. Nakazawa, Y. Sumikawa, H. Umezawa, H. Kawarada

Diamond and Related Materials12p.408 - 4122003年03月-

High Performance Diamond MISFETs using CaF2 Gate Insulator

S. Miyamoto, H. Matsudaira, H. Ishizaka, K. Nakazawa, H. Taniuchi, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Diam. Relat. Mater.12p.399 - 4022003年03月-

Initial growth of heteroepitaxial diamond on Ir(001)/MgO(001) substrates using antenna-edge-type microwave plasma assisted chemical vapor deposition

T. Fujisaki, M. Tachiki, N. Taniyama, M. Kudo, H. Kawarada

Diamond and Related Materials12p.246 - 2502003年03月-

Electron-Spectroscopy and -Diffraction Study of the Conductivity of CVD Diamond (001) 2x1 Surface

S. Kono, T. Takano, M. Shimomura, T. Goto, K. Sato, T. Abukawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Surf. Sci.529p.180 - 1882003年-

水素終端表面伝導層を用いた高周波ダイヤモンドFET

梅沢仁、石坂博明、宮本真吾、宋光燮、立木実、川原田洋

電子情報通信学会論文誌CJ86-Cp.419 - 4252003年-

Fabrication of single-hole transistors on hydrogenated diamond surface using atomic force microscope

M. Tachiki, H. Seo, T. Banno, Y. Sumikawa, H. Umezawa, H. Kawarada

Appl.Phys.Lett.81p.2854 - 28562002年10月-

Effect of Cl-Ionic Solutions on Electrolyte-Solution-Gate Diamond Field-Effect Transistors

T. Sakai, Y. Araki, H. Kanazawa, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

Jpn.J.Appl.Phys.41p.2595 - 25972002年04月-

High frequency performance of diamond field-effect transistor

Jpn.J.Appl.Phys.41p.2591 - 25942002年04月-

RF performance of high transconductance and hifh channel mobility surface-channel polycrystalline diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors

H. Umezawa, T. Arima, N. Fujihara, H. Taniuchi, H. Ishizaka, M. Tachiki, C. Wild, P. Koidl, H. Kawarada

Jpn.J.Appl.Phys41p.2611 - 26142002年04月-

DC and RF characterisitics of 0.7-μm-gate length diamond metal-insulater-semiconductor field-effect transistor

H. Ishizaka, H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, N. Fujihara, M. Tachiki H. Kawarada

Diamond Relat.Mater.11p.378 - 3812002年03月-

Fabrication of diamond single hole transistor using AFM anodization process

T. Banno, M. Tachiki, H. Seo, H. Umezawa, H. Kawarada

Diamond Relat.Mater.11p.387 - 3912002年03月-

Fabrication of heteroeoitaxial diamond thin films on Ir(001)/MgO(001) substrates using antenna-edge type microwave plasma assisted chemical vapor deposition

T. Fujisaki, M. Tachiki, N. Taniyama, M. Kudo, H. Kawarada

Diamond Relat. Mater.11p.478 - 4812002年03月-

RF performance of diamond MISFETs

H. Umezawa, H. Taniuchi, H. Ishizaka, T. Arima, N. Fujihara, M. Tachiki, H. Kawarada

IEEE Elect.Dev.Lett.EDL-23p.121 - 1232002年03月-

Electron spectroscopy and diffraction study of the origin of CVD diamond surface conductivity

S. Kono, T. Takano, M. Shimomura, T. Goto, K. Sato, T. Abukawa, M. Tachiki, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.13(5)p.247 - 2552002年-

HIgh Performance Diamond Field-Effect Transistors on Hydrogen-Terminated Surface-Channel

H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, H. Ishizaka, N. Fujihara, Y. Ohba, M. Tachiki, H. Kawarada

IEEJC-122p.10 - 162002年-

Heteroepitaxial diamond thin film growth on Ir(001)/MgO(001) substrate by antenna-edge plasma assisted chemical vapor deposition (St. Elmo CVD)

M. Tachiki, T. Fujisaki, N. Taniyama, M. Kudo, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.12(6)p.333 - 3412002年-

Heteroepitaxial diamond thin film growth on Ir(001)/MgO(001) substrate by antenna-edge plasma assisted chemical vapor deposition(St.Elmo CVD)

M. Tachiki, T. Fujisaki, N. Taniyama, M. Kudo, H. Kawarada

New Diamond and Frontier Carbon Technology(accepted)12(6)p.333 - 3412002年-

Heteroepitaxial diamond thin film growth on Ir(001)/MgO(001) substrate by antenna-edge plasma zssisted chemical vapor deposition

M. Tachiki, T. Fujisaki, N. Taniyama, M. Kudo, H. Kawarada

J.Crystal Growth237p.1277 - 12802002年-

Investigation of Current-Voltage Characteristics of Oxide Region induced by Atomic Force Microscope on Hydrogen-Terminated Diamond Surface

H. Seo, M. Tachiki, T. Banno, Y. Sumikawa, H. Umezawa, H. Kawarada

Jpn.J.Appl.Phys.41p.4980 - 49822002年-

Low-temperature operation of diamond surface-channel field-effect transistors

Mat.Res.Soc.Symp.Proc719p.139 - 1432002年-

Microwave performance of diamond field-effect transistors

H. Taniuchi, H. Umezawa, H. Ishizaka, H. Kawarada

J.J.A.P., PART 141(4B)p.2591 - 25942002年-

Nano Scale Insulation on the Hydrogen-Terminated Diamond Surface using Atomic Force Microscope

K. Sugata, M. Tachiki, T. Fukuda, H. Seo, H. Kawarada

Jpn.J.Appl.Phys.41p.4983 - 49862002年-

ダイヤモンド表面のエレクトロニクス・バイオ応用

表面科学23(-7)p.411 - 4162002年-

Fabrication of Sub-0.1 µm Channel Diamond MISFET

H. Umezawa, H. Kawarada

Mat.Res.Soc.Sympo.Proc/Materials Research Society2001年09月-

Nanodevice Fabrication on Hydrogenated Diamond Surface using Atomic Force Microscope

Mat.Res.Soc.Sympo.Proc/Materials Research Society2001年09月-

Cathodoluminescence of Phosphorus Doped (111) Homoepitaxial Diamond Thin Films

K. Tanabe, K. Nakazawa, J. Susantyo, H. Kawarada, S. Koizumi

Diamond Relat. Mater./Elsevier102001年08月-

High-Frequency Applications of diamond MESFETs

H. Taniuchi, H. Umezawa, T. Arima, M. Tachiki, H. Kawarada

IEEE Electron Device Lett./IEEEEDL-22(8)2001年08月-

Potential Applications of Surface Channel Diamond Field Effect Transistors

H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, M. Tachiki, H. Kawarada

Diamond Relat. Mater/Elsevier 102001年08月-

Diamond Deposition on a Large-Area Substrate by Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition Using an Antenna-Type Coaxial Microwave Plasma Generator

N. Taniyama, M Kudo, O. Matsumoto, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys./The Institute of Pure and Applied Physics40(7A)p.L698 - 7002001年07月-

Characterization of Diamond Surface-Channel Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with Device Simulation

K. Tsugawa, H. Umezawa, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys./The Institute of Pure and Applied Physcis40p.3101 - 31072001年05月-

Electrolyte-Solution-Gate FETs Using Diamond Surface for Biocompatible Ion Sensors

H. Kawarada, Y. Araki, T. Sakai, T. Ogawa, H. Umezawa

Phys.Stat.Sol.(a)/Wiley185(1)p.79 - 832001年05月-

High-Performance Surface-Channel Diamond Field-Effect Transistors”,

Proc.SiC & Relat.Mater.(ECSCRM2000),Mater.Sci.Forum/Trans Tech353-356p.815 - 8182001年05月-

表面伝導層を用いたダイヤモンド電子デバイス

川原田洋, 立木実, 梅沢仁

応用物理/応用物理学会70(5)p.536 - 5412001年05月-

ダイヤモンド・ナノテクノロジー

川原田洋

NTTサイエンスフォーラム第12回2001年04月-

Excitonic recombination radiation in phosphorus-doped CVD diamonds

K. Nakazawa, K. Tanabe, M. Tachiki, H. Kawarada, S. Koizumi

Phys.Rev.B64p.2352032001年-

High FreQuency Application of High Transconductance Surface-Channel Diamond Field-Effect Transistors

Proc.2001 ISPSDp.195 - 1982001年-

High-Frequency Performance of Diamond Field-Effect Transistors

H. Taniuchi, H. Umezawa, T. Arima, M. Tachiki, H. Kawarada

IEEE Elect.Dev.Lett.22p.390 - 3922001年-

ダイヤモンドナノ加工技術

マテリアルインテグレーション 1447-512001年-

Cu/CaF2/Diamond Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor Utilizing Self-Aligned Gate Fabrication Process

H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, M. Tachiki, K. Tsugawa, S. Yamanaka, D. Takeuchi, H. Okushi, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys./The Institute of Pure and Applied Physics39(9)p.L908 - L9102000年09月-

Nanofabrication on Hydrogen-terminated Diamond Surface by AFM-probe-induced Oxidation

M. Tachiki, T. Fukuda, K. Sugata, H. Seo, H. Umezawa, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys./The Institute of Pure and Applied Physics39(7)p.4631 - 46322000年07月-

Surface Order Evaluation of the Heteroepitaxial Diamond Film Growth on an Inclined β-SiC(001)39

S. Kono, T. Goto, T. Abukawa, C. Wild, P. Koidl, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys./The Institute of Pure and Applied Physics39(7)p.4372 - 46732000年07月-

Control of Adsorbates and Conduction on CVD-grown Diamond Surface Using Scanning Probe Microscope

M. Tachiki, T. Fukuda, K. Sugata, H. Seo, H. Umezawa, H. Kawarada

Appl. Surf. Sci./Elsevier159-160p.578 - 5822000年06月-

Surface Channel Diamond Field Effect Transistors and Their Applications(invited paper)

Proc 1st Int. Workshop on Ultra-Low-Loss Pow. Dev. Tech.p.112 - 1152000年05月-

Cluster calculations of diamond-SiC and -Si interface structures

Morita, K. Hine, K. Tsugawa, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.31 - 312000年-

Control of diamond surface properties by AFM

H. Seo, M. Tachiki, T. Fukuda, K. Sugata, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.43 - 432000年-

Cu/CaF2/diamond MISFET utilizing self-aligned gate process

H. Taniuchi, T. Arima, H. Umezawa, M. Tachiki, K. Tugawa, S. Yamanaka, D. Takeuchi, H. Okushi, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.55 - 552000年-

Device simulations of diamond surface-channel FETs with quantum transport model

Y. Ohba, S. Sen, K. Tsugawa, H. Taniuchi, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.57 - 572000年-

Diamond ISFET in alkaline solution

T. Ogawa, Y. Araki, M. Tachiki, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.58 - 582000年-

High-Performance Surface-Channel Diamond Field-Effect Transistors

Proc.Silicon Carbide and Related Materials,ECSCRM2000 Mater.Sci.Forum353-356p.815 - 8182000年-

High-performance surface-channel diamond field-effect transistors

H. Umezawa, H. Taniuchi, T. Arima, M. Tachiki, H. Okushi, H. Kawarada

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, ECSCRM2000 MATERIALS SCIENCE FORUM353(3)p.815 - 8182000年-

Nanofabrication on the surface of the hydrogen-terminated diamond with the scanning probe microscope and I-V characteristics of the surface conductive layer

Sugata, M. Tachiki, H. Umezawa, T. Fukuda, H. Seo, T. Arima, H. Taniuchi, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.44 - 442000年-

Oxygen plasma etching of polycrystalline diamond

K. Tanabe, H. Umezawa, M. Tachiki, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.54 - 542000年-

The reduction of parasitic resistance by improving the diamond FET fabrication process

T. Arima, H. Taniuchi, H. Umezawa, M. Tachiki, K. Tsugawa, S. Yamanaka, D. Takeuchi, H. Okushi, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.10(1)p.56 - 562000年-

High-Performance Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with 1 μm Gate Length

H. Umezawa, K. Tsugawa, S. Yamanaka, D. Takeuchi, H. Okushi, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys /応用物理学会38(11A)p.L1222 - 12221999年11月-

High Performance Diamond Field Effect Transistors Using Hydrogen-Terminated Surfaces for Electron Device and Sensor Applications

Proc ADC/FCT'99/NEDO,JFCCp.134 - 1371999年09月-

High-Performance Diamond Surface-Channel Field-Effect Transistors and Their Operation Mechanism

K. Tsugawa, K. Kitatani, H. Noda, A. Hokazono, K. Hirose, M. Tajima, H. Kawarada

Diamond and Related Materials/Elsevie8p.927 - 9331999年07月-

MOSFETs on Polished Surfaces of Polycrystalline Diamond

K. Kitatani, H. Umezawa, K. Tsugawa, K. Ueyama, T. Ishikura, S. Yamashita, H. Kawarada

Diamond and Related Materials/Elsevier8p.1831 - 18331999年07月-

Surface p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors Fabricated on Hydrogen-Terminated (001) Surfaces of Diamond

A. Hokazono, K.Tsugawa, H.Umezawa, K.Kitatani, H.Kawarada

Solid State Electronics /Pergamon43p.1465 - 14711999年04月-

Cathodoluminescence of phosphorus-doped {111} homoepitaxial diamond thin films

Sato, K. Tanabe, S. Egawa, T. Tsubota, S. Morooka, J. Hojyo, H. Maeda, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.9(2)p.123 - 1251999年-

Cluster calculations of diamond-SiC interface structures

K. Morita, K. Tsugawa, Y. Yamamoto, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.9(2)p.157 - 1571999年-

Device simulations of diamond surface-channel MESFETs

K. Tsugawa, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.9(2)p.154 - 1551999年-

Fabrication of 1 mu m gate diamond FET using self-aligned gate process

H. Umezawa, K. Kitatani, K. Kinumura, N. Seto, K. Tsugawa, H. Kawarada

New Diam. Front. C. Tech.9(2)p.151 - 1531999年-

Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors on Hydorgen-Terminated Diamond Surfaces

Diamond Films and Technolog./MYU8(4)p.289 - 2971998年10月-

Application and Device Modeling of Diamond FET Using Surface Semiconductive Layers

K. Tsugawa, H. Noda, A. Hokazono, K. Kitatani, K. Morita, H. Kawarada

Electronics and Communication in Japan, PartII: Electronics/電子情報通信学会81(7)p.19 - 271998年07月-

Surface Morphology and Surface p-Channel Field Effect Transistor on the Heteroepitaxial Diamond Deposited on Inclined b-SiC(001) Surfaces

H. Kawarada, C. Wild, N. Herres, P. Koidll, Y. Mizuochi, A. Hokazono H .Nagasawa

Appl. Phys. Lett./米国物理学会72(15)p.1878 - 18801998年04月-

ｐ型半導体ダイヤモンドとその応用

ニューセラミックス＆エレクトロニクセラミクス／ティー・アイ・シー11(3)1998年03月-

ダイヤモンド電界効果トランジスタの現状と将来

川原田洋

応用物理(総合報告)/応用物理学会67(2)p.128 - 1381998年02月-

MESFETs and MOSFETs on Hydrogen-Terminated Diamond Surfaces

K. Tsugawa, A. Hokazono, H. Noda, K. Kitatani, K. Morita, H. Kawarada

Materials Science Forum/Trans Tech Publications264-268p.977 - 9801998年01月-

ダイヤモンド表面チャネル型ＦＥＴ　−その動作機構と応用−

電子情報通信学会論文誌／電子情報通信学会J81(C-II)p.172 - 1791998年01月-

Application and device modeling of diamond FET using surface semiconductive layers

K. Tsugawa, H. Noda, A. Hokazono, K. Kitatani, K. Morita, H. Kawarada

Elect. Comm. Jpn.PART II81(7)p.19 - 271998年-

Metal-semiconductor field-effect transistors on hydrogen-terminated diamond surfaces

K. Tsugawa, K. Kitatani, H. Kawarada

Diam. Films Tech.8(4)p.289 - 2971998年-

Enhancement/Depletion Surface-Channel Field Effect Transistorsof Diamond and Their Logic Circuits

A. Hokazono, H. Kawarada

J. Appl. Phys./応用物理学会36(12A)p.7133 - 71391997年12月-

Surface Properties of Hydrogen-terminated Diamonds and Their Applications to Electron Devices

Proc. Int. School of Physics <<ENRICO Fermi>> /イタリア物理学会p.505 - 5351997年07月-

Comparative Study of Excitonic Recombination Radiation From Diamonds Grown by CVD and HP/HT Methods

T. Murakami, K. Nakamura, S. Yamashita, S. Takeuchi, M. Murakawa, H.Kawarada

Diam. Rel. Mat./Elsevier6p.1668 - 16731997年05月-

Heteroepitaxial Growth of Highly Oriented Diamond on Cubic Silicon Carbide

H. Kawarada, C. Wild, N. Herres, R. Locher, P. Koidl, H. Nagasawa

J. Appl. Phys. /米国物理学会81(8)p.3490 - 34931997年04月-

Device modeling of high oerformance diamond MESFETs using p-type surface semiconductive layers

H. Noda, A. Hokazono, H. Kawarada

Diam.Relat.Mater.6(865)1997年-

Enchancement/depletion MESFETs of diamond and their logic circuits

A. Hokazono, T. Ishikura, K. Nakamura, S. Yamashita, H. Kawarada

Diam.Relat.Mater.6(339)1997年-

Heteroepitaxial growth of highly oriented diamond on cubic silicon carbide

H. Kawarada, C. Wild, N. Herres, R. Locher, P. Koidl, H. Nagasawa

J.Appl.Phys.81(3490)1997年-

Surface characterization of smooth heteroepitaxial diamond layers on beta-SiC(001)

Y. Mizuochi, H. Nagasawa, H. Kawarada

Diam.Relat.Mater.6(277)1997年-

Hydrogen-terminated Diamond Surfaces and Interfaces

H. Kawarada

Surf.Sci.Rep／ELSEVIER26(7)1996年12月-

Electron Affinity and Surface Re-ordering of Homoepitaxial Diamond (100)

Jpn.J.Appl.Phys.／応用物理学会35(10)1996年10月-

ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長の現状

フロンティア・カーボン・テクノロジー・シンポジウム／NEDO1996年10月-

Electrically Isolated Metal-Semiconductor Field Effect Transisitors and Logic Circuits on Homoepitaxial Diamonds

H. Kawarada, M.Itoh, A. Hokazono

Jpn.J.Appl.Phys.／応用物理学会35(9B)p.Ｌ1165 - Ｌ11681996年09月-

ダイヤモンドMESFETを用いた集積回路作製のための基礎技術とフリップフロップICメモリーの作製

SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会/応用物理学会1995年12月-

β-SiC(001)基板上のダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長

SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会/応用物理学会1995年12月-

素子分離されたデプレッションモードダイヤモンドMESFETの作製と評価II

第9回ダイヤモンドシンポジウム1995年11月-

表面伝導層ダイヤモンドMESFETを用いたフリップフロップICメモリーの作製

第9回ダイヤモンドシンポジウム1995年11月-

Scanning-tunneling-microscope observation of the homoepitaxial diamond (001)2x1 reconstruction observed under atmosheric pressure

H. Kawarada, H. Sasaki, A. Satoh

Phys. Rev. B/American Institute of Physics 52(15)1995年10月-

β-SiCをバッファ層としたSi(001)基板上でのダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長

日本結晶成長学会誌/アグネ22(4)1995年10月-

Device modeling of enhancement-mode diamond MESFET utilizing p-type surface semiconductive layers

Silicon Carbide and Related Materials 1995, Institute of Physics Conference Series/Institute of Physics Publishing1421995年09月-

Fabrication and characterization of metal-semiconductor field-effect transistor utilizing diamond surface-conductive layer

H. Itoh, H. Kawarada

Jpn. J. Appl. Phys. /応用物理学会34(9)1995年09月-

Fabrication of logic circuit using diamond metal-semiconductor field-effect transistor

Silicon Carbide and Related Materials 1995, Institute of Physics Conference Series/Institute of Physics Publishing1421995年09月-

Observation of dominant free exciton recombination from synthesized diamond by cathodoluminescence measurement

Silicon Carbide and Related Materials 1995, Institute of Physics Conference Series/Institute of Physics Publishing1421995年09月-

Scanning tunneling microscopy and spectroscopy for studying hydrogen-terminated homoepitaxial diamond surfaces

Silicon Carbide and Related Materials 1995, Institute of Physics Conference Series/Institute of Physics Publishing1421995年09月-

initial growth of heteroepitaxial diamond on Si(001) Substrates via β-SiC buffer

Jpn. J. Appl. Phys. /応用物理学会34(9)1995年09月-

Heteroepitaxial growth of tungsten carbide films on W(110) by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Jpn. J. Appl. Phys. /応用物理学会34(7)1995年07月-

Si基板上でのダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の作製

NEW DIAMOND/Japan New Diamond Forum1995年04月-

Multidirectional porous NiO nanoplatelet-like mosaics as catalysts for green chemical transformations

S.A.El-Safty, M.Khairy, M.Ismael, H.Kawarada

Applied Catalysis B: Environmental123p.162 - 173

Characterization of DNA Hybridization on Partially Aminated Diamond by Aromatic Compounds

. H. Yang, K. S. Song, G. J. Zhang, M. Degawa, Y. Sasaki, I. Ohdomari, H. Kawarada

Langmuir22p.11245 - 11250

Characterization of hybridization kinetics on functionalized diamond SGFETs for detecting single-mismatch oligonucleotides

J. H. Yang, K. S. Song, Y. Sasaki, M. Degawa, K. Furukawa, T. Hiraki, H. Kawarada

advanced functional materialssubmitted

Characterization of immobilized DNA on functionalized ultradispersed diamond

J. H. Yang, Y. Nakano, Y. Murakami, K. S. Song, H. Kawarada

Chem. Phys.Lett.submitted

Growth of Dense Single-walled Carbon Nanotubes in Nano-sized Silicon Dioxide Holes for Future Microelectronics

T. Iwasaki, R. Morikane, T. Edura, M. Tokuda, K. Tsutsui, Y. Wada, H. Kawarada

Carbonsubmitted

Label-free DNA sensors using diamond FETs

K. S. Song, G. J. Zhang, Y. Nakamura, K. Furukawa, T. Hiraki, J. H. Yang, I.Ohdomari, H. Kawarada

Phys. Rev. E74(4)p.41919

書籍等出版物

ポストシリコン半導体　−ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果−

財満鎭明、川原田　洋　ほか

株式会社　エヌ・ティー・エス2013年 06月-

ISBN：978-4-86469-059-1

マイクロアレイ・バイオチップの最新技術

川原田洋

シーエムシー出版2008年-

ISBN：978-4-88231-986-3

ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線

久我翔馬, 梁正勲, 川原田洋

シーエムシー出版2008年-

ISBN：978-4-7813-0049-8

Low-Pressure Synthetic Diamond

Bernhard Dischler, Christoph Wild（共著）

Springer-Verlag1998年 08月-

Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors

Satoshi Koizumi, Hitoshi Umezawa, Julien Pernot and Mariko Suzuki(共著)

Woodhead Publishing2018年 06月-2018年 06月

単行本（学術書）総ページ数：452担当ページ数：347-358ISBN：978-0-08-102183-5

講演・口頭発表等

Exploring the potential of heteroepitaxial diamond as field effect transistor

M. Syamsul and H. Kawarada

2018 E-MRS Fall Meeting & Exhibit招待有り2018年09月17日

国際会議口頭発表（招待・特別）開催地：Warsaw, Poland

Vertical-Type 2DHG Diamond MOSFETs with a Few Micro Meter Length Trench Structure

M. Iwataki, N. Oi, K. Horikawa, S. Amano, T. Kageura, M. Inaba, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tokyo, Japan

Normally-Off 2DHG Diamond Al2O3/SiO2 MOSFETs without deteriorating Drain Current Density

T. Yabe, N. Oi, J. J. Buendia, S. Okubo, K. Horikawa, T. Kageura, S. Kono, A. Hiraiwa , H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tokyo, Japan

High-bias-instability Al2O3 films formed by high-temperature annealing after atomic layer deposition

K. Horikawa, A. Hiraiwa, S. Okubo,T. Kageura and H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

国際会議ポスター発表開催地：Tokyo, Japan

New Glass-less pH Sensing System Using Diamond Electrolyte Solution Gate FETs (SGFETs) and Vessel Gate

Y. Iyama, S. Falina, Y. Shintani, H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tokyo, Japan

Properties of Shallow Nitrogen Vacancy Centers in Nitrogen Terminated Diamond and Detection of Nuclear Magnetic Resonance

T. Sonoda, S. Kawai, H. Yamano, K. Kato, J. J. Buendia, T. Kageura,Y. Ishii, K. Nagaoka, R. Fukuda, T. Okada, M. Haruyama, T. Tanii, K. Yamada, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Stacey, T. Teraji, S. Kono, J. Isoya, H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tokyo, Japan

Superconducting Boron-doped Diamond Josephson Junction Operating above Liquid He Temperature, 4.2K

S. Amano, T. Kageura, I. Tsuyuzaki, M. Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa, H. Osato, D. Tsuya, Y. Takano, H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tokyo, Japan

RF Performance of ALD-Al2O3 2DHG Diamond MOSFETs at High Voltage Operation for High Output Power

S. Imanishi, N. Oi, S. Okubo, K. Horikawa, T. Kageura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)2018年09月09日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tokyo, Japan

Superconductivity in high quality single crystal boron-doped diamond films with Tc above 10K

T. Kageura, I. Tsuyuzaki, T.Yamaguchi, Y. Takano and H.Kawarada

29th International Conference on Diamond and Carbon Materials2018年09月02日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Dubrovnik, Croatia

相補型パワーインバータに向けたダイヤモンド2次元正孔ガス高耐圧電界効果トランジスタ

川原田　洋

第46回薄膜・表面物理セミナー(応用物理学会薄膜・表面物理分科会)招待有り2018年07月18日

国内会議口頭発表（招待・特別）開催地：東京

ダイヤモンドパワー電界トランジスタの進展

川原田洋, 大井信敬, 畢　特, 今西祥一朗, 岩瀧雅幸, 矢部太一, 平岩篤

電子情報通信学会エレクトロニクスソサイティ　シリコン材料・デバイス(SDM)研究会招待有り2018年06月25日

国内会議口頭発表（招待・特別）開催地：名古屋大学、愛知

Recent Progress of Diamond 2DHG p-FETs for Complementary High Voltage Inverter Application

H. Kawarada

International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics(SCDE 2018),招待有り2018年06月09日

国際会議口頭発表（基調）開催地：Xi'an, China

Superconductivity in Thin- and Micro-Structured Boron-Doped Diamond

T. Kageura, M. Hideko, I. Tsuyuzaki, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi and H.Kawarada

The 12th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2018)2018年05月20日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Arizona, USA

Solution Giant Gate Graphene FET (G3FET) pH Sensor

Syamsul Mohd, Shaili Falina, M. Hasegawa, Y. Koga, H. Kawarada

The 12th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2018)2018年05月20日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Arizona, USA

ダイヤモンド２次元正孔ガスFETを利用した相補型パワーインバータへの応用

川原田　洋

東北大学電気通信研究所－早稲田大学ナノ･ライフ創新研究機構　共同プロジェクト研究(H29/S2, ナノエレクトロニクスに関する連携研究)　平成29年度研究会2017年12月27日

国内会議口頭発表（一般）開催地：仙台市、宮城県

Device Simulation of Several C-H MOSFETs Diamond Substrates via Two-Dimensional Negatively Charged Sheet Model

J.J. Buendia, M. Shibata, M. Syamsul, H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting & Exhibit2017年11月26日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Charge Stability and Coherence Property of Shallow Nitrogen Vacancy Center in Nitrogen Terminated Diamond for DNA Detection

S. Kawai, H. Yamano, T. Sonoda, K.Kato, J. J. Buendia, E. Suaebah, T. Kageura, M. Inaba, R. Fukuda, T. Okada, M. Haruyama, T. Tanii, K. Yamada, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Stacey, T. Teraji, S. Kono, J. Isoya, H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting & Exhibit2017年11月26日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Single Crystalline Boron-Doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices

I. Tsuyuzaki, T. Kageura, M. Hideko, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M.Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa, H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting Exhibit2017年11月26日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Vertical-Type 2DHG Diamond MOSFETs

N. Oi, T. Kudo, T. Muta, S. Okubo, I. Tsuyuzaki, T. Kageura, M. Inaba, S. Onoda, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting & Exhibit2017年11月26日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Leakage-Current Reduction in Atomic-Layer-Deposition Al2O3 Films by Al gate/Al2O3 Interface Engineering Using O3 Treatment

S. Okubo, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting& Exhibit2017年11月26日

国際会議ポスター発表開催地：Boston, USA

Effective Boron-Doping Method Using Custom-Built MPCVD System for High Tc Superconducting Diamond

T. Kageura, M. Hideko, I. Tsuyuzaki, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, H.Kawarada

2017 MRS Fall Meeting & Exhibit2017年11月26日

国内会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Time-Dependent Dielectric Breakdown of Atomic-Layer-Deposition Al2O3 Films Formed on GaN

A. Hiraiwa, T. Sasaki, S. Okubo, H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting & Exhibit2017年11月26日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Diamond Power p-FETs Using Two-Dimensional Hole Gas for Complementary High Voltage Inverter

H. Kawarada

2017 MRS Fall Meeting& Exhibit招待有り2017年11月26日

国際会議口頭発表（招待・特別）開催地：Boston, USA

高耐圧ダイヤモンドFETの縦型，ノーマリオフ，低オン抵抗への検討

川原田洋

応用物理学会先進パワー半導体分科会第4回講演会招待有り2017年11月02日

国内会議口頭発表（招待・特別）開催地：名古屋国際会議場(名古屋）

Heavily boron-doping for power electronics and superconductivity

T. Kageura, Y. Takano, H. Kawarada

OIST Diamond Workshop 20172017年10月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Okinawa, Japan

Vertical Diamond MOSFETs, present characteristics and future perfomance

H. Kawarada

OIST Diamond Workshop 20172017年10月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Okinawa, Japan

Normally-off Diamond p-FET Application in Cascode with Breakdown Voltage over 1.7 KV

Te Bi, Junxiong Niu, Nobutaka Oi, Masafumi Inaba, Toshio Sasaki, Hiroshi Kawarada

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 20172017年09月30日

国際会議ポスター発表開催地：Nagoya, Japan

Growth of Diamond Nanocylinder Forest Using Template-Assisted Antenna-Edge Type Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

W. Fei, M.Inaba, Y.Hirano, H.Masuda , H.Kawarada

International conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)/iLIM-22017年09月29日

国際会議ポスター発表開催地：Nagoya, Japan

Single Crystalline Boron-doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices

T.Kageura, I.Tyuyuzaki, M.Hideko, Y.Sasama, T.Yamaguchi, Y.Takano, M.Tachiki, S.Ooi, K.HIrata, S.Arisawa, H.Kawarada

International conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)/iLIM-22017年09月29日

国際会議ポスター発表開催地：Nagoya, Japan

Current Conduction in Al2O3 Films Formed by Atomic Layer Deposition Using Water and Ozone as Oxidant

A. Hiraiwa , S. Okubo, D. Matsumura, and H. Kawarada

International conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)/iLIM-22017年09月29日

国際会議ポスター発表開催地：Nagoya, Japan

Diamond Transistors for Power Electronics and Biosensing

H. Kawarada

International conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017)/iLIM-2招待有り2017年09月29日

国際会議口頭発表（招待・特別）開催地：Nagoya, Japan

Common Gate Boron Doped Diamond (BDD) Solution Gate FET for pH sensor

M.Shaili, Y.Shintani, H.Kawarada

The 2017 international conference on Soild State Devices and Materials2017年09月19日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Sendai, Japan

Normally-off Diamond p-FET Application in Cascode with Breakdown Voltage over 1.7KV

Te Bi, Junxiong Niu, Nobutaka Oi, Masafumi Inaba, Toshio Sasaki, Hiroshi Kawarada

The 2017 international conference on Soild State Devices and Materials2017年09月19日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Sendai, Japan

Current conduction in H2O-grown ALD-Al2O3 films on Si substrate

S.Okubo, D.Matsumura, K.Horikawa, A.Hiraiwa, H.Kawarada

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials2017年09月19日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Sendai, Japan

Boron-doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices with Two Step-Edge Josephson Junctions

I. Tsuyuzaki, T. Kageura, M. Hideko, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M. Tachiki, K. Hirata, S. Ooi, S. Arisawa, H. Kawarada

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials2017年09月19日

国際会議ポスター発表開催地：Sendai, Japan

Charge Stability of Shallow Nitrogen Vacancy Center in Diamond with Radical Exposure Nitridation Surface for DNA Detection

S. Kawai, H. Yamano, T. Sonoda, M. Kajiya, K.Kato, J. J. Buendia, T. Kageura, M. Inaba, R. Fukuda, T. Okada, I. Higashimata, M. Haruyama, T. Tanii, K. Yamada, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Stacey, T. Teraji, S. Kono, J. Isoya, H. Kawarada

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials2017年09月19日

国際会議ポスター発表開催地：Sendai, Japan

Vertical-type 2DHG Diamond MOSFETs

N. Oi, T. Kudo, T. Muta, S. Okubo, I. Tsuyuzaki, T. Kageura, M. Inaba, S. Onoda, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials2017年09月19日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Sendai, Japan

Normally-off and vertical diamond power FETs using 2 dimensional hole gas

H. Kawarada

2017 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE2017）招待有り2017年06月10日

国際会議口頭発表（基調）開催地：Xi’an, China

Normally-off Diamond p-FET Application in Cascode with 1735 V Breakdown Voltage

Te Bi, J. Niu, N. Oi, M. Inaba, T. Sasaki, H. Kawarada

The 11th New Diamond and Nano Carbons 20172017年05月28日

国際会議ポスター発表開催地：Cairns, Australia

Precise Control of Voltage Threshold by Electrochemical Oxygen Termination Boron-doped Diamond Solution- Gate Field Effect transistor (SGFET) for PH sensor

M.S Shaili, T. Naramura, M.Inaba, Y.Shintani, H.Kawarada

The 11th New Diamond and Nano Carbons 20172017年05月28日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Cairns, Australia

Heteroepitaxial diamond FET for power electronics application

M.Syamsul, J.J. Buendia, N. Oi, S. Okubo, H.Kawarada

The 11th New Diamond and Nano Carbons 20172017年05月28日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Cairns, Australia

Superconducting Single Crystal Diamond SQUID

T.Kageura, M.Hideko, I.Tsuyuzaki, Y.Sasama, T.Yamaguchi, Y.Takano, M.Tachiki, S.Ooi, K.Hirata, S.Arisawa, H.Kawarada

The 11th New Diamond and Nano Carbons 20172017年05月28日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Cairns, Australia

N-V中心NMRのためのダイヤモンド表面の電荷安定性

川原田洋, 山野颯, 河合空, 梶家美貴, 加藤かなみ, 蔭浦泰資, 稲葉優文, 岡田拓真, 東又格, 春山盛善, 谷井孝至, 山田圭介, 小野田忍, 寺地徳之, 加田渉, 花泉修, 磯谷順一

第64回応用物理学会春季学術講演会2017年03月14日

国内会議口頭発表（一般）開催地：横浜市、神奈川

Normally-off Diamond MOSFETs in Cascode Configuration with Breakdown Voltage over 1.7kV

J. Niu, T. Bi, D. Matsumura, T. Kudo, M. Inaba, T. Sasaki and H.Kawarada

Hasselt Diamond Workshop 2017 - SBDD XXII2017年03月08日

国際会議ポスター発表開催地：Hasselt, Belgium

Amine termination of Nanocrystalline Diamond surface by Nitrogen Radical Beam (NRB) for Biosensing Application

E. Suaebah Y. Seshimo，T. Naramura, M. Hasegawa, H. Kawarada

7th Annual Basic Science International Conference2017年03月07日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Malang, Indonesia

2次元正孔ガス層による耐圧>1600VダイヤモンドpチャネルMOSFET

川原田洋, 北林祐哉, 柴田将暢, 松村大輔, 工藤拓也, 牟田翼, 大井信敬, 稲葉優文, 平岩篤

「電子デバイス界面テクノロジー研究会—材料・プロセス・デバイス特性の物理—」（第22回研究会)2017年01月19日

国内会議口頭発表（一般）開催地：三島市、静岡県

Boron-doped diamond SQUID with regrowth-induced step edge structure Josephson junction

M. Hideko, T. Kageura, I. Tuyuzaki, M. Shibata, Y. Kitabayashi, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa, H. Kawarada

IWSRFM 2016(International Workshop on Superconductivity and Related Functional Materials)2016年12月20日

国際会議ポスター発表開催地：Tukuba, Japan

Lattice strain in superconducting boron-doped diamond

T. Kageura, M. Shibata, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, H. Kawarada

IWSRFM 2016 (International Workshop on Superconductivity and Related Functional Materials)2016年12月20日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tsukuba, Japan

Stacking Faults and Twins Induced by Lattice Relaxation in Superconducting Boron-Doped Diamond Synthesized by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

T. Kageura, M. Hideko, M. Shibata, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, H.Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

国際会議ポスター発表開催地：Boston, USA

Diamond Nanocylinder Forest Formed by Porous Alumina Template

W. Fei, M. Inaba, Y. Hirano, H. Masuda, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

国際会議ポスター発表開催地：Boston, USA

Vertical MOSFETs-Using C-H Diamond with Trench-Channel

T. Muta, N. Oi, M. Inaba, T. Saito, D. Matsumura, T. Kudo, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

The Electron States of Shallow NV Centers after DNA Immobilization on Partially NH 2 Terminated Diamond

K. Kato, H. Yamano, T. Kageura, M. Inaba, M. Haruyama, Evi Suaebah, O.Hanaizumi, W. Kada, S. Onoda, T. Teraji, J. Isoya, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Common-Gate Measurement System of Solution-Gate Field-Effect Transistor for pH Sensing

K. Igarashi, T. Naramura, S. Falina, S. Abe, M. Inaba, Y. Shintani, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Charge State Stabilization of Shallow Nitrogen Vacancy Centers in Diamond by Oxygen Ambient Surface Modification

H. Yamano, K. Kato, T. Kageura, M. Inaba, T. Okada, I. Higashimata, M. Haruyama, T. Tanii, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, T. Teraji, J. Isoya, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

国際会議ポスター発表開催地：Boston, USA

Superconducting Boron-doped Diamond Josephson Junction with Regrowth-induced Step Edge Structure

M. Hideko, T. Kageura, I. Tuyuzaki, M. Shibata, Y. Kitabayashi, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Over 2000 V Breakdown Voltage of Normally-off C-H Diamond MOSFETs with high threshold voltage

T. Kudo, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, Y. Hayashi, M. Inaba, A. Hiraiwa H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Vertically Oriented Graphite Layer Formed on (001) Diamond by Hot Implantation and High Temperature Annealing

M. Inaba, H. Yamano, T. Kageura, and H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting& Exhibit2016年11月27日

国際会議ポスター発表開催地：Boston, USA

Atomic-Layer-Deposition Temperature Effect on Current Conduction in Al2O3 Films as Investigated Using Space-Charge-Controlled Field Emission Model

A. Hiraiwa, D. Matsumura, H. Kawarada

2016 MRS Fall Meeting & Exhibit2016年11月27日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Current Conduction in Atomic-Layer-Deposition Al2O3 as Investigated Based on Space-Charge-Controlled Field Emission Model

A. Hiraiwa, D. Matsumura, S. Okubo, H. Kawarada

The 1st International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-1)2016年10月17日

国際会議ポスター発表開催地：Osaka, Japan

Complementary Study for Effects of Annealing on Density and Pore Structures in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors

K. Ide, M. Ota , K. Takenaka, Y. Setsuhara , A. Hiraiwa, H. Kawarada , H. Hiramatsu, H. Hosono, T. Kamiya

The 1st International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-1)2016年10月17日

国際会議ポスター発表開催地：Osaka, Japan

Development of New Amorphous Oxide Semiconductor by Controlling Defects

T. Kamiya, K. Ide, H. Hiramatsu, Y. Setsuhara, A. Hiraiwa, H. Kawarada, H. Hosono

The 1st International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-1)2016年10月17日

国際会議ポスター発表開催地：Osaka, Japan

Gate Threshold Voltage Control of C-H Diamond MOSFETs

T. Kudo, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, Y. Hayashi, M. Inaba, A. Hiraiwa H. Kawarada

International Conference on Solid State Devices and Materials2016年09月26日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tsukuba, Japan

Planer Diamond P-channel MOSFETs with Breakdown Voltage VB > 1.8kV and High Drain Current Density by 2DHG

H.Kawarada, Y.Kitabayashi, M.Syamsul N.S.B., M.Shibata, D.Matsumura, T.Kudo, A.Hiraiwa

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials招待有り2016年09月26日

国際会議口頭発表（招待・特別）開催地：Tsukuba, Japan

Coherence Properties and Charge Stability of Shallow Implanted Nitrogen Vacancy Centers in 12C enriched Diamond

H. Yamano, K. Kato, T. Kageura, M. Inaba, T. Okada, I. Higashimata, M. Haruyama, T. Tanii, S. Onoda, W. Kada, O. Hanaizumi, T. Teraji, J. Isoya, H. Kawarada

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials2016年09月26日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tsukuba, Japan

Vertical MOSFET using C-H Diamond with Trench-channel

T. Muta, T. Saito, M. Inaba, D. Matsumura, T. Kudo, Y. Kitabayashi, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials2016年09月26日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tukuba, Japan

Superconducting (111) Boron-doped Diamond Josephson Junction with Regrowth-induced (001) Step Edge Structure

M. Hideko, T. Kageura, I. Tuyuzaki, M. Shibata, Y. Kitabayashi, Y. Sasama, T. Yamaguchi, Y. Takano, M. Tachiki, S. Ooi, K. Hirata, S. Arisawa and H. Kawarada

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials2016年09月26日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tukuba, Japan

High endurance white polycrystalline diamond FET for power device application

M.Syamsul, Y.Kitabayashi, D.Matsumura, H.Kawarada

2016. International Conference on Diamond and Carbon Materials2016年09月04日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Montpellier, France

Cost effective white polycrystalline diamond FET using 2D hole gas

M.Syamsul, Y.Kitabayashi, D.Matsumura, H.Kawarada

2016. NANO KOREA 2016 Symposium2016年07月13日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Ilsan, Korea

Diamond Power MOSFETs using 2 Dimensional Hole Gas

H. Kawarada

2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016）招待有り2016年07月04日

国際会議口頭発表（招待・特別）開催地：Hakodate, Japan

Amine termination of nanocrystalline diamond surface by nitrogen radical beam (NRB) for biosensing application

E. Suaebah , Y. Seshimo, T. Naramura, M. Hasegawa , H. Kawarada

10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC20162016年06月23日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Xi’an, China

Diamond MOSFETs Using 2D Hole Gas with 1700V Breakdown Voltage

H. Kawarada, T. Yamada, D. Xu, Y. Kitabayashi, M. Shibata, D. Matsumura, M. Kobayashi, T. Saito, T. Kudo, M. Inaba, A. Hiraiwa

28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs2016年06月12日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Prague, Czech Republic

Electric properties of Au ohmic-contact on hydrogen-terminated surface-conductive diamond (001)

S. Kono, M. Inaba, A. Hiraiwa, and H. Kawarada

10th Intern. Conf. New Diamond Nano Carbonds2016年05月22日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Xi'an China

Growth of diamond nanorods using antenna-edge-type microwave plasma-assisted chemical vapor deposition

W. Fei, M.Inaba, Y.Hirano, H.Masuda , H.Kawarada

10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC2016）2016年05月22日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Xi’an, China

Electric properties of Au ohmic-contact on hydrogen-terminated surface-conductive diamond (001)

S. Kono, M. Inaba, A. Hiraiwa, and H. Kawarada

10th Intern. Conf. New Diamond Nano Carbonds2016年05月22日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Xi'an China

Growth of diamond nanorods using antenna-edge-type microwave plasma-assisted chemical vapor deposition

W. Fei, M.Inaba, Y.Hirano, H.Masuda , H.Kawarada

10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC2016)2016年05月22日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Xi’an, China

Diamond as Power Electronics Platform

H. Kawarada, Y. Kitabayashi , M. Shibata , D. Matsumura , T. Saito , T. Kudo , T. Muta, M. Inaba , A. Hiraiwa

10th International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC2016)招待有り2016年05月22日

国際会議口頭発表（招待・特別）開催地：Xi’an, China

Normally-Off C-H Diamond MOSFET with the Breakdown Voltage of Above 2000V

H.Kawarada, Y.Kitabayashi, M.Shibata, Y.Hayashi, A.Hiraiwa

2016 MRS Spring Meeting & Exhibit2016年03月28日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Phoenix, USA

Physical Properties of Superconducting Boron-Doped Diamonds

T.Kageura, M.Shibata, M.Hideko, Y.Sasama, T.Yamaguchi, Y.Takano, H.Kawarada

2016 MRS Spring Meeting & Exhibit2016年03月28日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Phoenix, USA

Normally-Off C-H Diamond MOSFET with the Breakdown Voltage of Above 2000V

H.Kawarada, Y.Kitabayashi, M.Shibata, Y.Hayashi, A.Hiraiwa

2016 MRS Spring Meeting & Exhibit2016年03月28日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Phoenix, USA

Physical Properties of Superconducting Boron-Doped Diamonds

T.Kageura, M.Shibata, M.Hideko, Y.Sasama, T.Yamaguchi, Y.Takano, H.Kawarada

2016 MRS Spring Meeting & Exhibit2016年03月28日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Phoenix, USA

Direct partial CH3 termination into carboxyl terminated diamond surface for biosensor

E. Suaebah, T. Naramura,H. Kawarada

2016.The 6th Basic Science International Meeting2016年03月02日

国際会議ポスター発表開催地：Malang, Indonesia

Diamond functionalization for Biosensing Application

E. Suaebah, T. Naramura, M. Hasegawa, H. Kawarada

2016. The 6th Basic Science International Meeting2016年03月02日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Malang, Indonesia

Direct partial CH3 termination into carboxyl terminated diamond surface for biosensor

E. Suaebah, T. Naramura,H. Kawarada

2016.The 6th Basic Science International Meeting2016年03月02日

国際会議ポスター発表開催地：Malang, Indonesia

Diamond functionalization for Biosensing Application

E. Suaebah, T. Naramura, M. Hasegawa, H. Kawarada

2016. The 6th Basic Science International Meeting2016年03月02日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Malang, Indonesia

Metal-Catalyst Free Carbon Nanotube Growth from Templete Carbon Nanotube Forest Formed by SiC Surface Decomposition

Y. Hirano, M. Inaba, K. Suzuki, W. Fei, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

High-Reliability SiO2 Films Formed on Diamond by Thermal Oxidation of Si

T. Hara, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

C-H Diamond MOSFETs with 1.7 kV Breakdown Voltage and >190mA/mm Current Density

Y. Kitabayashi, T. Yamada, Dechen Xu, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Device Simulation of C-H Diamond MOSFETs based on 2DHG formed by 2D Fixed Negative Charge

M.Shibata, Y.Kitabayashi, A.Hiraiwa, H. Kawarada

2015年11月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Structural and Electrical Properties of Double-Domain Heteroepitaxial AlN on (001) Diamond Substrate

Y. Hayashi, W. Ono, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

High-Temperature Electric-Insulation Characteristics of High-Temperature-ALD-Grown Al2O3 Films

D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Trench-Channel Vertical MOSFET Using C-H Diamond Surface

T. Saito、M. Kobayashi, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, M. Inaba, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Diamond based Biosensor on Direct Carboxyl Termination for Biomolecule Activation

E. Suaebah, T. Naramura, M. Myodo, M. Hasegawa, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

High Voltage Breakdown 1.8 kV Hydrogenated Black Diamond Field Effect Transistor

M.Syamsul.N.B.S.B, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, T. Saito, H. Kawarada

2015 MRS Fall Meeting & Exhibit2015年11月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

New High-Temperature Instability of ALD-Al2O3 MIS Capacitors

D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

IWDTF （International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES SCIENCE AND TECHNOLOGY)2015年11月02日

国際会議ポスター発表開催地：Tokyo, Japan

Direct Partial CH3 Termination into Carboxyl

Evi Suaebah, T. Naramura, H. Kawarada

IEEE SENSORS 20152015年11月01日

国際会議ポスター発表開催地：Busan, South Korea

All-solid-State pH Sensor utilizing Termination-controlled Boron-doped Diamond Surface as pH-sensitive/pH-less-sensitive Interface

Y. Shintani, K. Ogawa, H. Kawarada

The 66th Annual Meeting of the International Society　of Electrochemistry2015年10月04日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Taiwan

Characterization of Polycrystalline Doped-diamond Electrolyte-solution-gate Field-effect Transistor pH Sensor with/without termination control

Y. Shintani, K. Ogawa, H. Kawarada

The 66th Annual Meeting　of the International Society　of Electrochemistry2015年10月04日

国際会議ポスター発表開催地：Taiwan

Schottky barrier height lowering at silicon carbide by carbon nanotubes

14.M. Inaba, K. Suzuki, Y. Hirano, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2015)2015年10月04日

国際会議ポスター発表開催地：Giardini Naxos, Italy

1.7 KV Breakdown C-H Diamond MOSFETs with High Drain Current Density

Y. Kitabayashi, T. Yamada, D. Xu, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa and H.Kawarada

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials2015年09月27日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Sapporo, Japan

Effect of Stacking Faults on Magnetic Flux Pinning in BoronDoped Superconducting Diamond Films

M. Shibata, T. Kageura, T. Yamaguchi, Y. Takano, and H. Kawarada

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials2015年09月27日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Sapporo, Japan

Trench-channel MOSFET using C-H Diamond Surface

T. Saito, M. Kobayashi, T. Yamada, D. Xu, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, M. Inaba, A. Hiraiwa,and H. Kawarada

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials2015年09月27日

国際会議ポスター発表開催地：Sapporo, Japan

High Voltage H-terminated Diamond MOSFETs using 2D Hole Gas with >1600V Breakdown and High Current Density

H. Kawarada T. Yamada, D. Xu, H. Tsuboi, Y. Kitabayashi, A. Hiraiwa

International Conference on Diamond and Carbon Materials招待有り2015年09月06日

国際会議口頭発表（招待・特別）開催地：Bad Homburg, Germany

Diamond transistors and superconducting devices for N-V center research

H. Kawarada

Diamond Quantum Sensing Workshop 20152015年08月05日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Takamatsu, Japan

Diamond surface fluorescence for device sensing

M. Inaba, H. Yamano, K. Kato, T. Kageura, M. Shibata, S. Onoda, T. Teraji, J. Isoya, T. Tanii, H. Kawarada

Diamond Quantum Sensing Workshop 20152015年08月05日

国際会議ポスター発表開催地：Takamatsu, Japan

Physical properties of superconducting diamond　for quantum devices

T.Kageura, M.Shibata, T.Yamaguchi, Y.Takano, H.Kawarada

Diamond Quantum Sensing Workshop 20152015年08月05日

国際会議ポスター発表開催地：Takamatsu, Japan

In-plane conductivity of carbon nanotube forest formed on silicon carbide

M. Inaba , C.-Y. Lee , K. Suzuki , H. Kawarada

The 6th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium2015年07月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tokyo, Japan

Lattice strain analysis of superconducting boron doped diamond

T. Kageura , M. Shibata , T. Yamaguchi , Y. Takano , H. Kawarada

The 6th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium2015年07月29日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Tokyo, Japan

Low Schottky barrier height at carbon nanotube and silicon carbide interface for power electronic devices

M. Inaba, K. Suzuki, M. Shibuya, C.-Y. Lee, Y. Masuda, N. Tomatsu, A.Hiraiwa, M. Kusunoki, H. Kawarada

NT15: The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes2015年06月29日

国際会議ポスター発表開催地：Nagoya, Japan

Carbon nanotubes growth by thermal CVD from the ends of CNT forest on SiC

Y. Hirano, M. Inaba, M Shibuya, K Suzuki, W Norimatsu, M Kusunoki, H Kawarada

NT15: The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes2015年06月29日

国際会議ポスター発表開催地：Nagoya, Japan

High-reliability Passivation of Diamond Surface Conduction Layer Using High-temperature H2O-oxidant ALD Growth of Al2O3

A. Hiraiwa, T. Saito, D. Matsumuara, and H. Kawarada

AVS 15th International Conference on Atomic Layer Deposition2015年06月28日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Portland, USA

Diamond Power MOSFETs with >1600V Breakdown Voltages and High Current Density

H. Kawarada

2015 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE 2015)招待有り2015年06月12日

国際会議口頭発表（基調）開催地：Xi'an, China

In plane conductivity of dense carbon nanotube forest Formed on silicon carbide for CNT contact evaluation

M. Inaba, K. Suzuki, Y. Hirano, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

AMDI-6:The 6th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structural Metallic and Inorganic Materials2015年06月09日

国際会議ポスター発表開催地：Tokyo, Japan

Lattice strain dependence of superconducting boron-doped diamond thin film critical thickness

T. Kageura, M. Shibata, T. Sasagawa, H.Kawarada

AMDI-6:The 6th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structural Metallic and Inorganic Materials2015年06月09日

国際会議ポスター発表開催地：Tokyo, Japan

Diamond Surface Functionalization Via Carboxyl Termination for ATP 16 Detection

E. Suaebah, T. Naramura, M. Myodo, M. Inaba, X. Wang, R. A. Rahim, H. Kawarada

9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons2015年05月24日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Shizuoka, Japan

High power diamond MOSFETs with >1600V breakdown and >100mA/mm current density

H. Kawarada, T. Yamada, D. Xu, H. Tsuboi, T. Saito, Y. Kitabayashi, A. Hiraiwa

9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons2015年05月24日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Shizuoka, Japan

Isotope analysis of diamond-surface passivation effect of Al2O3 formed using a high-temperature H2O-oxidant ALD method

A. Hiraiwa, T. Saito, D. Matsumuara, H. Kawarada

9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons2015年05月24日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Shizuoka, Japan

Lattice Strain Analysis of Superconducting Boron-Doped Diamond Film by X-ray Diffraction

T. Kageura , M. Shibata , T. Yamaguchi , Y.Takano , H.Kawarada

9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons2015年05月24日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Shizuoka, Japan

In-plane conductivity of dense CNT forest formed on Silicon carbide and contact resistivity estimation of parallel adjacent CNT

M. Inaba , C. Lee , K. Suzuki , Y. Hirano , M. Shibuya , M. Myodo , W. Norimatsu , M. Kusunoki , H. Kawarada

9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons2015年05月24日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Shizuoka, Japan

Carbon nanotube synthesis by non-catalytic CVC from dense carbon nanotube forest

M. Inaba, Y. Hirano, M. Shibata, K. Suzuki, C. Lee, M. Myodo, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons2015年05月24日

国際会議ポスター発表開催地：Shizuoka, Japan

Wide Temperature (10K- 700K) and High Voltage (~1000V) Operation of C-H Diamond MOSFETs for Power Electronics Application

H. Kawarada, H. Tsuboi, T. Yamada, D. Xu, T. Saito, A. Hiraiwa

IEDM 2014: IEEE International Electron Devices Meeting2014年12月15日

国際会議口頭発表（一般）開催地：San Francisco, CA, USA

Electric Property of SiO2/Diamond Structure

Y. Seshimo, T. Hara, Y. Hayashi, T. Hakamata, W. Ono, A.Hiraiwa, H. Kawarada

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit2014年11月30日

国際会議ポスター発表開催地：Boston, USA

Stable Performance of C-H Bonds Diamond MOSFETs at 10K-673K

D. Xu, H. Tsuboi, T. Yamada, Y. Kitabayashi, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit2014年11月30日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Nearly 1000V Breakdown Characteristic of C-H Diamond Lateral MOSFETs with Al2O3 Gate Insulator

T. Yamada, H. Tsuboi, D. Xu, Y. Kitabayashi, T. Saito, D. Matsumura, A. Hiraiwa, H. Kawarada

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston2014年11月30日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Schottky Barrier Height of Carbon Nanotubes to n-Type 4H-SiC for High Power Device Electrodes

K. Suzuki, M. Inaba, M. Shibuya, C.-Y. Lee, M. Myodo, Y. Hirano, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit2014年11月30日

国際会議ポスター発表開催地：Boston, USA

Analysis of Superconducting Boron-Doped Diamond Thin Film Using X-Ray Diffraction

T. Kageura1, M. Shibata, T. Yamaguchi, Y. Takano, H. Kawarada

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit2014年11月30日

国際会議ポスター発表開催地：Boston, USA

Fabrication of Diamond Rods for Power Device Application

M. Kobayashi, M. Inaba, M.Syamsul.N.S.B., A. Hiraiwa, H. Kawarada

2014 MRS Fall Meeting & Exhibi2014年11月30日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Boston, USA

Stability and Formation of Surface Hole Accumulation at C-H Diamond Surface

H. Kawarada, A. Hiraiwa

2014 MRS Fall Meeting & Exhibit招待有り2014年11月30日

国際会議口頭発表（招待・特別）開催地：Boston, USA

Carbon nanotube forest for ohmic and heat dissipative electrode of silicon carbide power devices

M. Inaba, K. Suzuki, M. Shibuya, C.-Y. Lee, M. Myodo, Y. Hirano, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

The 5th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials (AMDI-5)2014年11月19日

国際会議

Effect of Lattice Strain for Diamond superconductivit

T. Kageura, M. Shibata, T. Sasagawa, H.Kawarada

The 5th International Symposium on Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials (AMDI-5)2014年11月19日

国際会議開催地：Tokyo, Japan

C-H surface diamond FETs for high voltage (>500V) and wide temperature(-263℃-+400℃) operation

H. Kawarada

Japan-France Joint Diamond Workshop 20142014年10月09日

国際会議口頭発表（一般）開催地：Oita Japan

Characterization of Termination-controlled Boron-doped Polycrystalline Diamond Electrolyte-solution-gate Field-effect Transistor pH Sensor

Y. Shintani, T. Saruya, H. Kawarada

65th Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry2014年08月31日

国際会議開催地：Lausanne, Swiss

Evaluation of the contact resistivity and Schottky barrier height at CNT/SiC interface by top contact electrode

K. Suzuki, M. Inaba, M. Shibuya, C.-Yu Lee, M. Myodo, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H.Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA)2014年08月24日

国際会議開催地：Fukuoka,Japan

In-plane conductivity of dense carbon nanotube forest formed by silicon carbide surface decomposition method

M. Inaba, C.-Yu Lee, K. Suzuki, M. Shibuya, M.Myodo, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H.Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA )2014年08月24日

国際会議開催地：Fukuoka,Japan

Surface structure of (111) diamond with recovered surface conduction after heat

Y. Seshimo, T. Hakamata, W. Ono, Y. Yokoyama, D. Utsunomiya, A. Hiraiwa, H.Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA ）2014年08月24日

国際会議開催地：Fukuoka,Japan

600 V Breakdown voltage of C-H diamond MOSFETs with thick Al2O3 gate insulator

T.Yamada, T.Naruo, H.Tsuboi, D.Xu, A.Daicho, T.Saito, K.Kuruma, A.Hiraiwa, H.Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA）2014年08月24日

国際会議開催地：Fukuoka,Japan

Wide Temperature (10－673 K) Operation of C-H Diamond MOSFETs

D. Xu, H. Tsuboi, T. Naruo, T. Yamada, A. Daicho, T. Saito, K. Kuruma, A. Hiraiwa, H. Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA ）2014年08月24日

国際会議開催地：Fukuoka,Japan

Fluorine-terminated thin boron-doped diamond Solution Gate FET

M. Kobayashi,Y. Shintani, M. Myodo, H. Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA）2014年08月24日

国際会議開催地：Fukuoka,Japan

Superconductivity of Heavily Boron-doped Diamond (111)　by Spherical-resonator-Micro-wave-Plasma CVD

T. Kageura, M. Koga, T. Yamaguchi, Y. Takano, H. Kawarada

IUMRS-ICA2014, International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia 2014(The 15th IUMRS-ICA）2014年08月24日

国際会議開催地：Fukuoka,Japan

Diamond Field Effect Transistors for Power Electronics

H. Kawarada

2014 International Symposium on Single Crystal Diamond Electronics and the Fourth Chinese Vacuum Forum(SCDE 2014)招待有り2014年06月13日

国際会議口頭発表（招待・特別）開催地：Xian, China

In-plane Conduction of Dense Carbon Nanotube Forest Formed on Silicon Carbide

M. Inaba, C.-Y. Lee, K. Suzuki, M. Shibuya, M. Myodo, A. Hiraiwa, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

NT14: The Fifteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes2014年06月02日

国際会議開催地：Los Angeles, CA, USA

CNT/SiC Interface for Power Device Applications

M. Inaba, K. Suzuki, M. Shibuya, C.-Y. Lee, M. Myodo, A. Hiraiwa, Y. Masuda, W. Norimatsu, M. Kusunoki, H. Kawarada

The 5th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium2014年03月24日

国際会議開催地：Tsukuba, Japan

ダイヤモンド表面固定アプタマーによるトランジスタ型バイオセンサ

川原田洋

第61回応用物理学会春季学術講演会招待有り2014年03月17日

国内会議口頭発表（招待・特別）開催地：相模原、神奈川

Lateral Conductivity of CNT Film on High Resistance Sic Substrate

C.Y. Lee, M. Inaba, K Suzuki, M. Shibuya, A. Hiraiwa, M. Kusunoki, H. Kawarada